智慧財產法院行政判決
109年度行專訴字第2號
原 告 國立成功大學
代 表 人 蘇慧貞(校長)住同上
原 告 國立成功大學醫學院附設醫院
代 表 人 沈孟儒(院長)住同上
共 同
訴訟代理人 劉哲郎
專利師
輔 佐 人 黃偉倫
陳家慧
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 洪淑敏(局長)住同上
訴訟代理人 楊淑珍
上列
當事人間因
發明專利申請事件,原告不服經濟部中華民國10
8 年11月19日經訴字第10806314320 號
訴願決定,提起
行政訴訟
,本院判決如下:
主 文
一、原告之訴駁回。
二、
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序方面:
原告起訴聲明第2 項原為:被告應就第000000000 號「非金
屬半導體量子點及以其進行化學反應或光致發光反應的方法
」發明專利申請案作成准予專利之
審定(本院卷第15頁),
其先更正聲明為:被告應就第000000000 號「非金屬半導體
量子點及以其進行化學反應或光致發光反應的方法」發明專
利申請案准予修正,並作成
適法之處分(本院卷第125 頁)
,
嗣又更正聲明為:被告應就第000000000 號「非金屬半導
體量子點及以其進行化學反應或光致發光反應的方法」發明
專利申請案作成准予專利之處分(本院卷第162 頁),而被
告對此並無意見,因原告係使聲明更加明確,非屬
訴之變更
或追加,故無行政訴訟法第111 條第1 項規定之適用,
合先
敘明。
貳、實體方面:
一、爭訟概要:
原告前於民國104 年9 月17日以「非金屬半導體量子點及以
其進行化學反應或光致發光反應的方法」向被告申請發明專
利,並同時主張優先權(受理國家:美國,申請日:西元20
14年9 月19日,申請案號:62/052884 ),經被告編為第00
0000000 號審查。嗣原告於106 年6 月5 日提出摘要、說明
書修
正本,並將發明名稱改為「半導體量子點及以其進行化
學反應或光致發光反應的方法」(下稱
系爭專利申請案),
案經被告審查,為不予專利之處分。原告不服,申請再審查
,並多次提出系爭專利申請案之專利範圍修正本。經被告依
原告最後所提之108 年6 月19日修正本審查,認系爭專利申
請案有違
專利法第43條第2 項規定,以108 年7 月8 日(10
8 )智專三㈤01103 字第10820643510 號專利再審查
核駁審
定書(下稱原處分)為不予專利之處分。原告不服,提起訴
願,經經濟部於108 年11月19日以經訴字第10806314320 號
決定駁回(下稱
訴願決定),原告仍未甘服,遂向本院提起
行政訴訟。
二、原告主張要旨及聲明:
(一)系爭專利申請案修正後的請求項1 至17並未引入新事項,
未超出原說明書及申請專利範圍
所載內容,符合專利法第
43條第2 項規定:
⒈系爭專利申請案108 年6 月19日修正本,將請求項1 改寫
為方法項,並將氧化石墨烯量子點的粒徑範圍修正為「2.
6 奈米至5.4 奈米之間」,此修正係依照系爭專利申請案
說明書實施例第【0072】段實施例3-2 中明確記載的氨-
氮摻雜氧化石墨烯量子點的粒徑為10、16、26、54、61、
79A,並通過圖式呈現照光產生的量子特性差異,其製備
手段也已揭示於說明書第【0070】至【0071】段。因此在
數值限定上,氨-氮摻雜氧化石墨烯量子點並無訴願決定
及被告
所稱「修正本超出申請時說明書、申請專利範圍或
圖式所
揭露之範圍」,系爭專利申請案說明書確實揭示了
粒徑數值「2.6 奈米至5.4 奈米之間」。
⒉原告雖認同「不同材料會在不同粒徑範圍內呈現量子特性
」,然而,不同材料展現量子特性的粒徑範圍是可以部分
重疊的。系爭專利申請案以相同主體材料-氧化石墨烯所
獲得的一系列氧化石墨稀量子點,經原告多次實驗,均可
在所限定的粒徑範圍(2.6 奈米至5.4 奈米之間)內展現
其量子特性,並被使用於請求項1 之方法中,可以支持所
請求之範圍,例如系爭專利申請案第lb圖及第7e圖(如附
圖)可見,於所限定的尺寸範圍內具有類似摻雜的氧化石
墨烯可展示量子特性。此外,原告並非如訴願決定所云「
顯見二種不同組成之氧化石墨烯縱使具有相似之性質或反
應性,亦無法直接且無歧異得知二者尺寸相同」,嘗試爭
論以相似之性質或反應性即可無歧異得知二者尺寸相同,
僅是依前述理由(即這些氧化石墨烯量子點均可在所限定
的粒徑範圍內展現量子特性),在說明書支持下進行尺寸
範圍之限縮。
⒊訴願決定所稱「由不同尺寸所組成之顆粒,只要其粒徑小
於過濾膜之孔徑,均可以相同孔徑之過濾膜過篩,顯見用
以篩分之過濾膜孔徑縱使相同,亦不必然獲致相同尺寸之
顆粒」,此一結論雖然合乎邏輯,但與本案的實施狀態
顯
有差異,以此作為駁回原告訴願之結論並不合理。由系爭
專利申請案之多個實施例中已明確記載,系爭專利申請案
係以一系列不同孔徑大小的過濾膜,以得到不同尺寸範圍
之量子點。而在系爭專利申請案實施例中,這些不同孔徑
大小的過濾膜,確實可以有效篩分各種摻雜或未摻雜的氧
化石墨烯量子點,並沒有任何一種摻雜的氧化石墨烯量子
點的粒徑完全小於所選用的孔徑尺寸的過濾膜,導致其無
法通過此一系列不同孔徑的過濾膜進行篩分。因此,訴願
決定認為「顯見用以篩分之過濾膜孔徑縱使相同,亦不必
然獲致相同尺寸之顆粒」並不符合本案狀況。
⒋系爭專利申請案所屬技術領域之通常知識者亦能輕易理解
,在量子點製造的過程中所得到的量子點尺寸多介於一範
圍之內(如系爭專利申請案所請求之範圍),
而非指涉之
一絕對尺寸。例如,
可參考被告於108 年2 月15日(108)
智專三㈤01103 字第10820128120 號審查意見通知函所提
列之引證7 第14337 頁右下方最後一段倒數第五行:「
The average size of the observed pure , doped and
co-doped-GOQDs is about 2 nm , with rather sharp
size dispersion (s 1/4 1nm)」即為一明確例證。在系
爭專利申請案之說明書中,明確記載了摻雜或未摻雜的氧
化石墨烯量子點製備及實驗過程,所使用的粒徑篩分手法
亦詳細於各種摻雜及未摻雜的氧化石墨烯實施例中。
⒌由系爭專利申請案說明書第【0053】、【0065】、【0070
】段之記載可以看出,均是利用具有不同孔徑且相同材質
的過濾膜(聚醚膜)來取得不同尺寸範圍、摻雜或未摻
雜的氧化石墨烯量子點。
是以,系爭專利申請案所屬技術
領域的通常知識者通過這樣的實驗描述,已經可以充分理
解到「可以利用相同材質過濾膜,以所需要的孔徑來獲得
不同尺寸範圍的摻雜及未摻雜的氧化石墨烯量子點」。
⒍此外,由於用來篩分尺寸所使用的多種孔徑(即100 KD、
30KD、10KD、5 KD、3 KD、2 KD)都是相同的,因此當然
可以理解到系爭專利申請案說明書雖然在第【0072】段僅
描述了實施例3-2 所獲得的氨-氮摻雜氧化石墨烯量子點
的粒徑為10、16、26、54、61、79A,並通過圖式呈現照
光產生的量子特性差異,但其他摻雜或未摻雜的氧化石墨
烯量子點都是以相同的方式進行篩分,所取得的粒徑範圍
當然都是相同的,例如雖然系爭專利申請案說明書並未特
別提及篩分氮硼摻雜氧化石墨烯量子點的過程,但利用同
樣方法,於圖式第7e圖中亦呈現包含限定尺寸範圍內,不
同大小的氮硼摻雜氧化石墨烯量子點,因此說明書所教導
或隱含的發明概念不應因未以文字或圖式呈現而被忽視,
或被直觀認為未明確揭示。
⒎綜上,雖然系爭專利申請案說明書明確提及氨-氮氧化石
墨烯量子點的粒徑,但其他氧化石墨烯的特定粒徑範圍的
取得方式與氨-氮氧化石墨烯量子點相同且無其他實施差
異,系爭專利申請案所屬技術領域的通常知識者,當然可
以從氨-氮氧化石墨烯量子點的特定尺寸範圍,直接且無
歧異的推論到以相同的方法所獲得具有相同的特定尺寸範
圍之其他摻雜或未摻雜氧化石墨烯量子點。事實上,通過
相同孔徑的過濾膜與實驗手法篩分,對於通常知識者而言
是相當容易實施且易於獲得相同的粒徑範圍。因此,系爭
專利申請案之請求項1 並未引入新事項,同時其附屬請求
項2 至17也未引入新事項。故請求項1 至17之修正並未超
出原申請時說明書、申請專利範圍或圖式,符合專利法第
43條第2 項之規定。準此,原處分、訴願決定均有
違誤,
應予
撤銷,被告並應就系爭專利申請案作成准予專利之審
定。
(二)聲明(本院卷第162 頁)
⒈訴願決定、原處分均撤銷。
⒉被告應就系爭專利申請案作成准予專利之處分。
三、被告答辯要旨及聲明:
(一)原告主張系爭專利申請案之修正內容未引入新事項,並無
理由:
⒈原告主張系爭專利申請案修正請求項1 限定量子點的粒徑
介於「2.6 奈米至5.4 奈米」之間,該粒徑範圍已揭示於
申請時說明書第【0072】段,故修正內容未引入新事項。
惟查,依系爭專利申請案說明書【0072】段落僅揭示氨-
氮摻雜氧化石墨烯量子點直徑為「10、16、26、54、61、
79A」(即1 、1.6 、2.6 、5.4 、6.1 、7.9nm ),該
發明所屬技術領域中具有通常知識者,並無法由「氨-氮
」摻雜氧化石墨烯粒徑範圍直接且無歧異得知其他氧化石
墨烯(「無摻雜」或「摻雜氨-氮以外」之氧化石墨烯)
之特定粒徑。
⒉原告主張系爭專利申請案修正後之粒徑範圍可為系爭專利
申請時說明書及圖式第1b圖及第7e圖所支持。然而,判斷
修正內容是否引進新事項,係以該發明所屬技術領域中具
有通常知識者是否可由申請時說明書、申請專利範圍或圖
式直接且無歧異得知該修正內容為斷,以避免申請人藉由
修正增加申請時所無之發明,至於修正後內容是否可為說
明書所支持,則非所問。準此,縱使原告修正後之內容仍
可達成系爭專利申請案說明書所稱之發明目的及功效,仍
不足以證明該修正並未引進新事項。
⒊原告主張由系爭專利申請案說明書第【0053】、【0065】
段內容可知,系爭專利申請案對於不同氧化石墨烯量子點
材料均以相同濾膜進行篩分,所製備之所有量子點材料粒
徑當然相同,是以系爭專利申請案發明所屬技術領域中具
有通常知識者,可以從說明書記載之氨-氮氧化石墨烯尺
寸直接且無歧異得知其他(摻雜或未摻雜)氧化石墨烯之
尺寸,故所為修正並未引入新事項。然查,由不同尺寸所
組成之顆粒,縱使以相同孔經之過濾膜過篩,不必然獲致
相同尺寸之顆粒。例如,顆粒組成分別為「2 至5A 」及
「6 至9A 」者,均可通過孔徑為10A之薄膜,顯見用以
篩分之薄膜孔徑,並非決定最終產物粒徑之因素。因此,
原告前述主張顯然悖於一般知識,不足為採。此外,當修
正後的事項包括多個含意時,如只取其中一個含意,並非
屬直接而無歧異得知,原告修正後的粒徑範圍實際上是不
同實施例重組而成,顯見已引入新事項。
⒋綜上,原處分並無違法,原告之主張並無理由。
(二)聲明:駁回原告之訴(本院卷第162 頁)。
四、本件
爭點(本院卷第125頁):
系爭專利申請案於108 年6 月19日修正時是否有導入新事項
而超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍?
五、本院判斷:
(一)應適用之法令:
⒈
按系爭專利申請案之申請日為104 年9 月17日,再審查核
駁審定日為108 年7 月8 日,本件於109 年7 月1 日言詞
辯論終結,故系爭專利申請案是否符合專利要件,應以10
6 年1 月18日修正公布、106 年5 月1 日施行專利法(下
稱現行專利法)為斷。
⒉次按「發明專利申請案違反第43條第2 項規定者,應為不
予專利之審定」、「專利專責機關於審查發明專利時,除
本法另有規定外,得依申請或
依職權通知申請人限期修正
說明書、申請專利範圍或圖式。修正,除誤譯之訂正外,
不得超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範
圍」,現行專利法第46條第1 項、第43條第1 、2 項分別
定有明文。是以,申請案於審定前,雖然對於據以取得申
請日之申請時說明書、申請專利範圍或圖式得進行修正,
但修正之結果,依現行專利法第43條第2 項規定,不得增
加其所未揭露之事項,亦即不得增加新事項。又審查時,
應以修正後之說明書、申請專利範圍或圖式與申請時之說
明書、申請專利範圍或圖式比較。惟申請人如提出多次修
正說明書、申請專利範圍或圖式時,應以最近一次之修正
本與申請時說明書、申請專利範圍或圖式比較,判斷其修
正是否超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之
範圍。
⒊本件被告係依系爭專利申請案108 年6 月19日之修正本
暨
申請專利範圍(乙證卷第251 至255 頁),作出應不予專
利之處分,故系爭專利申請案之申請專利範圍修正本是否
超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍,
應與申請時(104 年9 月17日)之說明書、申請專利範圍
或圖式進行比較,以判斷是否違反專利法第43條第2 項規
定,合先敘明。
(二)系爭專利申請案技術分析:
⒈系爭專利申請案技術內容:
系爭專利申請案
乃關於一種非金屬半導體量子點,其包含
一非金屬基材,且該非金屬半導體量子點的粒徑介於0.3
奈米至100 奈米之間。本發明另提供一種以非金屬半導體
量子點進行化學反應或光致發光反應的方法,藉由提供一
預設能量至該非金屬半導體量子點,使一目標樣品發生一
氧化還原反應或產生一活性物質,或者使該非金屬半導體
量子點產生電子電洞對,藉由該電子電洞對的結合而釋放
光子,以進行光致發光反應(參系爭專利申請案摘要,乙
證1 卷第99頁)。
⒉系爭專利申請案主要圖式:如附圖所示。
⒊系爭專利申請案專利範圍分析:
被告係以原告於108 年6 月19日提送申請專利範圍修正本
進行再審查審定,並作成請求項1 至17之修正超出申請時
說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍應不予專利的
處分。系爭專利申請案108 年6 月19日修正後之申請專利
範圍共17項,其中請求項1 為獨立項,其餘均為附屬項,
修正後之內容分別如下:
⑴請求項1:
一種以半導體量子點進行化學反應的方法,其包含步驟
如下:
①混合一目標樣品與一半導體量子點,其中該半導體量
子點包含一氧化石墨烯量子點,且該氧化石墨烯量子
點的粒徑介於2.6 奈米至5.4 奈米之間;以及
②提供一預設能量至該半導體量子點,使該半導體量子
點產生電子電洞對,且該電子電洞對使該目標樣品發
生一氧化還原反應;或者使該目標樣品或其周遭分子
產生一活性物質,且該活性物質使該目標樣品發生一
氧化還原反應。
⑵請求項2:
如申請專利範圍第1 項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中該半導體量子點,另包含一或多種摻
雜物。
⑶請求項3:
如申請專利範圍第2 項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中該摻雜物係選自第三族、第四族、第
五族、第六族元素以及具有空的d 軌域之過渡金屬元素
中的至少一種。
⑷請求項4:
如申請專利範圍第3 項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中該摻雜物為氧、氮、磷、硼、鐵、鈷
或鎳。
⑸請求項5:
如申請專利範圍第2 項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中該摻雜物的摻雜比例係大於0 且小於
50莫耳% 。
⑹請求項6:
如申請專利範圍第1 項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中該氧化石墨烯量子點之表面含有選自
氫原子、第五族原子以及第六族原子中之一種或多種官
能基。
⑺請求項7:
如申請專利範圍第6 項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中該第五族官能基為氨基、磷原子或磷
酸酯基。
⑻請求項8:
如申請專利範圍第6 項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中該第六族官能基為羥基、羰基、羧基
或醯基。
⑼請求項9:
如申請專利範圍第1 項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中在該步驟(2)中,該預設能量係以包
含雷射、汞燈、可見光、紫外光、紅外光、內視鏡光能
、X 光、超音波、外加電場、外加磁場、核磁共振或發
光二極體方式來提供。
⑽請求項10:
如申請專利範圍第1 項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中在該步驟(2)中,其中該氧化還原反
應包括分解該目標樣品、使該目標樣品聚合、使該目標
樣品活化或使該目標樣品去活化的反應。
⑾請求項11:
如申請專利範圍第10項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中該活性物質為一自由基或一過氧化物
。
⑿請求項12:
如請專利範圍第11項所述之以半導體量子點進行化學反
應的方法,其中該自由基為O2.或OH.;該過氧化物為
H2O2。
⒀請求項13:
如申請專利範圍第1 項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中該目標樣品為生物細胞、細菌、病毒
、寄生蟲、細胞分泌物、生物分子、有機化合物或無機
化合物。
⒁請求項14:
如申請專利範圍第13項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中該有機化合物為芳香性化合物、醇、
醛、酮、酸、胺、尿素或其聚合物。
⒂請求項15:
如申請專利範圍第13項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中該無機化合物為水分子、亞硝酸鹽、
硝酸鹽或氨。
⒃請求項16:
如申請專利範圍第13項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中該生物分子為胜肽、核酸、脂質、醣
類、維生素、激素或其聚合物。
⒄請求項17:
如申請專利範圍第13項所述之以半導體量子點進行化學
反應的方法,其中該細胞分泌物為細胞外囊泡或細胞外
基質。
(三)技術爭點分析:
⒈按「對於說明書、申請專利範圍或圖式修正之審查,係判
斷修正後之說明書、申請專利範圍或圖式內容是否符合『
不得超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範
圍』。申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍
,係指申請當日已明確記載(明顯呈現)於申請時說明書
、申請專利範圍或圖式(不包含優先權證明文件)中之全
部事項,或該發明所屬技術領域中具有通常知識者自申請
時說明書、申請專利範圍或圖式所記載事項能直接且無歧
異得知者,因此並不侷限於逐字逐句解釋申請時說明書、
申請專利範圍或圖式所記載之文字意思。該發明所屬技術
領域中具有通常知識者自申請時說明書、申請專利範圍或
圖式所記載事項能直接且無歧異得知者,係指該發明所屬
技術領域中具有通常知識者自申請時說明書、申請專利範
圍或圖式所記載之事項,若能明確得知(或不懷疑)其已
經單獨隱含或整體隱含修正後之說明書、申請專利範圍或
圖式所記載之固有的特定事項,而沒有隱含其他事項,則
該固有的特定事項(例如單一技術特徵、複數技術特徵、
功效或實施例等)係能直接且無歧異得知者。…
惟若申請
時說明書、申請專利範圍或圖式所記載之事項可能隱含數
個意義,即使修正後之事項雖屬於其中一個或某些個意義
,但由於該一個或某些個意義並非修正前所明確定義的特
定事項,則修正後所限定之事項不得認為係由申請時說明
書、申請專利範圍或圖式即能直接且無歧異得知者。修正
後之事項超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露
範圍者,包括非申請時說明書、申請專利範圍或圖式明確
記載之事項(例如相反的或增加的事項),以及該發明所
屬技術領域中具有通常知識者不能自申請時說明書、申請
專利範圍或圖式記載之事項直接且無歧異得知者,即可判
斷為引進了新事項。」(智慧局專利審查基準第二篇第六
章「2.超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之
範圍的判斷」
參照)。
⒉依原告108 年6 月19日提出申請專利範圍修正本與其申請
時(104 年9 月17日)之說明書、申請專利範圍或圖式比
較後可知,該申請專利範圍修正本係將原請求項1 改寫為
方法項,刪除請求項6 、10,並新增請求項9 至17,其中
修正後之請求項1 並將原請求項中非金屬半導體量子點(
包含氧化石墨烯量子點)粒徑範圍的技術特徵,由「介於
0.3 奈米至100 奈米之間」,重新界定為「介於2.6 奈米
至5.4 奈米之間」。
⒊關於系爭專利申請案請求項1 之
上開修正已超出申請時說
明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍:
⑴查系爭專利申請時說明書【0072】段僅揭示:「不同尺
寸氨-氮摻雜氧化石墨烯量子點」(即氧化石墨烯量子
點之下位概念)直徑為『10、16、26、54、61、79A』
(即為1 、1.6 、2.6 、5.4 、6.1 、7.9 奈米),在
可見光下呈現由淡黃色到紅棕色的顏色差異(如附圖之
第1b圖)」,因氧化石墨烯量子點可包含「無摻雜」或
「摻雜氨-氮」或「摻雜氨-氮以外元素」之氧化石墨
烯,故「氨-氮摻雜氧化石墨烯量子點」僅屬氧化石墨
烯量子點之下位概念,且
參酌附圖之第1b圖式所載粒徑
分別為「1 、1.6 、2.6 、5.4 、6.1 、7.9 奈米」,
與修正後重新界定為「介於2.6 奈米至5.4 奈米之間」
,粒徑範圍明顯不同。因此,原告所為修正已隱含原申
請時所無事項,該發明所屬技術領域中具有通常知識者
依申請時說明書、申請專利範圍或圖式,並無法直接且
無歧異得知其他氧化石墨烯量子點(如「無摻雜」或「
摻雜氨-氮以外」之氧化石墨烯)之粒徑,亦限定在前
述「介於2.6 奈米至5.4 奈米之間」粒徑範圍之中,尚
難逕將該下位概念之記載,上位概念化成為「(任何)
氧化石墨烯量子點的粒徑介於2.6 奈米至5.4 奈米之間
」的技術特徵。
⑵又依系爭專利申請案發明所屬技術領域之一般知識,不
同材料係於不同尺寸粒徑範圍內呈現量子特性,此為原
告於系爭專利申請案再審查階段107 年6 月8 日所提
申
復理由書第6 頁第9 至13段所闡述明確(乙證卷第183
頁背面)。據此益
可證,該發明所屬技術領域中具有通
常知識者並無法由「氨-氮摻雜氧化石墨烯」粒徑範圍
,直接且無歧異得知「其他氧化石墨烯量子點」粒徑範
圍,更
遑論將「氨-氮摻雜氧化石墨烯」產生量子特性
之粒徑範圍,
予以上位概念化為(任何)氧化石墨烯材
料量子特性之粒徑範圍(即為前述量子點之粒徑範圍)
。是以,系爭專利申請案經原告修正後請求項1 重新界
定之氧化石墨烯量子點粒徑範圍,已引進申請時未揭露
之新事項,而超出系爭專利申請案之說明書、申請專利
範圍或圖式所揭露之範圍。職是,原告主張修正後請求
項1 之「氧化石墨烯量子點的粒徑介於2.6 奈米至5.4
奈米之間」的技術內容,已揭示於申請時說明書及圖式
等等,並不可採。
⒋又系爭專利申請案請求項2 至17乃依附於請求項1 ,是亦
包含前述原告於修正時所引入之「新事項」(即粒徑範圍
介於2.6 奈米至5.4 奈米之間)。是以,原告對於系爭專
利申請案請求項1 至17之修正已超出申請時說明書、申請
專利範圍或圖式所揭露之範圍,即不符合專利法第43條第
2 項之規定。
(四)不採原告主張的理由:
⒈原告雖主張:系爭專利申請案係以相同主體材料-氧化石
墨烯所獲得的一系列氧化石墨烯量子點,經原告多次實驗
均可在所限定的粒徑範圍(2.6 奈米至5.4 奈米之間)內
展現其量子特性,並被使用於請求項1 之方法中,可以達
成說明書所稱之發明目的及功效而支持所請求之範圍,例
如系爭專利第lb圖及第7e圖(如附圖)可見,於所限定的
尺寸範圍內具有類似摻雜的氧化石墨烯可展示量子特性等
等。惟按,判斷一專利申請案之修正內容是否引進新事項
,係以該發明所屬技術領域中具有通常知識者是否可由申
請時說明書、申請專利範圍或圖式直接且無歧異得知該修
正內容為斷,已如前述,以避免申請人藉由修正增加申請
時未揭露之發明;至於修正後內容是否可為說明書或圖式
所支持,則非所問。準此,縱使系爭專利申請專利範圍修
正後之內容,仍可達成系爭專利說明書所稱之發明目的及
功效,亦僅能證明修正後之申請專利範圍能為系爭專利說
明書所支持,尚難認定該申請專利範圍之修正並未引進新
事項或未超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露
之範圍。
⒉原告另主張在前述實驗中篩分顆粒的目的,是將不同尺寸
範圍內的顆粒區分開來,因此可依照所想要的粒徑範圍來
主動選擇適合的過濾膜孔徑,在系爭專利申請時說明書之
多個實施例中,明確記載摻雜或未摻雜的氧化石墨烯量子
點製備及實驗過程,並以一系列不同孔徑大小(100KD 、
30KD、10KD、5 KD、3 KD、2 KD)聚醚膜(polyethers
ulfone membrane )的濃縮離心管在離心力的作用下,將
不同大小的氧化石墨烯量子點依照孔徑大小進行分離,獲
得不同粒徑大小的氧化石墨烯量子點(參系爭專利說明書
第【0053】、【0065】、【0070】等段落,乙證卷第21頁
、第22及23頁背面),該發明所屬技術領域的通常知識者
通過這樣的實驗描述,已可充分理解到「可以利用相同材
質過濾膜,以所需要的孔徑來獲得不同尺寸範圍的摻雜及
未摻雜的氧化石墨烯量子點」,故系爭案申請專利範圍修
正本所為之修正,係該發明所屬技術領域中具有通常知識
者能直接且無歧異得知等等。然查:
⑴前述系爭專利申請案說明書所載「100KD 、30KD、10KD
、5KD 、3 KD、2 KD」之KD,應是Kilo Dalton 的縮寫
,係指1000分子量截留值(即MWCO,參本院卷第201 頁
之原告簡報),而非原告所稱之過濾膜孔徑或氧化石墨
烯量子點粒徑,故不同組成之氧化石墨烯量子點(摻雜
或未摻雜)若經聚醚膜截留而具有相同或相近之KD值
,理當會因所含成分(元素原子量)之不同而使其分子
中所含元素數量有所差異,並導致其分子大小即粒徑不
盡相同。因此,該發明所屬技術領域中具有通常知識者
當知,無法僅因氧化石墨烯之主體材料相同,而認定系
爭專利申請案組成不同之所有氧化石墨烯量子點皆會具
有相同的粒徑尺寸或範圍。
⑵況且,縱使該等KD值可實質對應特定過濾膜孔徑,由於
系爭專利申請案說明書並未明確揭示該KD值與過濾膜孔
徑之對應關係,且該對應關係亦非相關技術領域之通常
知識,故該發明所屬技術領域中具有通常知識者尚難由
前述KD值或不明確之過濾膜孔徑範圍而明確得知系爭專
利說明書所載任何「氧化石墨烯量子點」的粒徑皆會介
於2.6 奈米至5.4 奈米之間,更
難謂能基於前述內容而
直接且無歧異得知系爭專利申請專利範圍修正本所為氧
化石墨烯量子點的粒徑係「介於2.6 奈米至5.4 奈米之
間」之修正內容,故該申請專利範圍之修正仍屬引進新
事項或已超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭
露之範圍。
⒊原告又主張在系爭專利申請案說明書之多個實施例中所使
用一系列不同100KD 、30KD、10KD、5 KD、3 KD、2 KD值
之聚醚膜濃縮離心管,將不同大小的氧化石墨烯量子點
依照孔徑大小進行分離,熟悉該項技術者依系爭專利說明
書及附圖之第1b圖與第7e圖內容可知該等KD值與特定尺寸
孔徑之對應關係,並可由此獲得修正後請求項1 所界定之
量子點粒徑範圍,即如原告所提簡報第6 頁所示之組合(
本院卷第177 頁);及以系爭專利申請案第1b圖與第7e圖
所示之不同成分氧化石墨烯量子點為例,其可包含如粒徑
1.0~7.9 奈米與5.0~8.0 奈米(參原告簡報第20頁之藍色
及紅色線段,本院卷第205 頁)等不同量子點材料,熟習
該項技術者自可得知氧化石墨烯量子點可具有如系爭專利
請求項1 所界定粒徑範圍之量子點材料,故原告就系爭案
申請專利範圍所為之修正係所屬技術領域中具有通常知識
者能直接且無歧異得知等等。然查:
⑴如前所述,依該發明所屬相關技術領域之通常知識,KD
值應係指經過濾處理後被截留粒子之分子量截留值(MW
CO),此觀原告109 年7 月1 日言詞辯論當庭所提簡報
第18頁亦呈現類似之內容(本院卷第201 頁),故該KD
值應非如原告所稱之過濾膜孔徑,亦難謂能與特定尺寸
孔徑產生對應關係;又於原告主張系爭專利說明書段落
【0039】、【0052】至【0053】、【0056】至【0065】
、【0067】至【0070】、【0072】、附圖之第1b圖與第
7e圖等記載中,僅段落【0039】、【0072】與第1b圖有
關於氧化石墨烯量子點與氨-氮摻雜氧化石墨烯量子點
等二種材料粒徑範圍之記載,並非如原告所稱前述說明
書之相關內容已記載如簡報第6 頁所述之多種組合粒徑
範圍(例如A1+C1+C2等,本院卷第177 頁) 。再者,由
於氧化石墨烯量子點與氨-氮摻雜氧化石墨烯量子點,
二者之粒徑範圍並不相同,亦
可佐證無法由摻雜某一成
分之氧化石墨烯量子點的粒徑範圍推知摻雜其他成分或
未經摻雜之氧化石墨烯量子點的粒徑範圍,遑論基於系
爭專利申請案實施例所示特定材料成分氧化石墨烯量子
點之粒徑範圍,而能直接且無歧異得知如系爭專利修正
後請求項1 所界定之任意成分氧化石墨烯量子點的特定
粒徑範圍。
⑵又由於原告所提簡報第20頁所示二種不同量子點材料會
呈現1.0~7.9 奈米(藍色線段) 、5.0~8.0 奈米(紅色
線段)之不同粒徑範圍,熟悉該項技術者更當會認知到
,尚難以由摻雜某一成分之氧化石墨烯量子點的粒徑範
圍推知摻雜其他成分或未經摻雜之氧化石墨烯量子點的
粒徑範圍,遑論能直接且無歧異得知如系爭專利申請案
修正後請求項1 所界定之任意成分氧化石墨烯量子點的
特定粒徑範圍,故原告以簡報第20頁內容之主張,難以
證明系爭專利申請案修正後請求項1 所界定之任意成分
氧化石墨烯量子點特定粒徑範圍,係基於其申請時說明
書、申請專利範圍或圖式所記載內容而能直接且無歧異
得知。
⑶基此,原告
前揭主張並不足以
佐證系爭專利申請案之申
請專利範圍修正內容未引進新事項,且如前述,該修正
已超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範
圍,故原告前揭主張為無理由,並無足採。
六、
綜上所述,原告就系爭專利申請案108 年6 月19日申請專利
範圍所為之修正,並不符合現行專利法第43條第2 項之規定
,被告依同法第46條第1 項規定不予專利之處分,尚無不合
,訴願決定予以維持,亦無違誤。從而,原告仍執前詞,訴
請撤銷原處分及訴願決定,並命被告作成准予專利之處分,
為無理由,應予駁回。
七、本件判決基礎已經明確,當事人其餘的
攻擊防禦方法及訴訟
資料經本院斟酌後,核與判決結果不生影響,並無一一論述
的必要,一併說明。
八、結論:本件原告之訴為無理由,應予駁回。依智慧財產案件
審理法第1 條,行政訴訟法第98條第1 項前段,判決如主文
。
中 華 民 國 109 年 8 月 5 日
智慧財產法院第三庭
審判長法 官 蔡惠如
法 官 伍偉華
法 官 吳俊龍
以上正本係照原本作成。
如不服本判決,應於
送達後20日內,向本院提出
上訴狀並表明上
訴理由,其未表明上訴理由者,應於提起上訴後20日內向本院補
提上訴理由書;如於本判決宣示後送達前提起上訴者,應於判決
送達後20日內補提上訴理由書(均須按
他造人數附
繕本)。
上訴時應委任
律師為訴訟代理人,並提出
委任書(行政訴訟法第
241 條之1 第1 項前段),但符合下列情形者,得例外不委任律
師為訴訟代理人(同條第1 項但書、第2 項)。
┌─────────┬────────────────┐
│得不委任律師為訴訟│ 所 需 要 件 │
│代理人之情形 │ │
├─────────┼────────────────┤
│㈠符合右列情形之一│1.上訴人或其法定代理人具備律師資│
│ 者,得不委任律師│ 格或為教育部審定合格之大學或獨│
│ 為訴訟代理人 │ 立學院公法學教授、副教授者。 │
│ │2.
稅務行政事件,上訴人或其法定代│
│ │ 理人具備會計師資格者。 │
│ │3.
專利行政事件,上訴人或其法定代│
│ │ 理人具備專利師資格或依法得為專│
│ │ 利代理人者。 │
├─────────┼────────────────┤
│㈡非律師具有右列情│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、│
│ 形之一,經最高行│ 二親等內之姻親具備律師資格者。│
│ 政法院認為適當者│2.稅務行政事件,具備會計師資格者│
│ ,亦得為上訴審 │ 。 │
│ 訴訟代理人 │3.專利行政事件,具備專利師資格或│
│ │ 依法得為專利代理人者。 │
│ │4.上訴人為
公法人、中央或地方機關│
│ │ 、公法上之非法人團體時,其所屬│
│ │ 專任人員辦理法制、法務、訴願業│
│ │ 務或與訴訟事件相關業務者。 │
├─────────┴────────────────┤
│是否符合㈠、㈡之情形,而得為
強制律師代理之例外,上訴│
│人應於提起上訴或委任時釋明之,並提出㈡所示關係之釋明│
│文書影本及委任書。 │
└──────────────────────────┘
中 華 民 國 109 年 8 月 5 日
書記官 謝金宏