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智慧財產法院行政判決 　　　　　　　　　　　　　　　　　 107年度行專訴字第14號 原　　　告　世禾科技股份有限公司 代　表　人　陳學聖（董事長） 訴訟代理人　陳群顯 律師 被　　　告　經濟部智慧財產局 代　表　人　洪淑敏（局長） 訴訟代理人　葉献全 參　加　人　榮眾科技股份有限公司 代　表　人　黃偉彬（董事長） 上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國10 6 年12月20日經訴字第10606314360 號訴願決定，提起行政訴訟 ，並經本院命參加人獨立參加本件被告之訴訟，本院判決如下： 　　主 文 原告之訴駁回。 訴訟費用由原告負擔。 事實及理由 壹、事實概要：緣原告前於民國（下同）102 年1 月11日以「半 導體濺鍍設備的反應室結構」向被告申請發明專利，申請專 利範圍共10項，經被告編為第000000000 號審查，准予專利 ，並發給發明第I470104 號專利證書（下稱系爭專利）。嗣 參加人以系爭專利有違核准時專利法第22條第2 項之規定， 對之提起舉發，原告則於104 年11月30日提出系爭專利說明 書及申請專利範圍更正本。案經被告審查，核認其更正符合 規定，依該更正本審查，並認系爭專利請求項1 至10違反前 揭規定，以106 年6 月22日（106 ）智專三（五）01021 字 第10620656320 號專利舉發審定書為「104 年11月30日之更 正事項，准予更正」、「請求項1 至10舉發成立，應予撤銷 」之處分。原告不服原處分關於舉發成立部分之處分，提起 訴願，經經濟部106 年12月20日經訴字第10606314360 號決 定駁回，遂向本院提起行政訴訟。本院認本件判決之結果， 將影響參加人之權利或法律上之利益，依職權命參加人獨立 參加本件被告之訴訟。 貳、原告主張： 一、原處分及訴願決定認定舉發證據2 、3 或4 可以證明系爭專 利請求項1 不具進步性部分，未依法判斷進步性要件，而有 違法不當： 系爭專利請求項1 藉由「靶材固定件之接觸面、該承載環之 環凸面、以及該覆蓋保護環之附著面皆為粗糙面，該粗糙面 具有凸凹不平的花紋」，而可達成避免製程中沉積物發生不 正常的剝離，降低不良率，使品質提升之發明目的，同時， 亦可大幅減少因為毫無差別地在所有反應室表面進行粗糙化 所產生不必要的製作設備加工成本。證據2 、3 或4 ，均未 有目的性地、選擇性地於「靶材固定件之接觸面、該承載環 之環凸面、以及該覆蓋保護環之附著面皆設計為粗糙面」， 顯然通常知識者於系爭專利申請日之前，均未思及系爭專利 請求項1 之重要技術特徵，而具有需在所有反應室構件表面 粗糙化的技術偏見。事實上，並非所有表面粗糙化或紋理化 對於增加沈積物附著力均具有效果（參證據3 第6 頁第9-11 行），系爭專利所屬技術領域具有通常知識者僅依據證據2 所提供產生具有浮凸表面（如用壓花方式產生）室組件的方 法與產品，證據3 所提供反應室構件表面結構化之方法，證 據4 所提供在平板之一面產生具凹凸表面之方法與產品，無 法輕易思及系爭專利請求項1 之整體技術特徵，以及達成系 爭專利請求項1 之功效，更遑論簡單轉用而得到系爭專利請 求項1 之重要技術特徵，原處分及訴願決定顯有違法不當。 二、原處分及訴願決定認定舉發證據2 、3 或4 可以證明系爭專 利請求項2 至10不具進步性部分，未依法判斷進步性要件， 而有違法不當： ㈠請求項2 依附請求項1 ，其進一步界定之技術特徵為「其中 該花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦面」。證據2 僅揭露 粗糙面為「壓花表面」之上位概念，證據3 僅揭露粗糙面為 「凹陷、凸起以及其組合」之上位概念，證據4 僅揭露粗糙 面為「凹凸」之上位概念，均未能揭露請求項2 所進一步界 定之技術特徵，因此，證據2 、3 或4 無法證明請求項2 不 具進步性。 ㈡請求項3 依附請求項2 ，其進一步界定之技術特徵為「其中 該溝槽的深度範圍為1.2 至1.8mm 」。證據2 所揭露「在被 壓花的零件上所完成之表面是在200 至500 微英吋的範圍之 內」（證據2 第10頁第11至13行），與請求項3 之數值不同 ，其差距更有數倍之距，實難謂可輕易置換；證據3 所揭露 凹陷深度僅為大範圍數值，並未能具體揭露請求項3 有目的 選擇之較小範圍特徵，無法達成請求項3 藉由選擇特定溝槽 深度而可達成之較佳功效；證據4 所揭露之深度為2mm 更與 請求項3 明顯不同。因此，證據2 、3 或4 無法證明請求項 3 不具進步性。 ㈢請求項4 依附請求項1 ，其進一步界定之技術特徵為「其中 該承載環能承載一測試片，該測試片的上表面為一粗糙面， 該粗糙面具有凸凹不平的花紋，而其中一種花紋係由數溝槽 交錯而形成的非平坦面」。證據2 、3 或4 均未能揭露測試 片，此外，系爭專利申請日前，業界均未思及需針對測試片 形成粗糙面，亦即，業界僅具有測試片僅短暫放置於反應室 ，即便表面上具有沉積物，亦不會在短時間內剝落，故無需 在其表面粗糙化之技術思維與偏見，然而，針對此一技術偏 見，經原告不斷研究、改良，發現，為使測試數據精準，仍 有必要刻意在測試片上形成粗糙面，經不斷實驗、測試後， 發現確有功效上重大突破。證據2 、3 或4 既均未能具體揭 露請求項4 所進一步界定之技術特徵，且該等技術特徵確具 有不可預期功效，因此，證據2 、3 或4 無法證明請求項4 不具進步性。 ㈣請求項5 依附請求項1 ，其進一步界定之技術特徵為「其中 該靶材固定件係由圓弧錐體及圓筒體所構成的中空型體，該 圓筒體係位於圓弧錐體尺寸最小的一端，該接觸面為該圓弧 錐體及圓筒體的外壁面，而該接觸面整面皆具有粗糙面」。 證據2 、3 或4 均未能揭露靶材固定件之特定形狀特徵，更 遑論通常知識者有動機刻意在該等特定形狀之接觸面（圓弧 錐體及圓筒體的外壁面）形成粗糙面之特徵。據此，證據2 、3 或4 無法證明請求項5 不具進步性。 ㈤請求項6 依附請求項1 ，其進一步界定之技術特徵為「其中 該靶材固定件係由圓弧錐體及圓筒體所構成的中空型體，該 接觸面為該圓弧錐體及圓筒體的外壁面，該接觸面具有粗糙 面之區域僅限於局部表面，即於該圓弧錐體外壁或該圓弧錐 體與圓筒體的銜接處兩者的其中至少一處」。證據2 、3 或 4 均未能揭露靶材固定件之特定形狀特徵，更遑論通常知識 者有動機刻意在經選擇之接觸面（圓弧錐體及圓筒體的外壁 面）形成粗糙面之特徵。證據2 、3 均係無差別地於所有室 組件的全部表面（包含曲率為零的平面）均形成粗糙面，而 證據4 更是僅在平板狀的表面形成凹凸，顯然通常知識者並 無法輕易思及或簡單轉用而得到請求項6 此一技術特徵。據 此，證據2 、3 或4 無法證明請求項6 不具進步性。 ㈥請求項7 依附請求項1 ，其進一步界定之技術特徵為「其中 該承載環具有呈圓弧曲面狀凸起的凸環，該環凸面則是指該 凸環的上表面」。證據2 、3 或4 均未能揭露承載環之特定 形狀特徵，更遑論通常知識者有動機刻意在經選擇之環凸面 之上表面形成粗糙面之特徵。證據2 、3 均係無差別地於所 有室組件的全部表面（包含曲率為零的平面）均形成粗糙面 ，而證據4 更是僅在平板狀的表面形成凹凸，顯然通常知識 者並無法輕易思及或簡單轉用而得到請求項7 此一技術特徵 。據此，證據2 、3 或4 無法證明請求項7 不具進步性。 ㈦請求項8 依附請求項1 ，其進一步界定之技術特徵為「其中 該附著面包括有該覆蓋保護環之垂直外壁面、最頂面的水平 外壁面、以及銜接垂直外壁面及水平外壁面的弧形壁面，該 附著面整面皆具有粗糙面」。證據2 、3 或4 均未能揭露覆 蓋保護環之特定形狀特徵，更遑論通常知識者有動機刻意在 經選擇之附著面（該覆蓋保護環之垂直外壁面、最頂面的水 平外壁面、以及銜接垂直外壁面及水平外壁面的弧形壁面） 形成粗糙面之特徵，顯然通常知識者並無法輕易思及或簡單 轉用而得到請求項8 此一技術特徵。據此，證據2 、3 或4 無法證明請求項8 不具進步性。 ㈧請求項9 依附請求項1 ，其進一步界定之技術特徵為「其中 該附著面包括有該覆蓋保護環之垂直外壁面、最頂面的水平 外壁面、以及銜接垂直外壁面及水平外壁面的弧形壁面，其 中該附著面具有粗糙面之區域僅限於局部表面，即於該弧形 壁面處」。證據2 、3 或4 均未能揭露覆蓋保護環之特定形 狀特徵，更遑論通常知識者有動機刻意在經選擇之附著面（ 弧形壁面處）形成粗糙面之特徵。證據2 、3 均係無差別地 於所有室組件的全部表面（包含曲率為零的平面）均形成粗 糙面，而證據4 更是僅在平板狀的表面形成凹凸，顯然通常 知識者並無法輕易思及或簡單轉用而得到請求項9 此一技術 特徵。據此，證據2 、3 或4 無法證明請求項9 不具進步性 。 ㈨請求項10依附請求項1 ，其進一步界定之技術特徵為「其中 該腔體是由一保護壁及一外壁所形成雙層式中空腔室，該支 撐座係於該外壁底部，該支撐座係延伸至內層該保護壁所形 成的空間下方」。證據2 、3 或4 均未能揭露請求項10進一 步界定之技術特徵，據此，證據2 、3 或4 無法證明請求項 10不具進步性。 四、關於靶材固定件是否一定是圓弧形之問題： 系爭專利所屬技術領域具有通常知識者，於解釋請求項1 「 靶材固定件」之用語時，得基於教科書所介紹之PVD 設備（ 甲證5 ），以及基此所公開之相關習知技術（甲證8 ），於 審酌系爭專利說明書及圖式後，可以輕易理解請求項1 「靶 材固定件」之構形，雖非必然限制於與實施例完全相同之構 形而需由圓弧錐體42及圓筒體43所構成，但必然具有一定曲 面，無法為全平面等構形，否則無從用以固定圓盤狀之靶材 。至於請求項5 、6 則係依據實施例進一步針對「靶材固定 件」為特定構形之界定（參圖式第3 圖）。請求項1 所界定 之其他室組件亦具有一定之構形，亦即請求項1 之「承載環 」、「覆蓋保護環」雖非必須限制於與實施例完全相同之構 形，但仍須具有達成其預定功能之一定曲面構形始可為之， 而請求項7 至9 則係對應實施例，針對「承載環」、「覆蓋 保護環」進一步界定其構形（參圖式第4 至5 圖）。因此， 請求項1 之「靶材固定件」、「承載環」、「覆蓋保護環」 總括各式態樣而均具有一定曲面而發揮其固有功能，但無需 限制為請求項5 至9 之特定構形，此並無將實施例讀入請求 項1 、亦無解釋該等用語導致與請求項5 至9 相同而違反請 求項差異化原則。 五、關於系爭專利請求項1 與證據3 有何不同： 證據3 係從增加凝結物質於反應室內表面之附著力之角度出 發而提出改良之粗糙化製程，且其係避免所有反應室內表面 之外來物質之污染，顯然並無提供任何建議或教示要僅在特 定室組件之特定表面進行處理；而系爭專利請求項1 ，則是 在不改變粗糙化製程之情形下，藉由選擇僅在特定室組件之 特定表面（沉積物易於剝離之表面）進行粗糙化並形成凹凸 不平花紋，使沉積物可均勻沉積於易於剝離之表面上，來達 成沉積物易於剝離之表面可以增加沉積物承載量之目的。一 者為增加附著力，另一者為增加沉積物易於剝離之表面之沉 積物承載量，二者或可能達成類似效果（減少設備停機更換 之次數），但實質採取之技術手段、所需耗費之成本並不相 同。證據3 之特定粗糙化製程所耗費之時間、費用甚鉅，請 求項1 則藉由選擇性且採用一般粗糙化製程，即可達成延長 單一構件的使用週期，降低替換率，減少設備停機更換的次 數，具有降低成本、更為簡單之效果，二者並不相同。 六、並聲明：1.原處分關於「請求項1 至10舉發成立應予撤銷」 之部分及訴願決定，均撤銷。2.訴訟費用由被告負擔。 參、被告答辯： 一、系爭專利所欲解決之技術問題為「延長半導體濺鍍設備的構 件清洗的周期及使用壽命」；所採取之技術手段為「會使反 應物不斷沉積之接觸面、環凸面及附著面設計為粗糙面，該 粗糙面具有凸凹不平的花紋」；而其達成之功效即為「藉此 讓濺鍍過程中該接觸面、環凸面及附著面所能承受之沉積物 厚度增加，延長構件清洗的周期及使用壽命，提升設備的稼 動率，降低生產的成本」，亦即系爭專利係藉在會使反應物 不斷沉積之接觸面、環凸面及附著面設計為粗糙面（該粗糙 面具有凸凹不平的花紋），而讓濺鍍過程中該接觸面、環凸 面及附著面所能承受之沉積物厚度增加，延長構件清洗的周 期及使用壽命，提升設備的稼動率，降低生產的成本，合先 說明。 二、證據2 、3 或4 足以證明系爭專利請求項1 不具進步性： ㈠系爭專利請求項1 係採用二段式撰寫，由系爭專利之說明書 及其請求項1 所記載之內容，可知系爭專利請求項1 之發明 的技術特徵在於：「該靶材固定件之接觸面、該承載環之環 凸面、以及該覆蓋保護環之附著面皆為粗糙面，該粗糙面具 有凸凹不平的花紋」，至於請求項1 其他所載之技術則為與 先前技術共有之必要技術。 ㈡證據2 已揭露其半導體處理室，至少一部分具有一浮凸表面 如用壓花（knurling）所產生的，實已包含系爭專利請求項 1 所揭露之技術特徵，因此，系爭專利在請求項1 的技術特 徵，為在系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者由證據2 之教示，即可輕易思及、簡單轉用得到，且未產生較證據2 為佳之功效，亦未產生無法預期之功效，故證據2 足以證明 系爭專利請求項1 不具進步性。 ㈢證據3 在說明書第5 頁【發明所屬之技術領域】段落第2 至 4 行即指出證據3 係關於一種使用電子束來調整用於製程反 應室內之構件表面的方法，以在反應室構件上提供一表面紋 理( a textured surface) ，並在第6 頁第1 段第1 至7 行 揭示「為了防止凝結在製程反應室內表面之外來物質分離， 可將提供一表面紋理予內表面以使形成在這些表面上之凝結 的外來物質對該表面有增強的附著力，因此可能較不會分離 並污染晶圓基板。目前用來提供一表面紋理予反應室表面之 方法包含『噴砂法( 或稱珠光處理，bead blasting)』。噴 砂法包含將堅硬微粒噴射在該表面上以使該表面粗糙化」。 此外，證據3 在第7 頁第7 至10行更進一步記載「本發明也 提供一種降低製程反應室內之污染之方法。該方法包含以電 磁能量束掃瞄過一或多個製程反應室構件表面以在其上形成 複數個特徵。所形成之該等特徵係選自凹陷、突起、以及其 組合」。證據3 已揭露系爭專利請求項1 之技術特徵、目的 及功效，因此，系爭專利請求項1 的發明，為系爭專利所屬 技術領域中具有通常知識者由證據3 之教示，即可輕易思及 、簡單轉用得到，且未產生較證據3 為佳之功效，亦未產生 無法預期之功效，故證據3 足以證明系爭專利請求項1 不具 進步性。 ㈣證據4 「成膜裝置用構成組件及其製造方法」之說明書第3 頁〔產業上之利用領域〕段落中的第1 至3 行即指出「本發 明係關於一種成膜裝置內所使用之構成組件，更詳而言之， 關於一種於濺鍍、CVD 、真空蒸鍍等之氣相成長方法中的成 膜裝置用的構成組件」，並在第6 頁第4 至9 行揭示「以端 銑刀( endmill)機械加工鋁合金( A 5052) 之平板( 縱15cm ×橫20cm×厚5mm)的一面，而設成如圖1 所示之凹凸。圖1 之A 為其部分平面圖，圖1 之B 為部分側面圖。亦即，縱方 向與橫方向分別於2mm 節距( pitch)掘開寬1mm 之溝槽，所 形成之山M 與谷N 上附帶R0 .5mm 之圓狀，且，山M 與谷N 之深度設有2mm 之凹凸而形成母材1 」，且在第9 頁第23行 至第10頁第1 行記載「…此凹凸係使附著堆積物之剝離應力 分散者，其形狀或大小只要依照附著堆積之成膜材料本質上 剝離應力大小來決定即可，不可一概而定」，此外，證據4 更在第11頁〔發明之效果〕段落中指出「如以上所述，若依 本發明之成膜裝置用構成組件，成膜材料即使附著堆積很厚 ，亦不會引起由其剝離脫落所產生之微粒發生，故，停止成 膜裝置運轉而進行清淨至下次進行清淨之間隔可長期間化， 每1 台成膜裝置之生產量，亦即可使生產增大。又，因以無 微粒引起之污染來進行製造，故可提高成膜製品之製品產率 ，提高信賴性。…」。證據4 已揭示與系爭專利請求項1 之 範疇、特徵、目的及功效皆相同之技術手段，因此，系爭專 利在請求項1 的技術特徵，為在系爭專利所屬技術領域中具 有通常知識者由證據4 之教示輕易思及、簡單轉用得到，且 未產生較證據4 為佳之功效，亦未產生無法預期之功效，證 據4 足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。 ㈤原告雖主張，證據2 、3 或4 並未揭露於整體反應室中，如 何選擇在特定室組件、特定室組件的何部分表面需產生特定 浮凸表面。惟事實上，在濺鍍設備的反應室結構的清機過程 ，即可清楚知悉何構件的部位沉積物（微粒污染）較多，所 屬技術領域中具有通常知識者能輕易經由證據2 、3 或4 之 教示即可知悉應在濺鍍設備的反應室結構的何構件的部位實 施粗糙面化。 三、證據2 、3 或4 已揭露系爭專利請求項2 至10之技術特徵、 目的及功效，故證據2 、3 或4 足以證明系爭專利請求項2 至10不具進步性。又系爭專利請求項4 之「測試片」及請求 項10之「腔體是由一保護壁及一外壁所形成雙層式中空腔室 」，乃屬與先前技術共有之必要技術，證據2 、3 及4 縱使 未具體揭露系爭專利請求項4 之「測試片」及請求項10之「 腔體是由一保護壁及一外壁所形成雙層式中空腔室」，仍然 足以證明系爭專利請求項4 及10不具進步性。 四、並聲明：1.原告之訴駁回。2.訴訟費用由原告負擔。 肆、參加人陳述： 一、關於原告主張證據2 至4 不足證明系爭專利請求項4 不具進 步性云云： ㈠證據2 已揭示「在半導體室的內部室組件至少一部份具有壓 花表面」之技術特徵（參看證據2 的說明書及第二圖、第四 圖）。證據3 在說明書第5 頁〔發明所屬技術領域〕段落第 2 至4 行即指出證據3 係關於一種使用電子束來調整用於製 程反應室內之構件表面的方法，以在反應室構件上提供一表 面紋理（a textured surface），並在第6 頁第1 段第1 至 7 行揭示：「為了防止凝結在製程反應室內表面之外來物質 分離，可將提供一表面紋理予內表面以使形成在這些表面上 之凝結的外來物質對該表面有增強的附著力，因此可能較不 會分離並污染晶圓基板。目前用來提供一表面紋理予反應室 表面之方法包含『噴砂法（或稱珠光處理，bead blasting ）』。噴砂法包含將堅硬微粒噴射在該表面上以使該表面粗 糙化。」此外，證據3 在第7 頁第7 至10行更進一步記載： 「本發明也提供一種降低製程反應室內之污染之方法。該方 法包含以電磁能量束掃瞄過一或多個製程反應室構件表面以 在其上形成複數個特徵。所形成之該等特徵係選自凹陷、突 起、以及其組合。」。證據4 在說明書第6 頁第4 至9 行揭 示：「以端銑刀（endmil l）機械加工鋁合金（A 5052）之 平板（縱15cm×橫20cm×厚5mm ）的一面，而設成如圖1 所 示之凹凸。圖1 之A 為其部分平面圖，圖1 之B 為部分側面 圖。亦即，縱方向與橫方向分別於2mm 節距（pitch ）掘開 寬1mm 之溝槽，所形成之山M 與谷N 上附帶R0 .5mm 之圓狀 ，且山M 與谷N 之深度設有2mm 之凹凸而形成母材1 。」再 者，經由觀察下機後的腔體、靶材固定件、承載環、覆蓋保 護環以及測試片沉積物沉積的狀況（見本院卷第400-402 頁 照片所示），所屬技術領域中具有通常知識者根據證據2 至 4 所揭示之內容，而可輕易思及需於腔體、靶材固定件、承 載環、覆蓋保護環以及測試片等沉積物較多的表面形成粗糙 面，以增加沉積物與腔體、靶材固定件、承載環、覆蓋保護 環以及測試片表面的附著力，避免沉積物剝落汙染基板。故 所屬技術領域中具有通常知識者能依據上述證據2 至4 揭示 之先前技術，參酌申請時之通常知識，而將其簡單組合完成 系爭專利，且亦能以上述證據2 至4 揭示之先前技術為基礎 ，經邏輯分析、推理後即能預期得到者，也未產生無法預期 之功效。 ㈡除此之外，參證1 ，其係於99年7 月1 日公開之我國第0000 00000 號「用於物理氣相沉積腔室之遮盤」專利，其中，參 證1 之遮盤即對應系爭專利請求項4 之測試片。參證1 已揭 示：遮盤100 包含一主體102 ；該主體102 之該表面128 係 經紋理化（textured）以促進與其上之沉積材料間的附著力 ，進而防止該沉積材料自該遮盤100 脫落。該主體102 之該 表面128 係可透過任何適於適當地紋理化或是粗糙化的製程 來達到紋理化的目的，舉例來說，一噴砂處理，如噴粒處理 （grit blasting ）、噴砂（sand blasting ）、珠擊（be ad blasting ）或其它類似方法（見參證1 說明書第9 頁倒 數第2 行至第10頁第5 行）。即系爭專利請求項4 之技術特 徵亦為參證1 所揭示，因此，縱使證據2 至4 未揭示「測試 片」組件，然參證1 已揭示，證據2 與參證1 之組合或證據 3 與參證1 之組合或證據4 與參證1 之組合仍皆可證明系爭 專利請求項4 不具進步性。 二、關於原告主張證據2 至4 不足證明系爭專利請求項10不具進 步性云云： ㈠系爭專利請求項10之技術特徵，僅在說明書第4 頁第2 至3 行記載：「該腔體2 是由一保護壁22及一外壁23所形成雙層 式中空腔室」，然而對於該結構所能達成的目的、功能及所 欲解決的問題皆未敘述，更進一步而言，系爭專利達成「能 在不發生沉積物剝離的條件下，延長所能承受之沉積次數， 藉以延長構件替換或清洗週期，讓設備之稼動率上升，產能 提升，同步減少生產成本」之效果，主要係透過「將部分構 件表面施予特殊的粗糙面處理」之技術手段達成，因此系爭 專利請求項10之技術特徵對於系爭專利所要解決的問題、達 成之目的、功效並沒有任何助益之處，為系爭專利所屬技術 領域中具有通常知識者依據證據2 至4 之內容所能輕易思及 達成者，不具進步性。 ㈡更何況，證據2 之第1 圖及說明書第8 頁第18行亦已揭示在 遮罩28的周圓之內，設置線圈34，其中，證據2 之遮罩28即 相當於系爭專利之外壁，證據2 之線圈34即相當於系爭專利 之保護壁。系爭專利請求項10與證據2 比對，系爭專利10確 實未產生無法預期功效，而不具進步性。綜上說明，證據2 至4 確實可證系爭專利請求項10不具進步性。 三、並聲明：1.駁回原告之訴。2.訴訟費用由原告負擔。 伍、本件之爭點（見本院卷第207頁）： 一、證據2 是否可以證明系爭專利請求項1 至10不具進步性？ 二、證據3 是否可以證明系爭專利請求項1 至10不具進步性？ 三、證據4 是否可以證明系爭專利請求項1 至10不具進步性？ 陸、得心證之理由： 一、本件應適用之專利法： 系爭專利申請日為102 年1 月11日，審定日為103 年12月2 日，其是否有應撤銷專利權之情事，自應以審定時所適用之 103 年1 月22日修正公布、103 年3 月24日施行之專利法（ 下稱103 年專利法）為斷。按發明雖無專利法第22條第1 項 各款所列情事，但為其所屬技術領域中具有通常知識者依申 請前之先前技術所能輕易完成時，仍不得取得發明專利，10 3 年專利法第22條第2 項定有明文。 二、系爭專利之技術分析： ㈠系爭專利技術內容： ⑴先前技術： 『濺鍍』或被稱為物理氣相沉積（PVD ），為積體電路的 製造中之金屬及相關材質層的沉積方法，所採用的濺鍍設 備包括真空反應室及安裝於內部的一標靶，該濺鍍設備具 有電源供應器能對該標靶施加相對之電壓，讓標靶材料沉 積於一被托盤所負載的晶圓上。在反應室中具有數個不同 的固定組件以固定標靶、晶圓或其他構件，亦具有一保護 板來避免特定區域不被沉積物所覆蓋。濺鍍過程中沉積物 除了沉積於晶圓處，亦會沉積於各固定組件或保護板表面 ，隨著濺鍍次數增加，各固定組件或保護板上沉積物的厚 度也加厚，一旦沉積物剝落，就會影響生產的良率，因此 該濺鍍設備須定期停機，拆下各固定組件或保護板，以進 行清除沉積物的動作或更換構件的程序，如此將降低設備 的稼動率，而清洗或更換次數愈多，生產成本亦會增加。 習用設備係在部份構件表面形成鋁熔射塗層，在預定的使 用週期下使用，不良率低，但如果要延長原先更換或清洗 周期時，不良率就會大幅升高。有鑑於此，本發明憑藉著 多年的經驗，以及不斷的研究改良，終於改良設計了此一 半導體濺鍍設備的反應室結構。 ⑵發明內容： ⒈系爭專利之主要目的係提供一種能延長替換週期的半導 體濺鍍設備之反應室結構，主要係將部份構件表面施予 特殊的粗糙面處理，在不發生沉積物剝離的條件下，延 長所能承受之沉積次數，藉以延長構件替換或清洗週期 ，讓設備之稼動率上升，產能提升，同步減少生產之成 本。 ⒉為上述之目的，系爭專利之半導體濺鍍設備的反應室內 包括有：一腔體（2 ）、一升降平台（3 ）、數靶材固 定件（4 ）、一承載環（5 ）、以及一覆蓋保護環（6 ），該腔體（2 ）具有一中空腔室，底部具有環形之支 撐座（21）；該升降平台（3 ）能進出該支撐座（21） 中央所形成的空間；該數靶材固定件（4 ）固定於該腔 體（2 ）的內壁面，該靶材固定件（4 ）具有一外露的 接觸面；該承載環（5 ）安裝該升降平台（3 ）上，該 承載環（5 ）具有一環凸面；該覆蓋保護環（6 ）安裝 於該支撐座（21）處，該覆蓋保護環（6 ）具有一附著 面；其中該靶材固定件（4 ）之接觸面、該承載環（5 ）之環凸面、以及該覆蓋保護環（6 ）之附著面皆為粗 糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋，而其中一種花紋 係由數溝槽交錯而形成的非平坦面。 ⒊系爭專利之發明於該靶材固定件（4 ）之接觸面、該承 載環（5 ）之環凸面、以及該覆蓋保護環（6 ）之附著 面皆設計為粗糙面，能增加表面積及提高粗糙度。增加 表面積能提高表面所能承受之沉積的次數，延長單一構 件的使用週期，降低替換率，減少設備停機更換的次數 ，提高設備稼動率。而提高表面粗糙度能避免製程中沉 積物發生不正常的剝離，降低不良率，使品質提升（參 系爭專利說明書第1 頁至第2 頁第21行）。 ㈡系爭專利圖式如附圖一所示。 ㈢系爭專利申請專利範圍分析： 系爭專利請求項共計10項，其中第1 項為獨立項，餘為附屬 項。原告於104 年11月30日提出更正說明書及申請專利範圍 ，經被告審查，認其更正符合規定。因此，本案更正後之申 請專利範圍如下： ⒈一種半導體濺鍍設備的反應室結構，該反應室內包括有： 一腔體，具有一中空腔室，該腔體底部具有環形一支撐座 ；一升降平台，係能進出該支撐座中央所形成的空間；數 靶材固定件，係固定於該腔體的內壁面，該靶材固定件具 有一外露的接觸面；一承載環，係安裝該升降平台上，該 承載環具有一環凸面；一覆蓋保護環，係安裝於該支撐座 處，該覆蓋保護環具有一附著面；其特徵在於：該靶材固 定件之接觸面、該承載環之環凸面、以及該覆蓋保護環之 附著面皆為粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋。 ⒉如申專利範圍第1 項所述之半導體濺鍍設備的反應室結構 ，其中該花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦面。 　 ⒊如申專利範圍第2 項所述之半導體濺鍍設備的反應室結構 ，其中該溝槽的深度範圍為1.2至1.8mm 。 ⒋如申專利範圍第1 項所述之半導體濺鍍設備的反應室結構 ，其中該承載環能承載一測試片，該測試片的上表面為一 粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋，而其中一種花紋 係由數溝槽交錯而形成的非平坦面。 ⒌如申請專利範圍第1 項所述之半導體濺鍍設備的反應室結 構，其中該靶材固定件係由圓弧錐體及圓筒體所構成的中 空型體，該圓筒體係位於圓弧錐體尺寸最小的一端，該接 觸面為該圓弧錐體及圓筒體的外壁面，而該接觸面整面皆 具有粗糙面 。 ⒍如申請專利範圍第1 項所述之半導體濺鍍設備的反應室結 構，其中該靶材固定件係由圓弧錐體及圓筒體所構成的中 空型體，該接觸面為該圓弧錐體及圓筒體的外壁面，該接 觸面具有粗糙面之區域僅限於局部表面，即於該圓弧錐體 外壁或該圓弧錐體與圓筒體的銜接處兩者的其中至少一處 。 ⒎如申請專利範圍第1 項所述之半導體濺鍍設備的反應室結 構，其中該承載環具有呈圓弧曲面狀凸起的凸環，該環凸 面則是指該凸環的上表面。 ⒏如申請專利範圍第1 項所述之半導體濺鍍設備的反應室結 構，其中該附著面包括有該覆蓋保護環之垂直外壁面、最 頂面的水平外壁面、以及銜接垂直外壁面及水平外壁面的 弧形壁面，該附著面整面皆具有粗糙面。 ⒐如申請專利範圍第1 項所述之半導體濺鍍設備的反應室結 構，其中該附著面包括有該覆蓋保護環之垂直外壁面、最 頂面的水平外壁面、以及銜接垂直外壁面及水平外壁面的 弧形壁面，其中該附著面具有粗糙面之區域僅限於局部表 面，即於該弧形壁面處。 ⒑如申請專利範圍第1 項所述之半導體濺鍍設備的反應室結 構，其中該腔體是由一保護壁及一外壁所形成雙層式中空 腔室，該支撐座係於該外壁底部，該支撐座係延伸至內層 該保護壁所形成的空間下方。 三、舉發證據技術分析： ㈠證據2 為90年7 月21日公告之我國第446991號（申請案號第 00000000號）「浮凸之半導體製造設備零件」發明專利案（ 見原處分卷第48-39 頁），其公告日早於系爭專利申請日（ 102 年1 月11日），故證據2 可為系爭專利之先前技術。 ⑴證據2 係有關「浮凸半導體製造設備零件」，其提供降低 在半導體處理室中之粒子污染的設備及方法。在本發明的 一個態樣中，本發明為一具有內部室組件的半導體處理室 ，其至少一部分具有一浮凸表面如用壓花（knurling）所 產生的。在另一態樣中，本發明為一具有此一浮凸表面之 室組件。在一進一步的態樣中，本發明為一種產生一室組 件的方法。在另一態樣中，本發明為一種處理一包含該浮 凸的組件的接材的方法（證據2 說明書第6 頁之發明目的 及概述）。 ⑵證據2 所欲解決的問題為降低在半導體處理室中之粒子污 染情形，所採用之技術係在半導體室的內部室組件至少一 部份具有壓花表面，以增加污染物質黏附於室組件的表面 積，延長室組件須拆洗的時間與避免污染物質剝落。證據 2 揭示從標靶22濺射出來之物質之所欲達到的沉積位置是 該基材14，但該物質亦會沉積在曝露於該電漿下之所有表 面，包括了該遮罩28，該夾環26及線圈34（證據2 說明書 第8 頁末段）。 ⑶證據2主要圖式如附圖二所示。 ㈡證據3 為100 年5 月21日公告之我國第I342582 號（申請案 號第00000000號）「表面結構化之方法」發明專利案（見原 處分卷第38-10 頁），其公告日早於系爭專利申請日（102 年1 月11日），故證據3 可為系爭專利之先前技術。 ⑴證據3 揭示一種用於提供一紋理予一工作件（例如反應室 構件）表面之方法和系統。該方法包含提供一工作件至一 紋理化反應室並且以電磁能量束掃瞄過該工作件表面以在 其上形成複數個特徵。所形成之該等特徵通常是凹陷（ depressions ）、突起（protuberances ）、以及其組合 （參證據3 摘要）。 ⑵證據3 也提供一種降低製程反應室內之污染之方法。該方 法包含以電磁能量束掃瞄過一或多個製程反應室構件表面 以在其上形成複數個特徵。所形成之該等特徵係選自凹陷 、突起、以及其組合。該方法進一步包含將該一或多個反 應室構件置入一製程反應室內，並且在該製程反應室內開 始執行製程順序（參證據3 說明書第7 頁第7 行至第10行 ）。 ⑶該反應室構件，例如，保護組合718 、靶材706 、支撐環 712 、沈積環730 、線圈（未示出）、線圈支撐（未示出 ）、沈積準直儀（未示出）、臺座738 、對準環728 、關 閉盤（shutter disk）（未示出）或基板支撐736 ，係經 提供予一紋理化反應室，例如，設備100 之工作反應室 114 （參證據3 說明書第28頁第2 行至第7 行）。 ⑷證據3主要圖式如附圖三所示。 ㈢證據4 為86年5 月1 日公告之我國第304207號（申請案號第 00000000號）「成膜裝置用構成組件及其製造方法」發明專 利案（見原處分卷第9-1 頁），其公告日早於系爭專利申請 日（102 年1 月11日），故證據4 可為系爭專利之先前技術 。 ⑴證據4 為關於一種成膜裝置內所使用之構成組件，詳言之 ，關於一種於濺鍍、CVD 、真空蒸鍍等之氣相成長方法中 的成膜裝置用的構成組件（參證據4 說明書第3 頁第1 行 至第3 行）。證據4 揭示以端銑刀（endmill ）機械加工 鋁合金（A5052 ）之平板（縱15cm×橫20cm×厚5mm ）的 一面，而設成如圖1 所示之凹凸。圖1 之A 為其部分平面 圖，圖1 之B 為部分側面圖。亦即，縱方向與橫方向分別 於2mm 節距（pitch ）掘開寬1mm 之溝槽，所形成之山M 與谷N 上附帶R0 .5mm 之圓狀，且，山M 與谷N 之深度設 有2mm 之凹凸而形成母材1 （參證據4 說明書第6 頁第4 行至第9 行）。 ⑵又，各實施例中，係於鋁合金平板之一面，在縱方向、橫 方向均以2mm 節距挖掘寬1mm 、深2mm 之溝槽而設置凹凸 以形成母材，但，此凹凸係使附著堆積物之剝離應力分散 者，其形狀或大小只要依照附著堆積之成膜材料本質上剝 離應力大小來決定即可，不可一概而定（參證據4 說明書 第9 頁第21行至第10頁第1 行）。 ⑶再者，證據4 揭示可使用具有凹凸面的處理板而形成可使 Al真空蒸鍍於滾筒狀PP（聚丙烯）膜之成膜裝置的坩堝周 邊防附著板。藉此防附著板可防止在習知防附著板所產生 之真空蒸鍍中從防附著板剝離Al附著堆積物而落入坩堝中 之問題（參證據4 說明書第9 頁第5 至8 行的實施例5 ） 。 ⑷若依證據4 之成膜裝置用構成組件，成膜材料即使附著堆 積很厚，亦不會引起由其剝離脫落所產生之微粒發生，故 停止成膜裝置運轉而進行清淨至下次進行清淨之間隔可長 期間化，每1 台成膜裝置之生產量，亦即可使生產增大。 又，因以無微粒引起之污染來進行製造，故可提高成膜製 品之製品產率，提高信賴性。進而，不須如電解電箔進行 點焊接或以鉚釘固定作業，故可縮短用以配設之成膜裝置 的停止時間，也可減少配設費用（參證據4 說明書第11頁 第12行至第19行）。 ⑸證據4主要圖式如附圖四所示。 四、技術爭點分析： ㈠證據2是否可證明系爭專利請求項1至10不具進步性？ ⑴系爭專利請求項1： ⒈審查進步性時，應以每一請求項中所載之發明的整體（ as a whole）為對象，亦即將該發明所欲解決之問題、 解決問題之技術手段及對照先前技術之功效，作為一整 體予以考量。不得僅針對個別或部分技術特徵，亦不得 僅針對發明與相關先前技術之間的差異本身，判斷該發 明是否能被輕易完成。申請專利之發明與先前技術雖有 差異，但為該發明所屬技術領域中具有通常知識者依先 前技術所能輕易完成時，稱該發明不具進步性，先予敘 明。 ⒉次按，專利法施行細則第20條規定：「獨立項之撰寫， 以二段式為之者，前言部分應包含申請專利之標的名稱 及與先前技術共有之必要技術特徵；特徵部分應以『其 特徵在於』、『其改良在於』或其他類似用語，敘明有 別於先前技術之必要技術特徵」。經查，系爭專利請求 項1 係採二段式之寫法，其前言部分為「一種半導體濺 鍍設備的反應室結構，該反應室內包括有：一腔體，具 有一中空腔室，該腔體底部具有環形一支撐座；一升降 平台，係能進出該支撐座中央所形成的空間；數靶材固 定件，係固定於該腔體的內壁面，該靶材固定件具有一 外露的接觸面；一承載環，係安裝該升降平台上，該承 載環具有一環凸面；一覆蓋保護環，係安裝於該支撐座 處，該覆蓋保護環具有一附著面」，其包括系爭專利之 標的及與先前技術共有之必要技術特徵；而「該靶材固 定件之接觸面、該承載環之環凸面、以及該覆蓋保護環 之附著面皆為粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋」 則為系爭專利有別於先前技術之必要特徵或改良部分， 並以「其特徵係在」之用語為二者之區隔。因此，系爭 專利請求項1 之發明的技術特徵應在於「該靶材固定件 之接觸面、該承載環之環凸面、以及該覆蓋保護環之附 著面皆為粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋」，先 予敘明。 ⒊經查，證據2 係有關「浮凸半導體製造設備零件」，其 說明書第6 頁之發明目的及概述揭示「本發明提供降低 在半導體處理室中之粒子污染的設備及方法。在本發明 的一個態樣中，本發明為一具有內部室組件的半導體處 理室，其「至少一部分」具有一浮凸表面如用壓花（kn urling）所產生的。在另一態樣中，本發明為一具有此 一浮凸表面之室組件。在一進一步的態樣中，本發明為 一種產生一室組件的方法。在另一態樣中，本發明為一 種處理一包含該浮凸的組件的接材的方法」。由此可得 知，證據2 所欲解決的問題為降低在半導體處理室中之 粒子污染情形，所採用之技術亦係在半導體室的內部室 組件至少一部份具有壓花表面，以增加污染物質黏附於 室組件的表面積，延長室組件須拆洗的時間與避免污染 物質剝落。 ⒋證據2 與系爭專利請求項1 之差異在於：證據2 未明確 指出系爭專利請求項1 之半導體濺鍍設備的反應室粗糙 面的組件，惟證據2 已揭示半導體處理室，至少一部分 具有一浮凸表面如用壓花（knurling）所產生的。此外 ，證據2 與系爭專利請求項1 均應用於半導體濺鍍裝置 ，且所欲解決的問題均為改善污染物質於短時間內即剝 落影響濺鍍物的品質，及延長室組件拆下清洗的時程， 二者解決問題所採用之技術亦均係增加室組件之表面積 ，即於室組件表面設有壓花圖案。因此，所屬技術領域 中具有通常知識者依證據2 所揭示之內容，係可輕易思 及在半導體處理室中的「至少一部分」具有凸凹不平的 花紋。再者，系爭專利請求項1 與證據2 相較，並未具 有無法預期之功效，故證據2 可證明系爭專利請求項1 不具進步性。 ⒌原告雖主張，依據證據2 所提供產生具有浮凸表面（如 用壓花方式產生）室組件的方法與產品，無法輕易思及 系爭專利請求項1 之整體技術特徵（即除了反應室整體 結構外，有目的性地、選擇性於在靶材固定件之接觸面 、該承載環之環凸面、以及該覆蓋保護環之附著面等特 定表面皆設計為粗糙面，而非無差別地於反應室所有組 件表面均進行粗糙化之製程）以及達成系爭專利請求項 1 之功效，更遑論簡單轉用而得到系爭專利請求項1 之 重要技術特徵，原處分及訴願決定顯有違法不當云云。 經查，系爭專利請求項1 雖然選擇在「靶材固定件之接 觸面」、「承載環之環凸面」、以及「覆蓋保護環之附 著面」等特定表面皆設計為粗糙面，惟綜觀系爭專利之 發明目的，其主要在於希望能延長替換週期的半導體濺 鍍設備之反應室結構，而在部份的構件表面上施以特殊 的粗糙面處理，也因增加表面積的關係而能增加承受沉 積的次數，藉此提高稼動率，並使品質提升。此外，參 酌系爭專利說明書第4 頁第6 至8 行「在濺鍍作業中， 標靶材料主要係濺鍍沉積於晶圓表面外，但無法避免的 是亦會沉積於腔體2 內之各構件表面，各構件如該靶材 固定件4 、承載環5 、以及覆蓋保護環6 」，系爭專利 之發明之所以選擇「靶材固定件之接觸面」、「承載環 之環凸面」、以及「覆蓋保護環之附著面」等特定表面 皆設計為粗糙面，無非是因為在濺鍍作業中標靶材料也 會沉積在腔體內的各構件表面的緣故，所以於系爭專利 請求項1 中界定該等技術特徵。而標靶材料既會沉積在 腔體內的構件表面，則所屬技術領域中具有通常知識者 在清理半導體濺鍍設備的反應室時，係可很容易知悉在 該反應室的何部位沉積物較多，例如參照107 年6 月6 日參加人所提之行政訴訟參加人陳述（一）狀第8 至10 頁所提的照片（見本院卷第400-402 頁），其靶材固定 件、承載環及覆蓋保護環等均已揭示在不同的部位有不 同沉積物的情形，其容易受污染的部位會有較多的沉積 物。顯然，在反應室中選出「靶材固定件」、「承載環 」以及「覆蓋保護環」並於其特定表面設計為粗糙面， 係為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成者。更 何況系爭專利說明書中並未有記載為何特別選擇出此等 的構件以及其目的為何。此外，證據2 說明書第8 頁末 段已揭示「雖然從標靶22濺射出來之物質之所欲達到的 沉積位置是該基材14，但該物質亦會沉積在曝露於該電 漿下之所有表面，包括了該遮罩28，該夾環26及線圈34 」。顯然證據2 已教示了從標靶（即靶材）中所濺射出 來的物質會沉積在腔體內的各構件表面，而證據2 也選 擇了在該等容易沈積物質之構件表面上（例如線圈) 做 出粗糙面的結構。因此，雖然證據2 未揭示系爭專利請 求項1 的「靶材固定件」、「承載環」及「覆蓋保護環 」等構件，惟證據2 已教示了可在反應室的中之易沈積 物質之構件表面設計出具有粗糙面的結構。又如上所述 ，證據2 已教示了在反應室的構件表面形成具有粗糙表 面的結構後，可改善污染物質於短時間內即剝落影響濺 鍍物的品質，及延長室組件拆下清洗的時程的功效。據 此，證據2 已揭示系爭專利所欲解決之問題、及解決問 題之技術手段，且系爭專利與證據2 相較，不具有無法 預期之功效，原告所稱並無理由。 ⑵系爭專利請求項2： ⒈系爭專利請求項2 為請求項1 之附屬項，包含請求項1 之所有技術特徵，並進一步界定「該花紋係由數溝槽交 錯而形成的非平坦表面」為其附屬技術特徵。 ⒉經查，證據2 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。證據2 說明書第6 頁之發明目的及概述、第9 頁第1 至5 行、第2 圖及第4 圖已揭示「在半導體室的 內部組件之至少一部分具有浮凸表面」。再者，證據2 說明書第11頁第14至16行已揭示「工具80可具有一相反 的表面，其中陸塊區域從該工具表面伸展出，及凸脊被 改變成凹下的溝槽」，亦即參照證據2 說明書內容所述 ，其第2 圖之凸脊40亦可被改變為凹下的溝槽，而該溝 槽亦為交錯的溝槽。因此，證據2 既已揭示了在半導體 室的內部組件中的至少一部分可以具有浮凸表面，則欲 將該浮凸表面形成溝槽交錯的非平坦表面亦仍為所屬技 術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍。再者，系 爭專利請求項2 將該花紋界定為「由數溝槽交錯而形成 的非平坦表面」，其目的仍為減少設備停機更換的次數 與提升品質，仍未有無法預期的功效。是以，系爭專利 請求項2 不具進步性。 ⒊原告雖主張，證據2 僅揭露粗糙面為「壓花表面」之上 位概念，未能揭露系爭專利請求項2 所進一步界定之技 術特徵云云。惟壓花結構為何，係為所屬技術領域中具 有通常知識者可將其輕易變化的技術，且證據2 說明書 第12頁第3 至9 行已揭示浮凸的壓紋可以具有其他種類 的壓花結構。此外，如前揭所述，證據2 說明書第11頁 第14至16行及第2 圖已教示了凸脊40亦可被改變為凹下 的溝槽，而該溝槽亦為交錯的溝槽，其更揭示了系爭專 利請求項2 的結構。因此，原告之主張，不足採信。 ⑶系爭專利請求項3： ⒈系爭專利請求項3 為請求項2 之附屬項，包含請求項2 之所有技術特徵，並進一步界定「該溝槽的深度範圍為 1.2 至1.8mm 」為其附屬技術特徵。 ⒉經查，證據2 可證明系爭專利請求項2 不具進步性，已 如前述。此外，系爭專利請求項3 所請之溝槽深度的深 淺，僅是單純的深度量化，並未有無法預期的功效，為 所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍，而 依據證據2 說明書第10頁第11至13行所揭示之內容「在 壓花的零件上所完成之表面是在200 至500 微英吋的範 圍之內」，其已教示在被壓花的零件上所完成之表面溝 槽深度的變化是可依需求調整。因此，系爭專利請求項 3 不具進步性。 ⒊原告雖主張，證據2 所揭露之數值實與系爭專利請求項 3 數值不同，其差距更有數倍之距，實難謂可輕易置換 ，而達成系爭專利請求項3 較佳的功效云云。惟參酌系 爭專利說明書第5 頁第16行至第6 頁第3 行所述，具有 該溝槽的目的也是為了增加所能承受之沉積物量，而證 據2 既已揭示了在半導體處理室的內部組件的至少一部 分具有浮凸表面，其已教示了增加半導體處理室的內部 組件的表面積，可降低半導體處理室中之粒子污染的情 況。是以，所屬技術領域中具有通常知識者自可理解增 加內部室組件粗糙度表面的深度，則可增加其表面積， 即其可增加所能承受之沉積物量，進而延長內部室組件 的清洗或更換週期，以使稼動率上升。據此，雖然證據 2 未揭示系爭專利請求項3 所述之溝槽的深度範圍，惟 其仍為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的範 圍，原告之主張，不足採信。 ⑷系爭專利請求項4： ⒈系爭專利請求項4 為請求項1 之附屬項，包含請求項1 之所有技術特徵，並進一步界定「該承載環能承載一測 試片，該測試片的上表面為一粗糙面，該粗糙面具有凸 凹不平的花紋，而其中一種花紋係由數溝槽交錯而形成 的非平坦面」為其附屬技術特徵。 ⒉經查，證據2 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。證據2 雖未揭示系爭專利請求項4 所界定之測 試片，惟於審查進步性時，應以申請專利之發明的整體 為對象，申請專利之發明與先前技術雖有差異，但為該 發明所屬技術領域中具有通常知識者依先前技術所能輕 易完成時，該發明不具進步性。證據2 雖未揭示系爭專 利請求項4 所界定之測試片，惟有關該測試片的技術， 經參酌系爭專利說明書內容，僅於其說明書第6 頁第5 至10行記載「該測試片7 的用途是在濺鍍設備進行一批 晶圓濺鍍加工後，利用該測試片7 暫時取代原本晶圓的 位置，在進行一次濺鍍作業，以測試各式數據、構件移 動位置是否正確，以便進行校正。……。」，而綜觀系 爭專利所請之發明目的主要是因為「在濺鍍作業中，標 靶材料主要係濺鍍沉積於晶圓表面外，但無法避免的是 亦會沉積於腔體2 內之各構件表面，各構件如該靶材固 定件4 、承載環5 、以及覆蓋保護環6 」（參系爭專利 說明書第4 頁第6 至8 行）。是以，為了增加設備的稼 動率，延長取出各構件清洗的週期，而將該等構件表面 與以粗糙化。因此，即使證據2 未揭示使用測試片，惟 就系爭專利所欲解決的問題及達成的功效而言，均已被 證據2 所教示，而測試片既是置於半導體濺鍍設備的反 應室中，且證據2 亦教示反應室中所曝露出的構件均沉 積有沉積物，並且可將該表面予以粗糙化，則所屬技術 領域中具有通常知識者自可輕易思及可於反應室中使用 測試片並予以粗糙化。因此，證據2 足以證明系爭專利 請求項4 不具進步性。 ⒊原告雖主張，證據2 未揭露系爭專利請求項4 進一步界 定的技術特徵，且不斷研究、改良，發現為使測試數據 精準，仍有必要刻意在測試片上形成粗糙面，經不斷實 驗、測試後，發現確有功效上重大突破云云。惟系爭專 利與證據2 所欲解決的問題與功效並無不同。且系爭專 利說明書僅記載：「在本實施例中該測試片7 的上表面 71亦可設計為粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋， 而其中一種花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦面」（ 參系爭專利說明書第6 頁第8 至10行），並未有記載有 何種的功效上的重大突破。綜觀系爭專利之所以要將測 試片的表面形成粗糙化的目的應僅在於減少設備停機更 換的次數、提高設備稼動率及降低不良率使品質提升， 其所欲解決的問題與功效均已被證據2 所教示。是以， 雖然證據2 未揭示系爭專利請求項4 所界定之測試片的 結構，惟使用該測試片並未有產生其他無法預期的功效 ，故系爭專利請求項4 仍不具進步性，原告之主張，不 足採信。 ⑸系爭專利請求項5及6： ⒈系爭專利請求項5 及6 為請求項1 之附屬項，包含請求 項1 之所有技術特徵，並進一步界定靶材固定件係由圓 弧錐體及圓筒體所構成的中空型體，並界定該接觸面整 面皆具有粗糙面，或是該接觸面之區域僅限於局部表面 ，即該圓弧錐體外壁或該圓弧錐體與圓筒體的銜接處兩 者的其中至少一處為其附屬技術特徵。 ⒉經查，證據2 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。此外，證據2 說明書第8 頁末段已揭示「雖然 從標靶22濺射出來之物質之所欲達到的沉積位置是該基 材14，但該物質亦會沉積在曝露於該電漿下之所有表面 ，包括了該遮罩28，該夾環26及線圈34。來自於這些來 源之任何的物質剝落為一潛在的基材污染」，而證據2 說明書第9 頁第9 至15行揭示線圈可以是圓形的技術特 徵，且證據2 也針對線圈的表面進行粗糙化的處理。據 此，證據2 已教示了沉積物的剝離是會發生在具有曲率 不為零的表面之半導體處理室的內部組件中，亦即如系 爭專利請求項5 及6 所界定之靶材固定件的接觸面，也 因此證據2 教示了針對曲率不為零的表面之半導體處理 室內部組件進行表面粗糙化的技術。是以，系爭專利請 求項5 及6 不具進步性。 ⒊原告雖主張，其不斷研究、改良，始發現外壁曲率不為 零之表面較容易發生沉積剝離之情形，因此提高避免沉 積物剝離最有效率的方式，即係僅在「外壁不為零之表 面」形成粗糙面，而證據2 係無差別地於所有室組件的 全部表面（包含曲率為零的表面）均形成粗糙面，因此 ，證據2 無法證明系爭專利不具進步性云云。惟證據2 已教示了於曲率不為零的表面之半導體處理室的內部組 件（例如圓形線圈）的表面進行粗糙化，系爭專利請求 項6 雖然界定該接觸面之粗糙面區域可僅限於局部表面 ，惟所屬技術領域中具有通常知識者在操作半導體濺鍍 設備時，可輕易理解在反應室的各固定組件中的何處較 容易發生沉積物剝離的情形，而證據2 又已教示為了降 低半導體處理室中之粒子污染，係可在內部室組件的至 少一部分形成具有浮凸表面。據此，系爭專利請求項5 及6 所界定之靶材固定件的接觸面區域，仍為所屬技術 領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍，且不具有無 法預期之功效，不具進步性，原告之主張，不足採信。 ⑹系爭專利請求項7： ⒈系爭專利請求項7 為請求項1 之附屬項，包含請求項1 之所有技術特徵，並進一步界定「該承載環具有圓弧曲 面狀凸起的凸環，該凸環面則是指該凸環的上表面」為 其附屬技術特徵。 ⒉經查，證據2 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。此外，系爭專利請求項7 中所界定之承載環具 有環曲面狀凸起的凸環，其主要係指在「曲率不為零」 的承載環的環凸面上表面進行表面粗糙化，如前所述， 證據2 已揭示了使用圓形線圈，並在其表面上形成粗糙 化的結構，其即已教示了在「曲率不為零」的構件表面 上形成粗糙化的結構。再者，證據2 說明書第8 頁末段 揭示「從標靶22濺射出來之物質之所欲達到的沉積位置 是該基材14，但該物質亦會沉積在曝露於該電漿下之所 有表面」，而系爭專利請求項7 所界定之「承載環」亦 屬半導體濺鍍設備之反應室結構中的一構件，故於反應 室結構中的一「曲率不為零」的構件表面上形成粗糙化 的結構，為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成 的範圍。是以，證據2 可證明系爭專利請求項7 不具進 步性。 ⑺系爭專利請求項8及9： ⒈系爭專利請求項8 及9 為請求項1 之附屬項，包含請求 項1 之所有技術特徵，並進一步界定覆蓋保護環之附著 面的整面皆具有粗糙面，或該覆蓋保護環之附著面具有 粗糙面之區域僅限於局部表面，即於弧形壁面處。 ⒉經查，證據2 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。證據2 已揭示了在「曲率不為零」的構件表面 上形成粗糙化的結構，此外，證據2 說明書第8 頁末段 已揭示「雖然從標靶22濺射出來之物質之所欲達到的沉 積位置是該基材14，但該物質亦會沉積在曝露於該電漿 下之所有表面，包括了該遮罩28，該夾環26及線圈34」 ，其中夾環28又類似於系爭專利請求項8 及9 所述之「 覆蓋保護環」，而證據2 已教示了可在沉積物沉積處進 行表面粗糙化，則系爭專利請求項8 所界定之覆蓋保護 環之垂直外壁面、最頂面的水平外壁面以及銜接垂直外 壁面及水平外壁面的弧形表面，均屬所屬技術領域中具 有通常知識者經由操作半導體濺鍍設備時可以輕易完成 的範圍。是以，證據2 可證明系爭專利請求項8 及9 不 具進步性。 ⑻系爭專利請求項10： ⒈系爭專利請求項10為請求項1 之附屬項，包含請求項1 之所有技術特徵，並進一步界定「該腔體是由一保護壁 及一外壁所形成雙層式中空腔室，該支撐座係於該外壁 底部，該支撐座係延伸至內層該保護壁所形成的空間下 方」為其附屬技術特徵。 ⒉經查，證據2 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。又審查進步性時，應以申請專利之發明的整體 為對象。證據2 雖未揭示系爭專利請求項10所界定之腔 體的結構，惟有關該腔體的技術，經參酌系爭專利說明 書內容，僅於其說明書第4 頁第2 至4 行記載「另外該 腔體2 是由一保護壁22及一外壁23所形成雙層式中空腔 室，該支撐座21係於該外壁23底部，該支撐座21係延伸 至內層之該保護壁22所形成的空間下方」，而綜觀系爭 專利所請之發明目的，主要是因為「在濺鍍作業中，標 靶材料主要係濺鍍沉積於晶圓表面外，但無法避免的是 亦會沉積於腔體2 內之各構件表面」，為了增加設備的 稼動率，延長取出各構件清洗的週期，而將該等構件表 面予以粗糙化。因此，雖然證據2 所揭示的腔體結構與 系爭專利請求項10有所差異，惟就系爭專利所欲解決的 問題及達成的功效而言，均已被證據2 所教示。據此， 證據2 仍足以證明系爭專利請求項10不具進步性。 ㈡證據3是否可證明系爭專利請求項1 至10不具進步性？ ⑴系爭專利請求項1： ⒈系爭專利請求項1 係為二段式之寫法，其發明的技術特 徵應在於「該靶材固定件之接觸面、該承載環之環凸面 、以及該覆蓋保護環之附著面皆為粗糙面，該粗糙面具 有凸凹不平的花紋」。 ⒉經查，證據3 係有關「表面結構化之方法」，其說明書 第5 頁之【發明所屬之技術領域】揭示「更明確地說， 本發明之實施例係關於一種使用電子束來調整用於製程 反應室內之構件表面的方法，以在反應室構件上提供一 表面紋理( a textured surface) 」。此外，證據3 說 明書第6 頁第1 至7 行揭示「為了防止凝結在製程反應 室內表面之外來物質分離，可將提供一表面紋理予內表 面以使形成在這些表面上之凝結的外來物質對該表面有 增強的附著力，因此可能較不會分離並污染晶圓基板。 目前用來提供一表面紋理予反應室表面之方法包含『噴 砂法（或稱珠光處理，bead blasting ）』。噴砂法包 含將堅硬微粒噴射在該表面上以使該表面粗糙化」。再 者，證據3 說明書第7 頁第7 至10行揭示「本發明也提 供一種降低製程反應室內之污染之方法。該方法包含以 電磁能量束掃瞄過一或多個製程反應室構件表面以在其 上形成複數個特徵。所形成之該等特徵係選自凹陷、突 起、以及其組合」。由此可知，證據3 所欲解決的問題 為降低在半導體處理室中之粒子污染情形，所採用之技 術亦係在反應室構件表面上形成複數個特徵，其所形成 之該等特徵係選自凹陷、突起、以及其組合，以增加污 染物質黏附於室組件的表面積，延長室組件須拆洗的時 間與避免污染物質剝落。 ⒊證據3 與系爭專利請求項1 之差異在於：證據3 未明確 指出系爭專利請求項1 之半導體濺鍍設備的反應室粗糙 面的組件，惟證據3 已揭示反應室構件表面上形成複數 個特徵，其所形成之該等特徵係選自凹陷、突起、以及 其組合。此外，證據3 與系爭專利請求項1 均應用於半 導體濺鍍裝置，且所欲解決的問題均為改善污染物質於 短時間內即剝落影響濺鍍物的品質，及延長室組件拆下 清洗的時程，二者解決問題所採用之技術亦均係增加室 組件之表面積，即於反應室構件表面上形成複數個特徵 ，其所形成之該等特徵係選自凹陷、突起、以及其組合 。因此，所屬技術領域中具有通常知識者依證據3 所揭 示之內容，係可輕易思及在半導體射濺鍍設備的反應室 中的構件表面具有凸凹不平的花紋。再者，系爭專利請 求項1 與證據3 相較，並未具有無法預期之功效，故證 據3 可證明系爭專利請求項1 不具進步性。 ⒋原告雖主張，證據3 係將反應室所有組件的全部表面進 行紋理化之處理，惟證據3 並未揭露於整體反應室結構 中，應如何有目的性地選擇在特定反應室構件、特定反 應室構件的何部分表面須產生特定表面紋理。因此，證 據3 無法證明系爭專利請求項1 不具進步性云云。經查 ，證據3 說明書第28頁第2 至7 行已揭示「為了降低凝 結之外來物質從製程反應室構件分離的傾向，該反應室 構件，例如，保護組合718 、靶材706 、支撐環712 、 沈積環730 、線圈（未示出) 、線圈支撐（未示出) 、 沈積準直儀（未示出) 、臺座738 、對準環728 、關閉 盤（shutter disk) （未示出) 或基板支撐736 ，係經 提供予一紋理化反應室，例如，設備100 之工作反應室 11 4」。顯然證據3 已教示了從反應室構件的表面會有 外來物質（即沉積物) ，並教示可在反應室的一部分構 件中進行紋理化（例如支撐環、線圈、或沉積環等) 做 出粗糙面的設計，可改善污染物質於短時間內即剝落影 響濺鍍物的品質，及延長室組件拆下清洗的時程的功效 。雖然證據3 未揭示系爭專利請求項1 的「靶材固定件 」、「承載環」及「覆蓋保護環」等構件，惟系爭專利 所屬技術領域中具有通常知識者在清理半導體濺鍍設備 的反應室時，可很容易知悉在該反應室的何部位沉積物 較多，已如前述，專利請求項1 與證據3 相較，並未具 有無法預期之功效，故證據3 可證明系爭專利請求項1 不具進步性。原告之主張，不足採信。 ⑵系爭專利請求項2： ⒈系爭專利請求項2 為請求項1 之附屬項，並進一步界定 「該花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦表面」為其附 屬技術特徵。 ⒉證據3 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已如前述 。證據3 說明書第7 頁第7 至10行已揭示「本發明也提 供一種降低製程反應室內之污染之方法。該方法包含以 電磁能量束掃瞄過一或多個製程反應室構件表面以在其 上形成複數個特徵。所形成之該等特徵係選自凹陷、突 起、以及其組合」。再者，證據3 說明書第20頁第12至 19行已揭示「該等複數個特徵500 可以是凹陷（depres sions)、突起( protuberances)、或其組合。該等複數 個特徵500 可經配製成一基本上在特徵500 間具有一致 間隔508 之圖案。雖然第5A、5B、和5C圖示出不連續特 徵500 之圖案。但特徵500 可以接觸、重疊、或彼此合 併。重疊設計之一可能實施例在第5D圖中示出。在另一 個實施例中，也可能形成重疊特徵500 之陣列以在該工 作件表面上形成溝槽或紋路，進而促進所沈積薄膜之附 著力」，亦即參照證據3 說明書內容所述，其該等複數 個特徵亦可形成溝槽，進而促進所沉積薄膜之附著力。 因此，證據3 既已揭示了在半導體室的內部組件中的複 數個特徵可以形成溝槽，則將系爭專利請求項2 之該花 紋界定為「由數溝槽交錯而形成的非平坦表面」亦仍為 所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍。是 以，系爭專利請求項2 仍不具進步性。 ⒊原告雖主張，證據3 僅揭露粗糙面為「凹陷、凸起以及 其組合」之上位概念，未能揭露系爭專利請求項2 所進 一步界定之技術特徵云云，惟如前述，證據3 已教示了 該等複數個特徵可形成溝槽的技術特徵，且系爭專利請 求項2 所界定的結構，並未有無法預期的功效。因此， 原告所稱並無理由。證據3 仍足以證明系爭專利請求項 2 不具進步性。 ⑶系爭專利請求項3： ⒈系爭專利請求項3 為請求項2 之附屬項，並進一步界定 「該溝槽的深度範圍為1.2 至1.8mm 」為其附屬技術特 徵。 ⒉證據3 可證明系爭專利請求項2 不具進步性，已如前述 。系爭專利請求項3 所請之溝槽深度的深淺，僅是單純 的深度量化，並未有無法預期的功效，為所屬技術領域 中具有通常知識者可輕易完成的範圍，而依據證據3 說 明書第21頁第18至21行所揭示之內容「該凹陷602 被描 繪為具有一表面622 。該凹陷602 具有一深度612 ，界 定為從該工作件104 之上表面620 至該凹陷602 之底部 的垂直距離，在約0.001 英吋至約0.060 英吋範圍內」 以及證據3 說明書第22頁第3 至5 行「在一實施例中， 突起604 具有在約0.002 英吋至約0.060 英吋範圍內之 高度618 ，並且較佳地介於0.002 至約0.046 英吋間」 ，其已教示凹陷602 至凸起604 的距離介於0.003 至 0.12英吋，並且較佳地界於0.003 至0.106 英吋，也就 是說該範圍為0.0762mm至3.048mm 間，且較佳地界於 0.0762 mm 至2.9624mm間，該範圍已包含系爭專利請求 項3 所界定之溝槽深度。系爭專利請求項3 所界定之該 溝槽的範圍亦未有其他無法預期的功效。因此，系爭專 利請求項3 仍不具進步性。 ⒊原告雖主張，證據3 所揭露之凹陷深度僅為大範圍數值 ，並未能具體揭露請求項3 目的的選擇較小範圍特徵， 無法達成請求項3 較佳的功效云云，惟參酌系爭專利說 明書第5 頁第16行至第6 頁第3 行所述，具有該溝槽的 目的也是為了增加所能承受之沉積物量，而證據3 既已 揭示了該發明也提供一種降低製程反應室內之污染之方 法，其是使用反應室構件表面以在其上形成複數個特徵 ，該等所形成之特徵係選自凹陷、突起、以及其組合， 其已教示了增加半導體處理室的內部組件的表面積則可 降低半導體處理室中之粒子污染的情況。是以，所屬技 術領域中具有通常知識者自可理解增加內部室組件粗糙 度表面的深度，則可增加其表面積，即可增加所能承受 之沉積物量，進而延長內部室組件的清洗或更換週期， 以使稼動率上升。據此，雖然證據3 揭示較大範圍的凹 陷深度，惟系爭專利請求項3 所欲解決的問題及其所達 成的功效仍與證據3 相同，故系爭專利請求項3 所界定 的溝槽深度的範圍仍為所屬技術領域中具有通常知識者 可輕易完成者，不具進步性。原告之主張，不足採信。 ⑷系爭專利請求項4 ： ⒈系爭專利請求項4 為請求項1 之附屬項，並進一步界定 「該承載環能承載一測試片，該測試片的上表面為一粗 糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋，而其中一種花紋 係由數溝槽交錯而形成的非平坦面」為其附屬技術特徵 。 ⒉證據3 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已如前述 。證據3 雖未揭示系爭專利請求項4 所界定之測試片， 惟就系爭專利所欲解決的問題及達成的功效而言，均已 被證據3 所教示，而測試片既是置於半導體濺鍍設備的 反應室中，且證據3 亦教示反應室中所曝露出的構件均 沉積有沉積物並且可將該表面予以粗糙化，則所屬技術 領域中具有通常知識者自可輕易思及可於反應室中使用 測試片並予以粗糙化，且使用該測試片並未有產生其他 無法預期的功效，據此，證據3 足以證明系爭專利請求 項4 不具進步性。 ⑸系爭專利請求項5及6： ⒈系爭專利請求項5 及6 為請求項1 之附屬項，並進一步 界定靶材固定件係由圓弧錐體及圓筒體所構成的中空型 體，並界定該接觸面整面皆具有粗糙面，或是該接觸面 之區域僅限於局部表面，即該圓弧錐體外壁或該圓弧錐 體與圓筒體的銜接處兩者的其中至少一處為其附屬技術 特徵。 ⒉經查，證據3 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。此外，證據3 說明書第25頁末段至第26頁第1 行及第7 圖已揭示「該例示真空反應室716 含有一圓柱 狀反應室壁714 及一設置在該反應室壁頂部之支撐環71 2 。該反應室頂部係利用一具有內表面706A之靶材板70 6 來封閉。該靶材板706 利用一安置在該靶材板706 和 該支撐環712 間之環形絕緣體710 來與該反應室壁714 電絕緣」，證據3 已教示該反應室中具有之支撐環，所 屬技術領域中具有通常知識者自可理解該支撐環為一「 曲率不為零的表面」，且證據3 說明書第28頁第2 至7 行亦揭示「為了降低凝結之外來物質從製程反應室構件 分離的傾向，該反應室構件，例如，保護組合718 、靶 材706 、支撐環712 、沈積環730 、線圈( 未示出) 、 線圈支撐( 未示出) ……，係經提供予一紋理化反應室 」。證據3 也教示可在反應室的一部分構件中進行紋理 化（例如支撐環、線圈等) 做出粗糙面的結構。據此， 證據3 已教示了沉積物的剝離是會發生在具有曲率不為 零的表面之半導體處理室的內部組件中，亦即如系爭專 利請求項5 及6 所界定之靶材固定件的接觸面，也因此 證據3 教示了可針對曲率不為零的表面之半導體處理室 內部組件進行表面粗糙化的技術。是以，系爭專利請求 項5及6所請之內容仍不具進步性。 ⒊原告雖主張，其不斷研究、改良，始發現外壁曲率不為 零之表面較容易發生沉積剝離之情形，因此提高避免沉 積物剝離最有效率的方式，即係僅在「外壁不為零之表 面」形成粗糙面，而證據3 係無差別地於所有室組件的 全部表面（包含曲率為零的表面）均形成粗糙面，因此 ，證據3 無法證明系爭專利不具進步性云云。惟查，證 據3 已教示了於支撐環、線圈等曲率不為零的表面之半 導體處理室的內部組件中進行表面粗糙化。證據3 又已 教示為了降低半導體處理室中之粒子污染，係可在反應 室構件表面上形成複數個特徵，其所形成之該等特徵係 選自凹陷、突起、以及其組合。據此，系爭專利請求項 5 及6 所界定之靶材固定件的接觸面區域，仍為所屬技 術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍，故仍不具 進步性。 ⑹系爭專利請求項7： ⒈系爭專利請求項7 為請求項1 之附屬項，並進一步界定 「該承載環具有圓弧曲面狀凸起的凸環，該凸環面則是 指該凸環的上表面」為其附屬技術特徵。 ⒉經查，證據3 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。系爭專利請求項7 中所界定之承載環具有環曲 面狀凸起的凸環，其主要係指在「曲率不為零」的承載 環的環凸面上表面進行表面粗糙化，證據3 已揭示可在 反應室的一部分構件中進行紋理化（例如支撐環、線圈 、或沉積環等) ，其即已教示了在「曲率不為零」的構 件表面上形成粗糙化的結構。系爭專利請求項7 雖然選 擇「該承載環具有圓弧曲面狀凸起的凸環，該凸環面則 是指該凸環的上表面」作為其附屬技術特徵，惟仍未有 無法預期的功效，故系爭專利請求項7 仍不具進步性。 ⑺系爭專利請求項8及9： ⒈系爭專利請求項8 及9 為請求項1 之附屬項，並進一步 界定附著面的整面皆具有粗糙面或該附著面具有粗糙面 之區域僅限於局部表面，即於弧形壁面處。 ⒉經查，證據3 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。此外，證據3 已教示可在反應室「曲率不為零 」的構件表面上形成粗糙化的結構，其可在弧形表面上 形成表面粗糙化。據此，系爭專利請求項8 及9 所界定 之附著面均屬所屬技術領域中具有通常知識者經由操作 半導體濺鍍設備時可以輕易得知於覆蓋保護環的該等壁 面上均會沉積有沉積物之處，而證據3 既已教示了可在 沉積物沉積處進行表面粗糙化。是以，證據3 可證明系 爭專利請求項8 及9 不具進步性。 ⑻系爭專利請求項10： ⒈系爭專利請求項10為請求項1 之附屬項，並進一步界定 「該腔體是由一保護壁及一外壁所形成雙層式中空腔室 ，該支撐座係於該外壁底部，該支撐座係延伸至內層該 保護壁所形成的空間下方」為其附屬技術特徵。 ⒉經查，證據3 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。雖然證據3 未揭示系爭專利請求項10所界定之 腔體的結構，惟就系爭專利所欲解決的問題及達成的功 效而言，均已被證據3 所教示。據此，證據3 仍足以證 明系爭專利請求項10不具進步性，證據3 雖未揭示系爭 專利請求項10所界定之腔體的結構，惟使用該結構並未 有產生其他無法預期的功效，故系爭專利請求項10仍不 具進步性。 ㈢證據4是否可證明系爭專利請求項1 至10不具進步性？ ⑴系爭專利請求項1： ⒈系爭專利請求項1 係為二段式之寫法，其發明的技術特 徵應在於「該靶材固定件之接觸面、該承載環之環凸面 、以及該覆蓋保護環之附著面皆為粗糙面，該粗糙面具 有凸凹不平的花紋」。 ⒉證據4 係有關「成膜裝置用構成組件及其製造方法」， 其說明書第3 頁之〔產業上之利用領域〕揭示「本發明 係關於一種成膜裝置內所使用之構成組件，更詳而言之 ，關於一種於濺鍍、CVD 、真空蒸鍍等之氣相成長方法 中的成膜裝置用的構成組件」。此外，證據4 說明書第 6 頁第4 至9 行揭示「以端銑刀（endmill ）機械加工 鋁合金（A5052 ）之平板（縱15cm×橫20cm×厚5mm ） 的一面，而設成如圖1 所示之凹凸。圖1 之A 為其部分 平面圖，圖1 之B 為部分側面圖。亦即，縱方向與橫方 向分別於2mm 節距( pitch)掘開寬1mm 之溝槽，所形成 之山M 與谷N 上附帶R0 .5mm 之圓狀，且，山M 與谷N 之深度設有2mm 之凹凸而形成母材1 」。再者，證據4 之說明書第9 頁第23行至第10頁第1 行揭示「此凹凸係 使附著堆積物之剝離應力分散者，其形狀或大小只要依 照附著堆積之成膜材料本質上剝離應力大小來決定即可 ，不可一概而定」。而證據4 第11頁之〔發明之效果〕 亦揭示「如以上所述，若依本發明之成膜裝置用構成組 件，成膜材料即使附著堆積很厚，亦不會引起由其剝離 脫落所產生之微粒發生，故，停止成膜裝置運轉而進行 清淨至下次進行清淨之間隔可長期間化，每1 台成膜裝 置之生產量，亦即可使生產增大。又，因以無微粒引起 之污染來進行製造，故可提高成膜製品之製品產率，提 高信賴性。進而，不須如電解電箔進行點焊接或以鉚釘 固定作業，故，可縮短用以配設之成膜裝置的停止時間 ，也可減少配設費用」。由此可得知，證據4 所欲解決 的問題為降低在半導體處理室中之粒子污染情形，所採 用之技術亦係在成膜裝置用構成組件表面上形成凹凸的 結構，以增加污染物質黏附於室組件的表面積，延長室 組件須拆洗的時間與避免污染物質剝落。 ⒊證據4 與系爭專利請求項1 之差異在於：證據4 未明確 指出系爭專利請求項1 之半導體濺鍍設備的反應室粗糙 面的組件，惟證據4 已揭示成膜裝置用構成組件表面上 形成凹凸的結構。此外，證據4 與系爭專利請求項1 均 應用於半導體濺鍍裝置，且所欲解決的問題均為改善污 染物質於短時間內即剝落影響濺鍍物的品質，及延長室 組件拆下清洗的時程，二者解決問題所採用之技術亦均 係增加室組件之表面積，即於成膜裝置用構成組件表面 上形成凹凸的結構。因此，所屬技術領域中具有通常知 識者依證據4 所揭示之內容，係可輕易思及在半導體射 濺鍍設備的反應室中的構件表面具有凸凹不平的花紋。 再者，系爭專利請求項1 與證據4 相較，並未具有無法 預期之功效，故證據4 可證明系爭專利請求項1 不具進 步性。 ⒋原告雖主張，證據4 係將反應室所有組件的全部表面進 行紋理化之處理，然而，證據4 並未揭露於整體反應室 結構中，應如何有目的性地選擇在特定反應室構件、特 定反應室構件的何部分表面虛產設定表面紋理。因此， 證據4 無法證明系爭專利請求項1 不具進步性云云。惟 查，證據4 既已教示了可在成膜裝置用構成組件表面上 形成凹凸的結構，且例如證據4 說明書第9 頁第5 至8 行的實施例6 亦已揭示「配設實施例1 作成之處理板A 而形成可使Al真空蒸鍍於滾筒狀PP( 聚丙烯) 膜之成膜 裝置的坩堝周邊防附著板。藉此防附著板可防止在習知 防附著板所產生之真空蒸鍍中從防附著板剝離Al附著堆 積物而落入坩堝中之問題」。顯然證據4 已教示了從反 應室構件的表面會有沉積物，而將該構件進行表面粗糙 化的技術，並具有可改善污染物質於短時間內即剝落影 響濺鍍物的品質，及延長室組件拆下清洗的時程的功效 。雖然證據4 未揭示系爭專利請求項1 的「靶材固定件 」、「承載環」及「覆蓋保護環」等構件，惟系爭專利 所屬技術領域中具有通常知識者在清理半導體濺鍍設備 的反應室時，可很容易知悉在該反應室的何部位沉積物 較多，已如前述，專利請求項1 與證據4 相較，並未具 有無法預期之功效，故證據4 可證明系爭專利請求項1 不具進步性。原告之主張，不足採信。 ⑵系爭專利請求項2： ⒈系爭專利請求項2 為請求項1 之附屬項，並進一步界定 「該花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦表面」為其附 屬技術特徵。 ⒉證據4 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已如前述 。證據4 說明書第6 頁第4 至9 行揭示「亦即，縱方向 與橫方向分別於2mm 節距( pitch)掘開寬1mm 之溝槽， 所形成之山M 與谷N 上附帶R0 .5mm 之圓狀，且，山M 與谷N 之深度設有2mm 之凹凸而形成母材1 」，因此， 證據4 已揭示了在半導體室的內部組件中的凹凸表面可 以形成溝槽，則將系爭專利請求項2 之該花紋界定為「 由數溝槽交錯而形成的非平坦表面」仍為所屬技術領域 中具有通常知識者可輕易完成的範圍。是以，系爭專利 請求項2 不具進步性。 ⑶系爭專利請求項3： ⒈系爭專利請求項3 為請求項2 之附屬項，包含請求項2 之所有技術特徵，並進一步界定「該溝槽的深度範圍為 1.2 至1.8mm 」為其附屬技術特徵。 ⒉證據4 可證明系爭專利請求項2 不具進步性，已如前述 。系爭專利請求項3 所請之溝槽深度的深淺，僅是單純 的深度量化，並未有無法預期的功效，為所屬技術領域 中具有通常知識者可輕易完成的範圍，又依據證據4 說 明書第6 頁第8 至9 行所揭示之內容「山M 與谷N 之深 度設有2mm 之凹凸而形成母材」，該深度雖與系爭專利 請求項3 所界定的範圍不同，惟證據4 說明書第9 頁末 二行至第10頁第1 行已揭示「此凹凸係使用附著堆積物 之剝離應力分散者，其形狀或大小只要依照附著堆積物 之成膜材料本質上剝離應力大小來決定即可」，亦即證 據4 已教示了凹凸的深度係可依實際情況而定，其主要 目的為降低半導體處理室中之粒子污染的情況，而系爭 專利請求項3 所界定之該溝槽的範圍亦未有其他無法預 期的功效。因此，系爭專利請求項3 仍不具進步性。 ⒊原告雖主張，證據4 所揭露之深度為2mm 其與系爭專利 請求項3 所界定的溝槽深度範圍明顯不同，無法達成請 求項3 較佳的功效云云。惟參酌系爭專利說明書第5 頁 第16行至第6 頁第3 行所述，具有該溝槽的目的也是為 了增加所能承受之沉積物量，而證據4 既已揭示了該發 明也提供一種降低製程反應室內之污染之方法，其是使 用反應室構件表面以在其上形成凹凸面，其已教示了增 加半導體處理室的內部組件的表面積則可降低半導體處 理室中之粒子污染的情況。是以，所屬技術領域中具有 通常知識者自可理解調整內部室組件粗糙度表面的深度 ，則可調整其表面積，即可調整所能承受之沉積物量。 據此，雖然證據4 所揭示之凹凸深度與系爭專利請求項 3 有所不同，惟系爭專利請求項3 所欲解決的問題及其 所達成的功效仍與證據3 相同，故系爭專利請求項3 所 界定的溝槽深度的範圍仍為所屬技術領域中具有通常知 識者可輕易完成者，仍不具進步性。原告之主張，不足 採信。 ⑷系爭專利請求項4 ： ⒈系爭專利請求項4 為請求項1 之附屬項，並進一步界定 「該承載環能承載一測試片，該測試片的上表面為一粗 糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋，而其中一種花紋 係由數溝槽交錯而形成的非平坦面」為其附屬技術特徵 。 ⒉經查，證據4 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。證據4 雖未揭示使用測試片，惟就系爭專利所 欲解決的問題及達成的功效而言，均已被證據4 所教示 ，而測試片既是置於半導體濺鍍設備的反應室中，且證 據4 亦教示反應室中所曝露出的構件均沉積有沉積物並 且可將該表面予以粗糙化，則所屬技術領域中具有通常 知識者自可輕易思及可於反應室中使用測試片並予以粗 糙化。據此，證據4 仍足以證明系爭專利請求項4 不具 進步性。 ⑸系爭專利請求項5及6： ⒈系爭專利請求項5 及6 為請求項1 之附屬項，並進一步 界定靶材固定件係由圓弧錐體及圓筒體所構成的中空型 體，並界定該接觸面整面皆具有粗糙面，或是該接觸面 之區域僅限於局部表面，即該圓弧錐體外壁或該圓弧錐 體與圓筒體的銜接處兩者的其中至少一處為其附屬技術 特徵。 ⒉經查，證據4 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。此外，證據4 說明書第9 頁第5 至8 行已揭示 「配設實施例1 作成之處理板A 而形成可使Al真空蒸鍍 於滾筒狀PP（聚丙烯) 膜之成膜裝置的坩堝周邊防附著 板。藉此防附著板可防止在習知防附著板所產生之真空 蒸鍍中從防附著板剝離Al附著堆積物而落入坩堝中之問 題」，證據4 已教示在成膜裝置中具有滾筒狀的坩堝周 邊形成防附著板，且該防附著板具有凹凸面，所屬技術 領域中具有通常知識者自可理解該形成於滾筒狀坩堝周 邊的防附著板為一「曲率不為零的表面」。據此，證據 4 已教示了沉積物的剝離是會發生在具有曲率不為零的 表面之半導體處理室的內部組件中，亦即如系爭專利請 求項5 及6 所界定之靶材固定件的接觸面，也因此證據 4 教示了可針對曲率不為零的表面之半導體處理室內部 組件進行表面粗糙化的技術。系爭專利請求項5 及6 所 界定之靶材固定件的接觸面區域，仍為所屬技術領域中 具有通常知識者可輕易完成的範圍，故仍不具進步性。 ⑹系爭專利請求項7： ⒈系爭專利請求項7 為請求項1 之附屬項，並進一步界定 「該承載環具有圓弧曲面狀凸起的凸環，該凸環面則是 指該凸環的上表面」為其附屬技術特徵。 ⒉經查，證據4 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。此外，證據4 已揭示可在成膜用構件組件產生 凹凸面（例如滾筒狀坩堝），其即已教示了在「曲率不 為零」的構件表面上形成粗糙化的結構。且系爭專利與 證據4 所欲解決的問題亦為相同。因此，系爭專利請求 項7 雖然選擇「該承載環具有圓弧曲面狀凸起的凸環， 該凸環面則是指該凸環的上表面」作為其附屬技術特徵 ，惟仍未有無法預期的功效，故系爭專利請求項7 仍不 具進步性。 ⑺系爭專利請求項8及9： ⒈系爭專利請求項8 及9 為請求項1 之附屬項，並進一步 界定附著面的整面皆具有粗糙面或該附著面具有粗糙面 之區域僅限於局部表面，即於弧形壁面處。 ⒉經查，證據4 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。此外，證據4 已揭示可在成膜裝置用構成組件 中的滾筒狀坩堝的表面形成凹凸面，其已教示了在曲率 不為零的半導體處理室的內部組件中進行表面粗糙化。 據此，系爭專利請求項8 及9 所界定之附著面均屬所屬 技術領域中具有通常知識者，可輕易完成之範圍，且未 具有無法預期的功效，故系爭專利請求項8 、9 不具進 步性。 ⑻系爭專利請求項10： ⒈系爭專利請求項10為請求項1 之附屬項，包含請求項1 之所有技術特徵，並進一步界定「該腔體是由一保護壁 及一外壁所形成雙層式中空腔室，該支撐座係於該外壁 底部，該支撐座係延伸至內層該保護壁所形成的空間下 方」為其附屬技術特徵。 ⒉經查，證據4 可證明系爭專利請求項1 不具進步性，已 如前述。雖然證據4 未揭示系爭專利請求項10所界定之 腔體的結構，惟就系爭專利所欲解決的問題及達成的功 效而言，均已被證據4 所教示。證據4 雖未揭示系爭專 利請求項10所界定之腔體的結構，惟使用該結構並未有 產生其他無法預期的功效，故系爭專利請求項10仍不具 進步性。 六、綜上所述，證據2 ，證據3 ，證據4 分別足以證明系爭專利 請求項1 至10不具進步性，系爭專利違反103 年專利法第22 條第2 項之規定，被告就本件專利舉發案所為「系爭專利請 求項1 至10舉發成立應予撤銷」部分之處分，並無違誤，訴 願決定予以維持，亦無不合。原告訴請撤銷原處分及訴願決 定，為無理由，應予駁回。 七、本件事證已臻明確，兩造其餘主張或答辯，經本院審酌後認 對判決結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。 據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依智慧財產案件審理法第 1條，行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。 中　　華　　民　　國　　107　 年　　7　　 月　　31　　日 　　　　　　　　　　智慧財產法院第二庭 　　　　　　　　　　　　　審判長法　官　李維心 　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　蔡如琪 　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　彭洪英 以上正本證明與原本無異。 如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上 訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補 提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決 送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。 上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第 241 條之1 第1 項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律 師為訴訟代理人（同條第1 項但書、第2 項）。 ┌─────────┬────────────────┐ │得不委任律師為訴訟│ 所 需 要 件 │ │代理人之情形 │ │ ├─────────┼────────────────┤ │(一)符合右列情形之│1.上訴人或其法定代理人具備律師資│ │ 一者，得不委任律│ 格或為教育部審定合格之大學或獨│ │ 師為訴訟代理人　│ 立學院公法學教授、副教授者。 │ │ │2.稅務行政事件，上訴人或其法定代│ │ │ 理人具備會計師資格者。 │ │ │3.專利行政事件，上訴人或其法定代│ │ │ 理人具備專利師資格或依法得為專│ │ │ 利代理人者。 │ ├─────────┼────────────────┤ │(二)非律師具有右列│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、│ │ 情形之一，經最高│ 二親等內之姻親具備律師資格者。│ │ 行政法院認為適當│2.稅務行政事件，具備會計師資格者│ │ 者，亦得為上訴審│ 。 │ │ 訴訟代理人 │3.專利行政事件，具備專利師資格或│ │ │ 依法得為專利代理人者。 │ │ │4.上訴人為公法人、中央或地方機關│ │ │ 、公法上之非法人團體時，其所屬│ │ │ 專任人員辦理法制、法務、訴願業│ │ │ 務或與訴訟事件相關業務者。 │ ├─────────┴────────────────┤ │是否符合(一)、(二)之情形，而得為強制律師代理之例外，│ │上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出(二)所示關係│ │之釋明文書影本及委任書。 │ └──────────────────────────┘ 中　　華　　民　　國　　107 　年　　8 　　月　　3 　　日 　　　　　　　　　　　　　　　書記官　郭宇修