智慧財產法院民事判決
106年度民專訴字第100號
原 告 楊秋忠
訴訟
代理人 藺超群
律師（兼
送達代收人）
輔 佐 人 林明璇
被 告 立吉科技有限公司
兼
法 定
代 理 人 陳慧珊
共 同
訴訟代理人 吳尚昆律師
被 告 覆晶光電有限公司
兼 法 定
代 理 人 韓昌洙
輔 佐 人 張仲琦
林洋森
吳信聰
共 同
訴訟代理人 范國華律師
郭凌豪律師
朱崇佑律師
上列
當事人間排除侵害專利權等事件，本院於107 年7 月16日
言
詞辯論終結，判決如下：
主 文
原告之訴及
假執行之
聲請均
駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序事項
一、
按原告於訴狀送達後，不得將原訴變更或追加他訴，但被
告同意者，不在此限，民事訴訟法第255 條第1 項第1 款
定有明文。查原告起訴時原以立吉科技有限公司（下稱：
立吉公司）及其法定代理人陳慧珊為被告提起
本件訴訟，
其起訴時
訴之聲明第1 、3 項為：「一、被告不得為販賣
之要約、販賣、使用或為上述目的而製造、進口、侵害中
華民國I281271 號『未經封裝製程即可使用之LED 製造方
法及結構』發明專利（下稱：
系爭專利1 ）及I285968 號
『具高效率散熱及亮度之晶片』發明專利（下稱：系爭專
利2 ）之物品及其他侵害系爭專利權之行為。三、被告應
給付原告新臺幣（下同）50萬元及自
起訴狀繕本送達
翌日
起
迄清償日止，按週年利率百分之5 計算之利息。」（見
本院卷1 第4 頁）。
嗣於本院
準備程序期日前，具狀變更
訴之聲明第1 項為：「被告不得為販賣之要約、販賣、使
用或為上述目的而製造、進口、侵害系爭專利1 、系爭專
利2 、I429103 號『覆晶發光二極體晶粒及其晶粒陣列』
發明專利（下稱：系爭專利3 ）及其他侵害系爭專利權之
行為。」（見本院卷1 第176 頁）。
復於本院審理中，以
「覆晶光電有限公司」（下稱：覆晶公司）製造、販賣「
60 -600W LED光源」之LED 晶片零件（下稱：系爭產品1
）予被告立吉公司進行「60-600W LED 天井燈、投射燈」
產品（下稱：系爭產品2 ）之組裝及販賣，覆晶公司
乃共
同侵權行為人為由，具狀追加覆晶公司及其法定代理人韓
昌洙為被告（見本院卷1 第251 頁）。核原告
前揭訴之追
加，均經被告同意在卷（見本院卷1 第230 頁、本院卷3
第192 頁），
核無不合，應予准許。
二、次按不變更
訴訟標的，而補充或更正事實上或
法律上之陳
述者，
非為訴之變更或追加，民事訴訟法第256 條亦定有
明文。查原告於本院審理中具狀更正訴之聲明第3 項為「
被告應
連帶給付原告50萬元及自起訴狀繕本送達翌日起迄
清償日止，按週年利率百分之5 計算之利息」（見本院卷2
第271 頁背面），核原告前開訴之聲明第3 項之更正，僅
係補充「連帶」請求，未變更訴訟標的，非為訴之變更或
追加，亦應准許。
貳、實體事項
一、原告起訴主張：
（一）原告為系爭專利1 、2 、3 （以下合稱：系爭專利）之
專利權人，
詎被告立吉公司未經原告同意或授權，製造
、販賣系爭產品2 ，而系爭產品2 之LED 晶片零件（即
系爭產品1 ），則係由被告覆晶公司製造並販賣被告立
吉公司，經原告取得系爭產品2 進行比對分析結果，系
爭產品2 已落入系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 之文
義及均等範圍、系爭專利2 請求項1 及系爭專利3 請求
項1 之文義範圍。又系爭專利並無得撤銷之事由，而被
告立吉公司於製造系爭產品2 前，早已自原告取得系爭
專利之相關資料，且收受通知停止侵權之律師函後，仍
繼續製造、販賣系爭產品2 ，
可證明被告立吉公司屬故
意侵害系爭專利之專利權，再者，被告覆晶公司為一專
業LED 晶片製造商，亦應對系爭專利具有相當知識及經
驗，其製造、販賣系爭產品1 予被告立吉公司進行系爭
產品2 之組裝及販賣，則系爭產品1 亦已侵害系爭專利
之專利權，應與被告立吉公司就侵害系爭專利負
共同侵
權行為人責任，另被告陳慧珊為被告立吉公司之負責人
，被告韓昌洙為被告覆晶公司之負責人，依公司法第23
條第2 項之規定，被告陳慧珊與被告韓昌洙就被告立吉
公司和被告覆晶公司因執行業務而為之侵權行為，自應
連帶負擔賠償責任。
爰依專利法第96條第1 、2 、3 項
、第97條，
民法第185 條第1 項前段及公司法第23條第
2 項等規定，提起本件訴訟。
（二）聲明：
1.被告不得為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而
製造、進口、侵害系爭專利之物品及其他侵害系爭專
利之行為。
2.被告立吉公司應將系爭產品2 全數回收並銷毀或為其
他必要之處置。
3.被告應連帶給付原告50萬元及自起訴狀繕本送達翌日
起迄清償日止，按週年利率百分之5 計算之利息。
4.第三項請求部分，原告願供
擔保，請准宣告假執行。
二、被告
抗辯：
（一）系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 欠缺產業利用性，且
說明書未充分揭露；系爭專利2 請求項1 記載不明確，
且不具新穎性及進步性；系爭專利3 請求項1 亦不具新
穎性及進步性，均有應撤銷之原因，又系爭產品1 、2
並未落入系爭專利前揭請求項之權利範圍，再者，原告
迄未就被告有何故意或過失侵害系爭專利權提出任何證
據，且未舉證證明被告因其侵權行為所得利益之金額為
何，是原告提起本件訴訟為無理由。
（二）答辯聲明：
1.原告之訴及假執行之聲請均駁回。
2.如受不利益判決，願供擔保請准免予假執行。
三、
兩造不爭執事項（見本院卷3 第194 頁）：
（一）原告為系爭專利之專利權人。
（二）被告覆晶公司製造、販賣系爭產品1。
（三）被告立吉公司向被告覆晶公司購得系爭產品1 後，製造
、販賣系爭產品2 。
（四）被告韓昌洙為被告覆晶公司之法定代理人。
（五）被告陳慧珊為被告立吉公司之法定代理人。
四、本件經依民事訴訟法第271 條之1
準用同法第270 條之1
第1 項第3 款、第3 項規定，整理並協議簡化爭點如下（
見本院卷4第266頁）：
（一）專利侵權部分：
1.系爭產品1 、2 是否落入系爭專利1 請求項3 、5 、
6 、8 之專利權範圍？
2.系爭產品1 、2 是否落入系爭專利2 請求項1 之專利
權範圍？
3.系爭產品1 、2 是否落入系爭專利3 請求項1 之專利
權範圍？
（二）系爭專利有效性：「按被告立吉公司具狀陳稱引用被告
覆晶公司提出之系爭專利無效抗辯（見本院卷5 第122
頁），故此部分僅
臚列被告覆晶公司抗辯之無效原因」
。
1.被告覆晶公司抗辯：
⑴系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 是否欠缺產業利
用性？
⑵系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 是否違反核准時
專利法第26條第2 項之規定？
⑶被證1-2 是否可以證明系爭專利1 請求項3 、6 不
具新穎性？
⑷被證1-2 或被證1-3 或被證1-4 ；被證1-2 及被證
1-3 之組合，是否可以證明系爭專利1 請求項3 、
5 、6 、8 不具進步性？
⑸系爭專利2 請求項1 是否違反核准時專利法第26條
第3 項之規定？
⑹被證2-2 、被證2-4 、被證2-5 或被證2-6 ，是否
可以證明系爭專利2 請求項1 不具新穎性？
⑺被證2-2 及被證2-3 之組合；被證2-3 及被證2-4
之組合；被證2-2 、被證2-3 、被證2-4 及被證2-
5 之組合；被證2-6 ，是否可以證明系爭專利2 請
求項1 不具進步性？
⑻被證3-2 是否可以證明系爭專利3 請求項1 不具新
穎性、進步性？
（三）被告覆晶公司製造、販賣系爭產品1 ；被告立吉公司製
造、販賣系爭產品2 ，是否有侵害系爭專利之故意或過
失？
損害賠償額應如何計算？
（四）原告請求被告立吉公司、被告覆晶公司如訴之聲明第1
項所示排除侵害請求，是否有據？
（五）原告請求被告立吉公司如訴之聲明第2 項所示銷燬請求
，是否有據？
五、兩造之爭點及論斷：
（一）按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因
者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不
適用
民事訴訟法、行政訴訟法、商標法、專利法、植物品種
及種苗法或其他法律有關停止訴訟程序之規定。前項情
形，法院認為有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於
該民事訴訟中不得對於
他造主張權利，智慧財產案件審
理法第16條定有明文。查系爭專利1 請求項共計8 項，
其中請求項1 、3 、6 為獨立項，其餘均為附屬項；系
爭專利2 請求項共計1 項，為獨立項；系爭專利3 請求
項共計10項，其中請求項1 、10為獨立項，其餘均為附
屬項，又原告起訴主張系爭產品1 、2 侵害系爭專利1
請求項3 、5 、6 、8 ；系爭專利2 請求項1 ；系爭專
利3 請求項1 ，被告則抗辯
上開系爭專利請求項之權利
範圍，有應撤銷事由（見本院卷4 第266 頁），是本院
僅就被告所抗辯之上開系爭專利請求項之權利範圍，有
無得撤銷之事由自為判斷。再者，系爭專利先後由經濟
部智慧財產局（下稱：智慧局）於96年3 月21日、同年
6 月22日、103 年1 月20日審定核准專利，此經本院
依
職權函調系爭專利之申請卷及舉發卷查明屬實，且有系
爭專利公告本3 件在卷
可稽（見系爭專利1 申請卷1 第
36頁、申請卷2 第251 頁；系爭專利2 申請卷第32、19
9 頁；系爭專利3 申請卷第3 、114 頁），職是，上開
系爭專利1 、2 請求項是否有應撤銷之原因，應以核准
審定時即92年2 月6 日修正公布、93年7 月1 日施行之
專利法（下稱：修正前92年專利法）為斷，系爭專利3
請求項1 是否有應撤銷之原因，應以核准審定時即102
年6 月11日施行之專利法（下稱：修正前102 年專利法
）為斷，先予敘明。
（二）按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業
上利用者，得依法申請取得發明專利。
惟發明為其所屬
技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕
易完成時，不得依法申請取得發明專利，系爭專利核准
時之專利法第21條、第22條第4 項分別定有明文。此即
發明專利須具備進步性之規定。關於申請專利之發明是
否具有進步性，實務上係依下列步驟進行判斷：1.確定
申請專利之發明的範圍；2.確定相關先前技術所揭露之
內容；3.確定該發明所屬技術領域中具有通常知識者之
技術水準；4.確認該發明與相關先前技術所揭露之內容
間的差異；5.該發明所屬技術領域中具有通常知識者
參
酌相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識，是
否能輕易完成申請專利之發明。一般而言，與發明相關
之先前技術內容，包括：發明所記載之先前技術或舉發
證據資料等，均得作為確定上開技術水準之客觀證據。
至於如何在個案中客觀確定該發明所屬技術領域中具有
通常知識者之技術水準，必須依據個案之具體證據作為
基礎進行論證。此外，由於判斷專利有無進步性之相關
事實，往往涉及專門知識，而專利權人、舉發人或其等
訴訟代理人、專利專責機關之代理人等，多係具有發明
所屬技術領域之相關知識或技能者，
是以當事人就「具
有通常知識者」及其於申請日之技術水準之認定加以爭
執時，自應提出證據加以證明，並具體指明該事實涵攝
於個案之先前技術組合後，對於進步性之決定究有何影
響。如當事人已於事實審就系爭專利與舉發證據所揭露
之內容間有何差異，參酌相關先前技術所揭露之內容及
申請時之通常知識，是否能輕易完成申請專利之發明加
以辯論，應認當事人已就該發明所屬技術領域中具有通
常知識者及其於申請日之技術水準進行辯論（最高行政
法院106 年度判字第651 號判決意旨
參照）。
（三）系爭專利之技術分析：
1.系爭專利1：
⑴系爭專利1 之技術內容（主要圖式，如附圖1 ）：
系爭專利1 為一種未經封裝製程即可使用之LED 製
造方法及結構，尤指一種將未封裝LED 晶片、無需
透過封裝基板直接連接於印刷電路板之LED 裝置及
製作方法，其係將未封裝之LED 晶片直接連結、導
通、固定在印刷電路板上，印刷電路板並預設有電
路，該印刷電路板不包括半導體封裝用之基板，據
此達成免封裝LED 即可使用，並具散熱佳、成本低
、高壽命及高發光率之多重功效者（參系爭專利1
發明摘要，見本院卷1 第54頁）。
⑵系爭專利1 請求項3 、6 之更正申請為合法：
①民事法院得自為更正再抗辯之合法性判斷：
原告主張被告製造、販賣之系爭產品1 、2 侵
害上開系爭專利請求項之權利範圍，而提起本
件訴訟，被告於訴訟過程中抗辯上開系爭專利
請求項之權利範圍具有應撤銷之原因，已如前
述，又原告於107 年1 月12日於系爭專利1 另
案舉發程序審查中提出更正之申請，其更正內
容為：「A ：請求項1 、3 、6 中加入『其中
該連結、導通、固定得採錫膏或導電膠，直接
用傳統錫爐或特製設備焊接』之技術特徵；B
：刪除原請求項2 、4 、7 。」，有智慧局函
文、專利更正申請書各1 件在卷
可參（見本院
卷1 第208-212 頁），且原告於本院準備程序
亦主張依系爭專利1 於107 年1 月12日之更
正
本主張權利等語（見本院卷1 第230 頁），則
原告原起訴主張之系爭專利1 請求項3 、5 、
6 、8 之權利範圍，因107 年1 月12日更正申
請之合法
與否，將變更系爭專利1 請求項3 、
6 之權利範圍，然系爭專利1 於107 年1 月12
日之更正案，迄至本件
言詞辯論終結前，智慧
局仍未作成更正之審定，準此，在專利民事侵
權訴訟進行中，被告即侵權人為專利無效之抗
辯，原告即專利權人則為專利更正之再抗辯，
並向智慧局申請更正，在智慧局未為更正審定
前，民事法院可否自為判斷更正案應否准許，
而逕依判斷結果之申請專利範圍為審理對象？
即有先行論究之必要。
在民事專利侵害訴訟，被告抗辯專利權有應撤
銷之原因（無效抗辯），原告為解消（排除）
無效事由，維護其專利之有效性，除積極舉證
反駁外，最主要
防禦方法（對抗手段），即藉
由更正系爭專利之申請專利範圍推翻無效抗辯
事由，以確保專利權之行使，此即為日本實務
及學理所通稱之「更正再抗辯」、「對抗主張
」。我國關於更正再抗辯之規定，即智慧財產
案件審理細則第32條：「關於專利權侵害之民
事訴訟，當事人主張或抗辯專利權有應撤銷之
原因，且專利權人已向智慧財產專責機關申請
更正專利範圍者，除其更正之申請顯然不應被
准許，或依准許更正後之請求範圍，不構成權
利之侵害等，得即為
本案審理
裁判之情形外，
應斟酌其更正程序之進行程度，並徵詢兩造之
意見後，指定適當之期日。」。然依條文
所稱
：「且專利權人已向智慧財產專責機關申請更
正專利範圍者，除其更正之申請顯然不應被准
許」，對於更正之申請是否只要符合新專利法
第67條之更正要件，即非顯然不應被准許而具
備合法性？又「應斟酌其更正程序之進行程度
，並徵詢兩造之意見後，指定適當之期日」，
似認為除有「更正之申請顯然不應被准許，或
依准許更正後之請求範圍，不構成權利之侵害
等」之例外情形外，原則上，法院仍應等候智
慧局之更正審定結果，再為本案審理裁判，如
此一來，法院即不具有自為更正合法性之判斷
權限，一旦原告對於被告之無效抗辯提出更正
再抗辯，恐將拖延訴訟審理之時程，導致審理
細則第32條規定違反審理法第16條承認法院得
自為專利有效性判斷之訴訟經濟、審理迅速化
立法目的，自非妥適。
又觀之審理細則第32條之立法理由謂：「當事
人提起專利權侵害民事訴訟，法院須判斷侵害
專利權之
標的物是否屬於專利權之權利範圍，
以判斷有無侵害之事實，如當事人主張或抗辯
專利權有撤銷之原因，而專利權人已向智慧財
產專責機關申請更正，則是否有侵害專利權範
圍，須待智慧財產專責機關審核後，始能判定
。因之，受理之法院應斟酌其更正程序進行程
度及兩造意見後，指定適當期日。但如更正申
請顯然不能被准許，或依准許更正後之申請範
圍，不構成專利權侵害，則受理之法院可無須
斟酌而即為本案裁判，爰訂定本條規定。」，
可知，審理細則第32條規定，旨在規範民事法
院於專利權人為更正再抗辯時，法院應斟酌其
更正程序進行程度及兩造意見後，指定適當期
日而為本案審理，並無限制法院僅於「更正申
請顯然不能被准許」，「或依准許更正後之申
請範圍，不構成專利權侵害」之情形下，始可
為本案裁判，亦無限制法院不得自為判斷更正
再抗辯之合法性，蓋以，所謂「更正申請顯然
不能被准許」，顯然即屬賦予法院自為判斷更
正申請之合法性甚明。學者亦主張：「學理上
來說，智慧財產法院連是否有效都可以判斷了
，更正居然不能自為判斷，
舉重以明輕，應該
讓智慧財產法院也可以判斷。」（100 年度第
5 次智慧財產實務案例評析座談會議紀錄第36
頁（謝銘洋教授發言），2011年7 月8 日）。
審理細則第32條雖為更正再抗辯之原則性規定
，然關於更正再抗辯之合法性要件規定，卻付
之闕如，本院基於衡平理念、訴訟經濟、審理
迅速化及避免專利權
人權利濫用等理念考量，
並參酌智慧財產案件審理法（含審理細則）立
法時所參考之日本法制，從比較法觀點，歸納
專利權人提出更正再抗辯之合法性，至少必須
完全具備下述3 項要件：（A ）提出合法的更
正申請「包含單獨申請更正（訂正審判）或併
於舉發程序提出之更正申請（訂正請求）」；
（B ）根據該更正結果，將解消被告抗辯的無
效事由；（C ）被控侵權產品、方法，落入更
正後的專利請求項之技術範圍內。所需說明者
，在前揭（A ）要件，由於智慧局頒佈專利審
查基準第二篇第五章舉發基準第5-1-12頁3.4.
1 更正與舉發合併審查之處理程序：「（5 ）
舉發案於行政救濟
期間，因原處分審定結果對
舉發成立之請求項有撤銷專利權之
拘束力，故
專利權人所提更正，僅得就原處分中審定舉發
不成立之請求項為之。由於更正須就申請專利
範圍整體為之，更正內容如涉及原處分中審定
舉發成立之請求項者，即應不受理其更正申請
；於設計專利，因係全案審定，故原處分審定
舉發成立者，不受理其更正申請」，是以，依
智慧局審查實務，對於專利舉發成立之請求項
，在行政救濟程序中，專利權人將無從申請更
正，如此一來，專利權人在民事侵權訴訟程序
中，因專利請求項經舉發成立而於行政訴訟救
濟程序中，其如欲於民事侵權訴訟程序提出更
正再抗辯，將因智慧局不受理其更正之申請而
無從符合上開（A ）要件，
易言之，主張更正
再抗辯時，確實提出適法之更正，在訴訟上乃
屬必要，但是，在上開所舉例外情形，專利權
人即使想提出更正申請，卻於現實上有所困難
時，從公平的觀點，則應本於個別情事原則之
理念，個別考量其情形，來決定是否有必要提
出更正程序，
附此敘明。
②系爭專利1 請求項3 、6 之更正合法：
原告於107 年1 月12日就系爭專利1 向智慧局申
請更正，其更正內容為: ⑴請求項1 、3 、6 中
加入「其中該連結、導通、固定得採錫膏或導電
膠，直接用傳統錫爐或特製設備焊接」之技術特
徵；⑵刪除原請求項2 、4 、7 ，已如前述。查
請求項1 、3 、6 中所加入之技術特徵係對於請
求項1 、3 之步驟c 「直接將P 、N 電極連結、
導通、固定於電路基板」及請求項6 中「電路上
乃以連結、導通、固定一個以上之LED 晶片之P
、N 電極」之「連結、導通、固定」之方式作進
一步限縮，且加入之內容為原請求項2 、4 、7
之部分內容（原請求項2 、4 、7 之技術特徵為
「其中該連結、導通、固定得採錫膏、導電膠、
金球、錫球、銀球等，直接用傳統錫爐或特製設
備焊接」，更正後所加入之技術特徵係原請求項
2 、4 、7 之內容刪除金球、錫球、銀球之技術
特徵），其更正為申請專利範圍減縮之更正，且
更正所加入之內容並未超出申請時說明書、申請
專利範圍或圖式所揭露之範圍，且更正前後均能
達成因LED 未經封裝即完成其製法（結構），製
程簡易快速成本低及發光率高、高壽命之多重功
效，且LED 晶片間得以緊靠，並因減少印刷電路
板空間，得以更能節省空間或得裝設更多之LED
晶片功效，故未實質變更公告時申請專利範圍。
此外，刪除請求項2 、4 、7 屬於請求項之刪除
之更正。準此，系爭專利1 於107 年1 月12日之
更正內容，符合專利法第67條第1 項第1 、2 款
及第2 、4 項之規定，應可准予。
③原告上開系爭專利1 於107 年1 月12日之更正更
正聲請為合法，業如上述，則本件關於系爭專利
1 請求項3 、5 、6 、8 之有效性與系爭產品1
、2 有無落入系爭專利1 請求項3-8 （即更正後
之請求項3 、5 、6 、8 ）之文義及均等範圍等
判斷，即應依系爭專利1 請求項5 、8 及107 年
1 月12日系爭專利1 更正後請求項3 、6 之技術
內容進行比對，
合先敘明。
⑶系爭專利1請求項分析：
系爭專利1 申請專利範圍共8 項，其中第1 、3 、
6 項為獨立項，其餘均為附屬項。又原告主張系爭
產品1 、2 落入系爭專利1 請求項5 、8 及更正後
請求項3 、6 之文義及均等範圍，被告除抗辯系爭
產品未侵害前揭系爭專利1 請求項之權利範圍外，
並抗辯前揭系爭專利1 請求項有應撤銷之事由，故
以下僅依兩造所爭執之請求項5 、8 及更正後請求
項3 、6 為技術分析：
請求項3 ：一種未經封裝製程即可使用之LED 製造
方法，尤指一種將未封裝LED 晶片、無
需透過封裝基板直接連接於印刷電路板
之LED 製作方法，其LED 之製造方法為
：a . 印刷電路板上製設電路，該印刷
電路板不包括半導體封裝用之基板；b.
複數LED 晶片置於印刷電路板上，並P
、N 電極對齊印刷電路板上對應之電路
；c . 直接將P 、N 電極連結、導通、
固定於印刷電路板；據此完成不須封裝
之LED 之製造。其中該連結、導通、固
定得採錫膏、導電膠，直接用傳統錫爐
或特製設備焊接。
請求項5 ：依據申請專利範圍第3 項所述之未經封
裝製程即可使用之LED 製造方法，其中
該複數免封裝LED 晶片連結、導通、固
定之於印刷電路板，得利用串並聯之連
結方式作多片LED 晶片之連結、導通、
固定，並藉LED 晶片間得以緊靠，且減
少小印刷電路板空間。
請求項6 ：一種未經封裝製程即可使用之LED 結構
，尤指一種將未封裝LED 晶片、無需透
過封裝基板直接連接於印刷電路板之LE
D 裝置，其結構係為：一印刷電路板上
預設有電路，該印刷電路板不包括半導
體封裝用之基板，電路上乃以連結、導
通、固定一個以上之LED 晶片之P 、N
電極；其中該連結、導通、固定得採錫
膏、導電膠，直接用傳統錫爐或特製設
備焊接。
請求項8 ：依據申請專利範圍第6 項所述之未經封
裝製程即可使用之LED 結構，其中該複
數免封裝LED 晶片連結、導通、固定之
於印刷電路板，得利用串並聯之連結方
式作多片LED 晶片之連結、導通、固定
，並藉LED 晶片間得以緊靠，且減少電
路印刷電路板空間。
2.系爭專利2：
⑴系爭專利2 之技術內容（主要圖式，如附圖2 ）：
系爭專利2 為一種具高效率散熱及亮度之晶片，係
於製成晶片之蝕刻時，得以減少蝕刻發光層面積，
保留較大面積發光層發光，而其P 、N 電極處得再
舖設一層大面積之P 、N 電極導電層，達到增加發
光面及反光面，提高散熱效率，無須封裝就具有SM
D 跟覆晶LED 的功能得以減少封裝成本者（參系爭
專利2 發明摘要，見本院卷1 第77頁）。
⑵系爭專利2請求項分析：
系爭專利2 申請專利範圍共1 項，係為獨立項，其
內容為：
請求項1 ：一種具高效率散熱及亮度之晶片，其特
徵在於：該晶片P 、N 電極處各增設一
層與其連結之大面積導電（導熱）層；
藉由其結構組成，達到減少被蝕刻發光
層面積、增加亮度，大面積具高效率散
熱及增其反光面效果，無須封裝就具有
SMD 及覆晶LED 之功能，並減少封裝成
本者。
3.系爭專利3：
⑴系爭專利3 之技術內容（主要圖式，如附圖3 ）：
系爭專利3 揭示內容揭露一種覆晶發光二極體晶粒
，包括一第一型摻雜半導體層、一第二型摻雜半導
體層、一第一電極層、一第二電極層及一絕緣層。
第二型摻雜半導體層鋪設於第一型摻雜半導體層之
底面，第一電極層鋪設於第一型摻雜半導體層之底
面且不接觸第二型摻雜半導體層，而且具有一裸露
面積以供直接塗佈一導電接合劑。第二電極層鋪設
於第二型摻雜半導體層之底面，且具有一裸露面積
以供直接塗佈導電接合劑。絕緣層則位於第一電極
層與第二電極層間，以電性隔離且支撐第一電極層
與第二電極層（參系爭專利3 發明摘要，見本院卷
2第188頁）。
⑵系爭專利3請求項分析：
系爭專利3 申請專利範圍共10項，其中第1 、10項
為獨立項，其餘均為附屬項。又原告主張系爭產品
1 、2 落入系爭專利3 請求項1 之文義範圍，被告
除抗辯系爭產品1 、2 未侵害前揭系爭專利3 請求
項1之權利範圍外，並抗辯前揭系爭專利3 請求項1
有應撤銷之事由，故下述僅依兩造所爭執之系爭專
利3 請求項1 為技術分析：
請求項1 ：一種未經封裝即可使用之覆晶發光二極
體晶粒，包括：一第一型摻雜半導體層
；一第二型摻雜半導體層，鋪設於該第
一型摻雜半導體層之底面；一第一電極
層，係鋪設於第一型摻雜半導體層之底
面且不接觸該第二型摻雜半導體層，且
具有一裸露面積以供直接塗佈一導電接
合劑；一第二電極層，係鋪設於第二型
摻雜半導體層之底面，且具有一裸露面
積以供直接塗佈該導電接合劑；一絕緣
層，位於該第一電極層與該第二電極層
間，以電性隔離且支撐該第一電極層與
該第二電極層；以及一防護層，該防護
層由絕緣材料製成，該防護層披覆於該
覆晶發光二極體晶粒上除了該覆晶發光
二極體晶粒頂面、該第一電極層裸露面
、該第二電極層裸露面及該絕緣層底面
之外所有的表面；其中該第一電極層裸
露面、該第二電極層裸露面及該絕緣層
底面系由該覆晶發光二極體晶粒底面向
上觀視之方向所言。
（四）系爭產品1、2之技術內容：
1.系爭產品為被告覆晶公司製造、販賣「60-600W LED
光源」（系爭產品1 ），及被告立吉公司向被告覆晶
光電購得「60-600 W LED光源」後，製造、販賣之「
60 -600W LED天井燈、投射燈」（系爭產品2 ）。又
原告於106 年10月31日提出原證6 專利侵害比對分析
報告，內含系爭產品2 之外觀照片（見本院卷1 第45
頁）。被告覆晶公司則於107 年4 月9 日提出被證5
專利侵權比對研究報告，內含1 電路基板之照片及系
爭產品2 之內部結構圖（見本院卷3 第223 頁背面）
，此為兩造所不爭執，可據為本件侵權比對基礎。
2.系爭產品2 （主要圖式，如附圖4 ）拆解其內部具有
一電路基板，該電路基板之外表面上設有複數個LED
連接線路，當複數個LED 晶片（系爭產品1 ）固定於
LED 固晶區，將形成LED 陣列，而電路基板上設有一
黃色封裝層，封裝層不僅可包覆LED 晶片及部分電路
基板，也可以在封裝層內設有螢光粉等光色轉換物質
。由被告所提之系爭產品2 之LED 結構圖顯示（參見
下圖，摘自被證5 第9 頁），系爭產品2 中之LED 晶
片結構係在一藍寶石基板上設有氮化鎵磊晶層，形成
一具有發光層的平面型PN接面發光二極體（平面型
LED ）。於平面型LED 的P- GaN區及N-GaN 區上依序
設有第一延伸電極（1st pad ）及第二延伸電極（
2nd pad ），且在第二延伸電極上再設有一P 型黏著
電極（P-bonding pad ）及一N 型黏著電極（N-
bonding pad ），於GaN 磊晶層上表面、第一延伸電
極周邊及第二延伸電極底層之間設有一分佈式布拉格
反射件（DBR ），而在第二延伸電極與P 型黏著電極
、N 型黏著電極之間設有一鈍化層。經由P 型黏著電
極及N 型黏著電極而讓LED 晶片固定於LED 固晶區。
（五）被告抗辯系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 、系爭專利
2 請求項1 、系爭專利3 請求項1 有得撤銷之事由，其
提出之證據資料為被證1-2 、被證1-3 、被證1-4 、被
證2-2 、被證2-3 （同被證1-3 ）、被證2-4 、被證2
-5、被證2-6 、被證3-2 及其證據組合。茲就上開證據
之技術內容分析如下：
1.被證1-2（主要圖式，如附圖5）：
⑴被證1-2 為93年9 月16日公開之我國第000000000
號「光半導體裸晶、印刷電路板、照明單元及照明
裝置」專利案，其公告日早於系爭專利1 申請日（
93年10月29日），可為系爭專利1 之先前技術。
⑵被證1-2 係以提供能牢固地接合LED 晶片且能提昇
製成率之LED 晶片安裝用之配線板為目的而完成的
發明。本發明之印刷電路板2 將對向配置之圖案81
、85之該對向領域中的間隔D 設成距離配置在設計
上位置時之LED 晶片14之中心（點G ）近的部分最
窄，隨著遠離點G 而變寬。又，該變寬之部分之配
線圖案81、85之圖案邊緣83、87隨著遠離點G 而相
對於前述LED 晶片14之電極邊緣148 、149 ，形成
朝向前述間隔變寬方向間離而去的形狀（參被證1
-2之摘要，見本院卷2第41頁）。
2.被證1-3 （即被證2-3 ，主要圖式，如附圖6 ）：
⑴被證1-3 （即被證2-3 ）為93年6 月21日公告之我
國第595015號「裸晶式發光二極體」專利案，其公
告日早於系爭專利1 申請日（93年10月29日）及系
爭專利2 申請日（93年12月1 日），可為系爭專利
1 、2 之先前技術。
⑵被證1-3 為一種裸晶式發光二極體，係將發光二極
體（LED ）晶粒直接製作成表面黏著型（SMD ）之
結構，不須再經封裝製程即可使用，利用GaN 係（
藍光）LED 晶粒的基板為透明氧化鋁單晶（俗稱藍
寶石單晶）做為天然之最佳封裝基材，利用覆晶技
術將電極面製作成光反射面，同時鍍一層（SiO2）
保護膜層，並製作電極凸塊，在基板面上製作微小
透鏡或奈米點、奈米柱以增強光的輸出，即完成SM
D 型之裸晶式發光二極體，不須再做封裝製程，可
直接將裸晶式發光二極體與線路板連接。其特點為
省成本、良率高、散熱性佳、微小化容易，可作大
功率發光元件（參被證1-3 /2-3之摘要，見本院卷
2 第65頁背面、第130 頁背面）。
3.被證1-4：
⑴被證1-4為IPC ,the Association Connecting El
ectronics Industries於西元1990年11月公開之「
IPC-SM-784 Guidelines for Chip-on-Board Tech
nology Implementation 」，其公開日早於系爭專
利1 申請日（93年10月29日），可為系爭專利1 之
先前技術。
⑵COB （板載芯片）具有兩個主要子集：‧集成電路
芯片：首先黏合到印刷電路板上，然後通過引線鍵
合與金或鋁線相互連接的芯片與線路技術；和‧覆
晶技術：集成電路芯片在互連點鍍有焊料凸點，並
以反向方式焊接到電路板上，從而一步完成連接和
互連。翻轉芯片鍵合也已使用導電有機黏合劑（而
不是焊料）塗覆到有機印刷電路板上（參被證1-4
之摘要，見本院卷2 第76頁，中文譯文，見本院卷
4 第6 頁）。
4.被證2-2 （主要圖式，如附圖7 ）：
⑴被證2-2 為92年9 月21日公告之我國第554549號「
鋁鎵銦氮覆晶發光二極體之高反射性歐姆接點」專
利案，其公告日早於系爭專利2 申請日（93年12月
1日），可為系爭專利2 之先前技術。
⑵被證2 為一種具有高反射性歐姆接點的反向Ⅲ族氮
化物發光裝置（LED ），其包含有為不透明且高反
射性的n 及p 電極金屬化，並提供良好的電流散佈
。每個n 及p 電極於該LED 活性區域的尖峰放射波
長下每次通過係吸收小於25% 的入射光線（參被證
2-2 之摘要，見本院卷2 第98頁）。
5.被證2-4（主要圖式，如附圖8 ）：
⑴被證2-4 為90年11月21日公告之我國第465123號「
高功率白色發光二極體」專利案，其公告日早於系
爭專利2 申請日（93年12月1 日），可為系爭專利
2 之先前技術。
⑵被證2-4 為一種高功率白色發光二極體，具有發光
二極體晶粒、透明基板、透明歐姆電極、反射層、
接觸電極，以及覆有導電跡線之散熱承座等。具有
粗糙表面的透明基板位於晶粒之第一表面，透明歐
姆電極位於晶粒之第二表面，反射層配置於透明歐
姆電極上，並與接觸電極連接。具有高熱導率、用
以承載晶粒之散熱承座，其表面之導電跡線藉焊接
材料與晶粒上之接觸電極電性連接。晶粒表面還覆
有螢光膠體，用以吸收發光二極體晶粒產生之部份
光線，並發出互補色之光線，使觀察者所見為白色
光（參被證2-4 之摘要，見本院卷2 第140 頁背面
）。
6.被證2-5 （主要圖式，如附圖9 ）：
⑴被證2-5 為91年10月11日公告之我國第506145號「
具有透明基板覆晶發光二極體晶粒的高亮度發光二
極體」專利案，其公告日早於系爭專利2 申請日（
93年12月1 日），可為系爭專利2 之先前技術。
⑵被證2-5 為一種高亮度發光二極體，包括：一底座
基板，一具有透明基板的覆晶式發光二極體晶粒，
一覆蓋基板。該覆蓋基板中央區域具有一孔，其係
以傾斜側壁圍成。該覆晶式發光二極體晶粒容置於
該中央區域的孔中。該底座基板以一中置絕緣區域
分隔為兩部分，其係分別與該發光二極體晶粒的兩
電極連結。該底座基板係以一高熱傳導性及高電傳
導性的物質形成，以利高電流傳導及熱能散逸。一
透明樹脂或環氧樹脂係用以將該中央區域之孔充填
之，並將該發光二極體晶粒封裝之。由於光線可以
直接穿透射出，或由該發光二極體晶粒反射出，或
由該孔之側壁反射導向後，再由該中央區域的孔射
出該覆蓋基板，故可以發出高強度的光（參被證2
-5之摘要，見本院卷2 第158 頁）。
7.被證2-6（主要圖式，如附圖10 ）：
⑴被證2-6 為西元2004年4 月27日公告之美國第US00
00000 號「Method of making an aligned electr
ode on a semiconductor structure」，其公告日
早於系爭專利2 申請日（93年12月1 日），可為系
爭專利2 之先前技術。
⑵被證2-6 為一種用於製造發光二極體之透明電極的
方法，包括：在半導體結構的頂表面上沉積金屬，
並透過在金屬上形成光罩，以定義半導體結構的第
一區域，其中第一區域用於第一電極。光罩具有在
至少一個開口，使得第一區域被光罩所覆蓋，而光
罩的開口則對準一第二區域。本發明的方法還包括
去除光罩的開口對準的第二區域的金屬，以形成覆
蓋半導體結構的第一區域的第一電極，並暴露第二
區域中的半導體結構的頂表面。在去除金屬步驟期
間並形成第一電極之後，對齊開口的與第二區域內
的材料從半導體結構中被移除，已形成用於第二電
極的第二電極表面，其中第二電極表面的高度低於
半導體結構的頂表面（參被證2-6 之摘要，見本院
卷2 第167 頁，中文譯文，見本院卷4 第7 頁）。
8.被證3-2（主要圖式，如附圖11 ）：
⑴被證3-2 為92年7 月11日公告之我國第541724號「
使用發光二極體晶片之發光裝置」專利案，其公告
日早於系爭專利3 申請日（99年6 月10日），可為
系爭專利3 之先前技術。
⑵被證3-2 為一種發光裝置，其中使用以面朝下狀態
安裝在安裝基板（8 ）中的LED 晶片，其包含形成
於透光性基板（2 ）上的n 型半導體層（3 ）、形
成於此n 型半導體層（3 ）之上的p 型半導體層（
5 ）、設置於此等半導體層形成面上並各別連接的
電極（6 、7 ）。各電極（6 、7 ）係配置形成為
平面狀，俾使LED 晶片（1 ）之發光面整體約略均
勻地點亮，至少其中一電極係構成為亦具有作為光
反射部之功能，各電極具有一供電部（15、16），
而且，靠近透光性基板（2 ）之一側之半導體層上
所設置的電極係隨著從供電部遠離而縮小寬度。藉
此，可以增大LED 晶片（1 ）中之發光部面積，因
此，發光效率與光產生效率均極佳（參被證3-2 之
摘要，見本院卷2 第203 頁背面）。
（六）系爭專利1 請求項3、5、6、8之有效性判斷：
1.被證1-2 可以證明系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8
不具進步性：
⑴系爭專利1 請求項3之部分：
①被證1-2 說明書【先前技術】段記載「例如於照
明裝置之領域中，現正檢討以倒裝面方式藉著超
音波接合而將單面配置著p 電極與n 電極之數百
μm 角大小之單面電極型的LED 裸晶( 以下簡稱
「LED 晶片」) 以多數個且高密度地安裝於印刷
電路板上（以下簡稱『電路板』）上，並作為照
明裝置使用的技術…」（見本院卷2 第42頁），
另說明書第7 頁揭示「…為了達到上述目的，本
發明之印刷電路板，係於單側之面對向配置之第
1 與第2 電極之半導體裸晶，於倒裝片之安裝面
具有對應前述第1 電極、第2 電極之配置關係，
且係類似之形狀之第1 配線圖案、第2 配線圖案
夾著絕緣領域而對向配置的印刷電路板，…」（
見本院卷2 第43頁）；另，由第17圖揭示使用照
明單元1 之照明裝置200 之構成立體圖，第1 圖
係第17圖之照明單元1 之平面圖。說明書第28頁
第4 至7 揭示「殼體201 之內部配置用以對照明
單元1 供電單元（圖式未顯示）。此供電單元係
藉由燈投203 而將所供給之交流電轉變成用於LE
D 晶片點亮的直流電而供給至照明單元1 之眾所
周知的電路所構成」（見本院卷2 第53頁背面）
，由被證1-2 上開揭示內容可知，其已揭示將光
半導體裸晶多數個且高密度地安裝於印刷電路板
上，該光半導體晶片在安裝至印刷電路板2 前並
未經過封裝製程，且晶片安裝至印刷電路板2 後
即構成光源之照明單元1 ，即可供電使用，故被
證1-2 已揭示系爭專利1 請求項1 之「一種未經
封裝製程即可使用之LED 製造方法（結構），尤
指一種將未封裝LED 晶片、無需透過封裝基板直
接連接於印刷電路板之LED 製造方法（裝置）」
技術特徵。
②被證1-2 說明書第8 頁第16至19行揭示「本發明
之照明單元係光半導體裸晶安裝導裝片於光半導
體裸晶安裝用印刷電路板上的照明單元，其特徵
在於使用上述印刷電路板作為光半導體裸晶安裝
用印刷電路板」（見本院卷2 第43頁背面），被
證1-2 說明書第12頁第3 至6 行揭示「照明單元
1 係於配線板2 上，64個LED 晶片（多個光半導
體裸晶）11~74 於8 行8 列之陣列上…整然地安
裝而構成」（見本院卷2 第45頁背面），被證1
-2說明書第12頁第8 至11行揭示「配線板2 係加
入無機質填充物之熱硬性樹脂之所構成之絕緣板
5 、6 之表面形成有金屬所構成之配線圖案8 、
7 所構成之基板3 、4 積層多數層（本例為2 層
）的構成…又配線圖案7 、8 使用金（Au）。此
等配線圖案7 、8 主要係以將各行之第奇數列之
LED 晶片與第偶數列之LED 晶片之各個晶片串聯
地連接…」（見本院卷2 第45頁背面）；被證1
-2說明書第13頁第10至16行揭示「LED 晶片14…
以倒裝片方式安裝，…，LED 晶片（光半導體裸
晶）14之p 電極145 與配線圖案81之一側端部分
82連接，n 電極146 與配線圖案85之一側部分86
電性地連接」（見本院卷2 第46頁），故被證1
-2已揭示系爭專利1 請求項1 之「a . 印刷電路
板上製設電路, 該印刷電路板不包括半導體封裝
用之基板b . 複數LED 晶片置於印刷電路板上,
並P 、N 電極對齊印刷電路板上對應之電路;c
. 直接將P 、N 電極連結、導通、固定於印刷電
路板; 據此完成不須封裝之LED 之製造」之技術
特徵。
③被證1-2 說明書第5 頁倒數第2 行揭示「並藉著
超音波接合而使LED 晶片710 之p 電極711 與配
線圖案701 呈面接觸而電性地連接…」（見本院
卷2 第42頁、第42頁背面）、第28頁第20行揭示
「不限於以超音波接合來接合之情形…」（見本
院卷2 第53頁背面）。則被證1-2 已教示可以超
音波接合以外之方式來進行晶片與電路板上之配
線圖案之連接。
④被證1-2 與系爭專利1 請求項1 之差異在於：被
證1-2 揭示以超音波接合方式來作為晶片電極與
印刷電路板之間之連結，而系爭專利1 請求項1
係界定「得採錫膏、導電膠，直接用傳統錫爐或
特製設備焊接」之方式，惟參酌被證15、中華民
國第557590號專利說明書第10頁（見本院卷5 第
11頁背面）、2 、中華民國第331042號專利說明
書第6 、10頁（見本院卷5 第24頁背面、第26頁
背面）、3 、中華民國第TZ000000000 號專利說
明書第115 頁（見本院卷5 第34頁）、4 、中華
民國第476452號專利創作說明第4 頁（見本院卷
5 第38頁背面）、5 、IPC-SM-784 Guidelines
for chip-on-board technology implementatio
n 第1 頁（見本院卷5 第43頁）、6 、多層電路
板術語詳解辭典（90年出版）（本院卷5 第45頁
）及7 、西元1997年1 月15日出版之97年電路板
採購及術語手冊（見本院卷5 第47頁）等文獻，
可知，所屬技術領域中具通常知識者，以錫膏、
導電膠作為電極與印刷電路板之結合技術乃該領
域所使用習知之慣用技術。再者，關於系爭產品
之LED 晶片與印刷電路板之連接方式，原告亦自
陳「按具系爭專利領域之通常知識者，皆可輕易
知悉錫膏屬本領域常用之焊接材料」等語（見本
院卷4 第247 頁），則原告亦
肯認以錫膏作為LE
D 與基板之連接乃該領域中所輕易知悉的技術，
故發明所屬技術領域中具通常知識者，依據被證
1-2 所教示之LED 製造方法，參酌系爭專利申請
時之通常知識（慣用手段）可簡單改變被證1 -2
之結合方式而完成系爭專利1 請求項1 之發明，
故被證1-2 可以證明系爭專利1 請求項3 不具進
步性。
⑤原告主張：系爭專利1 使用焊料或稱接合材料（
如錫膏或導電膠），而被證1-2 並無焊料；系爭
專利1 導電線路材料與接合材料（如錫膏或導電
膠）不同，而被證1-2 導電線路材料係為金、銅
，未揭露有任何接合材料；系爭專利1 使用焊接
設備，直接用傳統錫爐或特製設備焊接，而被證
1-2 焊接設備係透過超音波振動的方式連（焊）
接；系爭專利1 使用印刷電路板，而被證1-2 使
用無機質填充物之熱硬化性樹脂所構成之配線板
，亦可使用矽基板等；系爭專利1 係直接將LED
晶片電極等製成SMD 的模式，而被證1-2 的電極
是傳統前封裝的模式，故系爭專利1 與被證1-2
存有技術之差異
云云（見本院卷4 第17頁背面、
本院卷5 第140 頁）。
惟查：被證1-2 與系爭專
利1 所使用之結合方式雖有不同，惟系爭專利1
所使用之焊料（如錫膏或導電膠）為LED 領域所
使用之習知慣用技術，對於發明並未產生無法預
期之效果；又被證1-2 第1 、3 圖及說明書第8
頁第16至19行記載「本發明之照明單元係光半導
體裸晶安裝倒裝片於光半導體裸晶安裝用印刷電
路板上照明單元，其特徵在於使用上述印電路板
作為半導體裸晶安裝用印刷電路板」已揭示將LE
D 裸晶未經過封裝製程即結合於印刷電路板（2
）上，形成的照明單元1 ，亦即揭示將LED 不經
過封裝程序直接接合於印刷電路板上即可使用之
技術。另由被證1-2 說明書第12頁（第一實施
態
樣）段記載「第1 圖係本實施樣態之照明單元1
之平面圖。照明單元1 係於配線板2 上，64個LE
D 晶片…之陣列上整然地安裝而構成…配線板2
係加入無機質填充物之熱硬化樹脂之所構成之絕
緣板5 、6 （參照第3 圖）之表面形成由金屬所
構成之配線圖案8 、7 所構成之基板3 、4 積層
多數層…配線圖案7 、8 使用金（Au）…」（見
本院卷2 第45頁背面）可知，其中的配線板2 即
為前述之印刷電路板，且該段係關於印刷電路板
之結構及材料
例示，由於系爭專利1 請求項中並
未限定印刷電路板之組成結構及材料，且被證1
-2所例示之板材材料亦為印刷電路板之一種，故
被證1-2 亦已揭示系爭專利之印刷電路板之技術
特徵，原告前揭主張，尚無可取。
⑥原告主張：被證1-2 所指之配線板2 係為承載LE
D 晶片之覆晶基板，非印刷電路板，即被證1 -2
仍係指晶片與電路基板結合前所需經過的製程，
與系爭專利1 揭露之「未經封裝」而能以錫膏、
導電膠直接連接LED 晶片與電路板不同云云。惟
查，被證1-2 說明書揭露之內容，並無原告所稱
晶片與配線板（印刷電路板）以超音波接合後再
焊接於電路基板使用之教示內容，原告前揭所舉
尚與被證1-2 說明書所揭示之內容不符。
⑵系爭專利1請求項5之部分：
①系爭專利1 請求項5 為依附於系爭專利1 請求項
3 之附屬項，其進一步界定「其中該複數免封裝
LED 晶片連結、導通、固定之於印刷電路板，得
利用串並聯之連結方式作多片LED 晶片之連結、
導通、固定，並藉LED 晶片間得以緊靠，且減少
小印刷電路板空間。」之技術特徵。
②被證1-2 可以證明系爭專利1 請求項3 不具進步
性，已如前述。又被證1-2 第1 圖及說明書第12
頁第14至16行揭示「此等配線圖案7 、8 主要係
以將各行之第奇數列之LED 晶片與第偶數列之
LED 晶片之各個晶片串聯地連接之接縫而形成者
」（見本院卷2 第45頁背面），另說明書【先前
技術】段記載「例如於照明裝置之領域中，現正
檢討以倒裝面方式藉著超音波接合而將單面配置
著p 電極與n 電極之數百μm 角大小之單面電極
型的LED 裸晶以多數個且高密度地安裝於印刷電
路板上）上，並作為照明裝置使用的技術…」（
見本院卷2 第42頁），故被證1-2 已揭露系爭專
利1 請求項5 之附屬技術特徵，是被證1-2 可以
證明系爭專利1 請求項5 不具進步性。
⑶系爭專利1請求項6、8之部分：
系爭專利1 請求項6 為獨立項，請求項8 為依附於
請求項6 之附屬項。系爭專利1 請求項6 、8 為一
種未經封裝製程即可使用之LED 結構，尤指一種將
未封裝LED 晶片、無需透過封裝基板直接連接於印
刷電路板之LED 裝置，其技術特徵與系爭專利1 請
求項3 、5 並無差異，而被證1-2 已揭示請求項3
、5 之技術特徵。故被證1-2 可以證明系爭專利1
請求項6 、8 不具進步性。
2.被證1-2 及被證1-3 之組合，可以證明系爭專利1 請
求項3 、5 、6 、8 不具進步性：
被證1-2 可以證明系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8
不具進步性，則被證1-2 及證據1-3 之組合，亦可以
證明系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 不具進步性。
（七）系爭專利2 請求項1之有效性判斷：
1.被證2-2 及被證2-3 之組合；被證2-2 、被證2-3 、
被證2-4 及被證2-5 之組合，可以證明系爭專利2 請
求項1 不具進步性：
⑴被證2-2 說明書第20頁第17至22行揭示「本發明提
供一具有光線產生能力的大面積的高功率LED …藉
由降低由該 p-n接面到該燈具封裝的熱阻抗，而藉
由使用高反射性歐姆接點來增加光線擷取。為此目
的，本發明使用了一利用低電阻、不透明，高反射
性 p及n 電極的反向結構。一第一具體實施例示於
圖6a-b」（見本院卷2 第106 頁背面），又說明書
第25頁第19至24行揭示「在該LED 晶粒上的可焊金
屬41製作成大於焊料凸塊，藉以允許該焊料散開，
並可以濕化一面積，比其個別直徑所能提供的要大
得多。此可造成一焊料面積覆蓋率超過了圖11a 中
個別凸塊的總合。同時，該焊料厚度可有效地降低
。這兩種效應可降低該焊料接面的熱阻抗，並允許
該LED 晶粒被驅動到更高的密度電流來增加光線輸
出」（見本院卷2 第109 頁）。由上開內容可知，
證據2-2 圖6a及圖6b揭示一種具高效率散熱及亮度
之晶片，證據2-2 請求項1 揭示「兩個電極之一為
連接到該n 型層11的一n 型電極22，而該兩個電極
的另一個為連接到該p 型層12的一p 電極20。其中
每個電極20、22對於由該放射層所放射的光線具有
一正常入射反射率超過80% 」，被證2-2 說明書第
26頁第4 至6 行揭示「可焊金屬41係在該p 電極20
及n 電極22金屬化上來圖樣化」（見本院卷2 第10
9 頁背面）；由圖6b顯示，導電介面41與p 電極20
及n 電極22相連接，由圖6a顯示導電介面41具有大
面積，故被證2-2 之「可焊金屬41」已揭示系爭專
利2 請求項1 之「該晶片P 、N 電極處各增設一層
與其連結之大面積導電（導熱）層」之技術特徵。
至於系爭專利2 請求項1 中「藉由其結構組成，達
到減少被蝕刻發光層面積、增加亮度，大面積具高
效率散熱及增其反光面效果，無須封裝就具有SMD
及覆晶LED 之功能，並減少封裝成本者。」之技術
內容，僅為功能性描述，且被證2-2 之「導電介面
41」已可對應系爭專利2 請求項1 之「導電（導熱
）層」之技術特徵，自可達成系爭專利2 請求項1
所述之功效，故被證2-2 可以證明系爭專利2 請求
項1 不具進步性。由於被證2-2 可以證明系爭專利
2 請求項1 不具進步性，故被證2-2 及被證2-3 之
組合；被證2-2 、被證2-3 、被證2-4 及被證2-5
之組合，亦可以證明系爭專利2 請求項1 不具進步
性。
⑵原告主張：系爭專利2 的晶片包含大面積導電（導
熱）層（導電層40、50分別較P 、N 電極20、30大
），被證2-2 的晶片則包含小面積導電層（導電介
面41較P 電極20小）；系爭專利2 的晶片該二大面
積導電材40、50的中間具有絕緣層80，被證2-2 的
晶片導電介面41的中間是P 電極20、N 電極22及介
電保護層42；系爭專利2 的晶片為SMD 的模式且無
須封裝就具有SMD 之功能，被證2-2 的晶片不是SM
D 的模式且須封裝製程；系爭專利2 的晶片無須封
裝，被證2-2 的晶片封裝製程包含填膠以及凸塊，
故系爭專利2 與被證2-2 存有技術之差異云云（見
本院卷4 第24頁、本院卷5 第142 頁背面）。惟查
：
①系爭專利2 請求項1 僅記載「晶片P 、N 電極處
各增設一層與其連結之大面積導電（導熱）層」
，並未明確記載所謂「大」面積所指為何？又系
爭專利2 說明書第6 頁倒數第3 行至第7 頁第1
行雖記載「…該二大面積導電材（40）（50）分
別導通P 極（20）與N 極（30），據此達到放大
電極，大面積導熱…」（見本院卷1 第80頁），
惟因實施例僅為例示作用，且請求項亦未定義大
面積導電層為導電層40、50分別較P 、N 電極20
、30大，自不得將請求項未記載之技術特徵讀入
請求項中，而不當限縮專利範圍；即便限縮請求
項1 之大面積導電層為導電層40、50分別較P 、
N 電極20、30大，然被證2-2 圖6a顯示n 型電極
22上形成有較其大面積的導電層41，且被證2 -2
說明書第22頁第5 至7 行揭示「為於一使用焊料
作為內連線的具體實施例，最終的內連線（60）
厚度及面積係由該焊料體積以及在LED 晶粒上的
可濕化金屬（導電介面）41及該次黏著上的54來
決定」（見本院卷2 第107 頁背面），另依被證
2-2 說明書第22頁第19至23行揭示之內容，可知
焊料面積As控制了熱阻抗，因此其有需要以該焊
料來覆蓋LED 晶粒的整個表面，是被證2-2 揭示
透過內連線（焊料）60作為LED 熱移除的路徑；
內連線（60）厚度及面積可由可濕化金屬（導電
介面）41及次黏著上的54來決定，內連線（焊料
）60的面積As與熱阻抗成反比等技術特徵，故所
屬技術領域中具通常知識者為提高LED 之散熱效
率，自可依據被證2-2 所教示者改變可濕化金屬
（導電介面）41之面積大小而完成系爭專利2 請
求項1 之發明，故即便如原告主張將系爭專利2
請求項1 之大面積導電（導熱）層解釋為「大面
積導電層為導電層40、50分別較P 、N 電極20、
30大」，被證2-2 亦可以證明系爭專利2 請求項
1 不具進步性。
②原告主張：系爭專利2 的晶片為SMD 且無須封裝
就具有SMD 之功能，而被證2-1 晶片不是SMD 且
需封裝製程云云。惟查，由系爭專利2 請求項1
「一種具有高效率散熱及亮度之晶片」，並未明
確界定該晶片為SMD 之晶片，自不得據此作為系
爭專利是否具專利要件之比對。又系爭專利2 請
求項1 記載「無需封裝就具有SMD 及覆晶LED 之
功能」，可知，既然被證2-2 為一種覆晶發光二
極體，且已揭示系爭專利2 請求項1 之導電（導
熱）層之結構之技術特徵，則自具有（達成）系
爭專利2 請求項1 所稱之功效，故原告主張，
尚
無可採。
（八）系爭專利3 請求項1之有效性判斷：
1.被證3-2 可以證明系爭專利3 請求項1 不具新穎性：
⑴被證3-2 圖12揭示一種覆晶發光二極體晶粒結構，
其具有透光性基板1 上之n 型半導體3 （第一半導
體層）、形成於該半導體層上之p 型半導體層（第
二半導體層）5 ，其已對應揭示系爭專利3 請求項
1 之「一種覆晶發光二極體晶粒，包括：一第一型
摻雜半導體層；一第二型摻雜半導體層，鋪設於該
第一型摻雜半導體層之底面；」之技術特徵；被證
3-2 圖12揭示「設置於該等半導體層之形成面上並
與其個別連接之n 側電極（第一電極）6 與p 側電
極（第二電極）7 」，且說明書第24頁倒數第1 行
至第25頁第8 行揭示「本實施例係利用圖2 之電極
配置構造。藉由覆蓋p 側電極7 所形成之絕緣薄膜
20之對角方向的端部、而透過分別開口之窗孔23、
以焊料、金、或其他金屬所形成之凸塊21，而將電
極7 連接固定至安裝基板8 之導電體10。亦可使用
導電性黏著劑加以固定。又，在其他的對角位置上
的端部中，n 側電極6 、6 從絕緣薄膜20中形成的
窗孔23露出，此露出部係作為對應到n 側電極6 的
供電部15，而和p 側電極7 之供電部16同樣地藉由
凸塊21或者導電性黏著劑連接固定到安裝基板8 之
導電體10」（見本院卷2 第211 頁背面、第212 頁
），說明書第20頁第18至21行揭示「…LED 晶片1
之電極形成表面中，除了供電部以外之部位以絕緣
薄膜17覆蓋的情況下，即使設置相對較大的凸塊
21a ，但因為凸塊21a 不會直接接觸到凸塊21b …
就不會產生短路」（見本院卷2 第209 頁背面），
其揭示絕緣薄膜17具有電性隔離的效果，其已對應
揭示系爭專利3 請求項1 之「一第一電極層，係鋪
設於第一型摻雜半導體層之底面且不接觸該第二型
摻雜半導體層，且具有一裸露面積以供直接塗佈一
導電接合劑；一第二電極層，係鋪設於第二型摻雜
半導體層之底面，且具有一裸露面積以供直接塗佈
該導電接合劑」及「一絕緣層，位於該第一電極層
與該第二電極層間，以電性隔離且支撐該第一電極
層與該第二電極層」等技術特徵；由圖12顯示絕緣
層20除佈設於於晶片之具有電極之上表面外，亦披
覆於於晶片之側面。再者，由被證3-2 說明書第28
頁第16至18行揭示「本實施例中，較佳的情況為，
藉由透光性之合成樹脂將LED 晶片1 與其周圍密封
，如此一來，可以藉由合成樹脂保護LED 晶片1 」
（見本院卷2 第213 頁背面），故被證3-2 已揭示
系爭專利3 請求項1 之「一防護層，該防護層由絕
緣材料製成，該防護層披覆於該覆晶發光二極體晶
粒上除了該覆晶發光二極體晶粒頂面、該第一電極
層裸露面、該第二電極層裸露面及該絕緣層底面之
外所有的表面；其中該第一電極層裸露面、該第二
電極層裸露面及該絕緣層底面系由該覆晶發光二極
體晶粒底面向上觀視之方向所言。」之技術特徵，
故被證3-2 已揭示系爭專利3 請求項1 之所有技術
特徵，雖系爭專利3 請求項1 中界定該覆晶晶粒未
經封裝即可使用，惟被證3-2 已揭示專利3 請求項
1 主體中所記載之相同結構之技術特徵，故由被證
3-2 可以證明系爭專利3 請求項1 不具新穎性。
⑵原告主張：系爭專利3 之LED 係利用導電接合劑（
錫膏或銀膠）連接至PCB ，而被證3-2 之圖1 中之
LED 一電極7 係透過凸塊21a 與導體板11連接，靠
近藍寶石基板之電極6 透過以金形成之凸塊21b 與
導電層12連接；被證3-2 之圖12係以焊料、金或其
他金屬形成凸塊21，以將LED 之兩個電極連接至金
屬板80之導電體10，而凸塊21中間27為填充材料；
被證3-2 中之LED 並無如同系爭專利3 之LED 在第
ㄧ電極層303 及第二電極層304 具有大的裸露面積
云云（見本院卷4 第32頁、第32頁背面、本院卷5
第155 頁背面）。惟查，被證3-2 說明書第24頁倒
數第1 行至第25頁第8 行揭示「本實施例係利用圖
2 之電極配置構造。藉由覆蓋p 側電極7 所形成之
絕緣薄膜20之對角方向的端部、而透過分別開口之
窗孔23、以焊料、金、或其他金屬所形成之凸塊21
，而將電極7 連接固定至安裝基板8 之導電體10。
亦可使用導電性黏著劑加以固定。又，在其他的對
角位置上的端部中，n 側電極6 、6 從絕緣薄膜20
中形成的窗孔23露出，此露出部係作為對應到n 側
電極6 的供電部15，而和p 側電極7 之供電部16同
樣地藉由凸塊21或者導電性黏著劑連接固定到安裝
基板8 之導電體10。」（見本院卷2 第211 頁背面
、第212 頁），可知，電極7 與安裝基板連接除了
凸塊結構外，亦教示以導電性黏著劑作為黏著技術
，且電極間覆蓋有絕緣薄膜20，且電極具有開口。
再者，系爭專利3 請求項1 僅記載第一（二）電極
具有一裸露面積以供直接塗佈一導電接合層，惟請
求項中並未對於裸露面積之大小作界定，另請求項
1 記載為覆晶發光二極體晶粒，且主體亦記載該晶
粒之結構，並未界定該晶粒後續與何種基板作結合
，故不得據此作為系爭專利是否具專利要件之比對
技術特徵，由於被證3-2 已明確揭示系爭專利3 請
求項1 所記載之晶粒之結構，故被證3-2 可以證明
系爭專利3 請求項1 不具新穎性，至於該晶粒是否
需封裝即可使用，乃該晶粒後續使用或（應用），
亦即係直接與封裝基板或電路板連接，並不生系爭
專利3 請求項1 之晶粒結構是否具專利要件之判斷
，原告前揭所稱，自無可採。
2.被證3-2 可以證明系爭專利3 請求項1 不具進步性：
被證3-2 已揭示系爭專利3 請求項1 之所有技術特徵
，當具有達成系爭專利3 說明書
所載之功效，故被證
3-2 亦可以證明系爭專利3 請求項1 不具進步性。
六、綜上，系爭專利具有前揭應撤銷之事由存在，原告於本件
民事訴訟即不得對被告主張系爭專利之權利，則本件關於
被告抗辯系爭專利其他無效證據及系爭產品1 、2 是否侵
害系爭專利之權利範圍等其他爭執事項部分，即無審究之
必要，併此敘明。
七、
綜上所述，被告抗辯系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 、
系爭專利2 請求項1 、系爭專利3 請求項1 有得撤銷之事
由，
於法有據，依智慧財產案件審理法第16條第2 項規定
，原告於本件民事訴訟自不得對被告主張系爭專利前揭請
求項之權利。從而，原告主張系爭產品1 、2 侵害系爭專
利前揭請求項之權利範圍，依專利法第96條第2 項、第97
條第1 項第3 款、第2 項、公司法第23條第2 項等規定提
起本件訴訟，訴請判決如聲明所示，即無理由，應予駁回
。又原告之訴既經駁回，其假執行之聲請即失其依據，應
併予駁回。
八、被告覆晶公司抗辯：本件系爭專利技術，涉及專業之LED
封裝製程，本件訴訟攻防之實施，實須結合所涉專利技術
領域及法律之雙重專業，被告覆晶公司延聘律師為訴訟代
理人，並須委請專利事務所進行專利無效與專利侵權之比
對，並出具報告，即屬必要訴訟行為，參酌本院105 年度
民專訴字第71號判決理由，被告覆晶公司所支出之律師
報
酬、委任製作專利無效理由書及專利侵權比對研究報告之
費用，共計65萬元，自應列入訴訟費用之一部，並由敗訴
之原告負擔。又被告覆晶公司之代理人等3 人於107 年3
月19日，配合至
公證人事務所拆解系爭產品2 ，應參考法
院辦理民事事件證人
鑑定人日費旅費及鑑定費支給標準第
3 條規定，每次依500 元支給，共計1,500 元日費；並應
參同標準第4 條第3 項規定核定旅費，均應列入訴訟費用
之一部云云（見本院卷5 第114-115 頁）。惟查：
1.按「我國民事訴訟法於92年2 月7 日修正時，於第一篇
總則增訂第三章『訴訟標的價額之核定及訴訟費用』之
專章，其中第二節『訴訟費用之計算及徵收』，明定訴
訟費用之計算及徵收依據。其中第77之23條第1 項規定
：『訴訟文書之影印費、攝影費、抄錄費、翻譯費，證
人、鑑定人之日費、旅費及其他進行訴訟之
必要費用，
其項目及標準由司法院定之』。其立法理由謂：『原民
事訴訟費用法第24條、第25條及第27條分別就抄錄費、
翻譯費、到庭費、滯留費及食、宿、舟、車費定其計算
標準，其標準與實際情形多已不能配合，且所規定之項
目亦不周全，爰於第一項概括規定上述費用及其他進行
訴訟之必要費用，其項目及標準由司法院定之，俾便於
配合實際情形，適時調整，以利適用』。司法院基於上
開法律之授權，訂定『法院辦理民事事件證人鑑定人日
費旅費及鑑定費支給標準』及『法院辦理民事事件訴訟
文書之影印、攝影、抄錄及翻譯費徵收標準』。依民事
訴訟法第77之23條第1 項規定及其立法理由，係授權司
法院就民事訴訟之必要費用（包括例示之訴訟文書影印
費、攝影費、證人、鑑定人日費、旅費等及其他一切進
行訴訟之必要費用），訂定其項目及收費標準，司法院
基於上開法律之授權所訂定之相關費用支給或徵收標準
，性質上應屬法規命令（中央法規標準法第3 條、行政
程序法第150 條）。惟上開規定並未授權法官，得於個
案中自行認定民事訴訟必要訴訟費用之項目及其計算標
準。另關於律師酬金部分，民事訴訟法第77之25條第1
、2 項規定：『法院或審判長依法律規定，為當事人選
任律師為特別代理人或訴訟代理人者，其律師之酬金由
法院或審判長酌定之。前項酬金及第466 條之3 第1 項
之酬金為訴訟費用之一部，其支給標準，由司法院參酌
法務部及中華民國律師公會全國聯合會意見定之』。其
立法理由謂：『依第466 條之2 第1 項、第585 條第1
項（現已刪除）之規定，法院或審判長得為當事人選任
律師為訴訟代理人，又法院或審判長依第51條、第374
條之規定為當事人
選任特別代理人時，亦得斟酌情形選
任律師為之，其律師之酬金，自應由法院或審判長酌定
，爰於第一項明定之，俾利適用。前項訴訟代理人、特
別代理人並非當事人所選任，又第三審
上訴採
律師強制
代理制度，其律師之酬金均應作為訴訟費用之一部，依
本章第三節之規定定其負擔。為使上述法院或審判長選
任律師之酬金，及當事人於第三審選任律師之酬金公平
合理，應由司法院根據社會經濟狀況，並參酌法務部及
中華民國律師公會全國聯合會之意見，就上開選任律師
酬金之支給、給付方法，及其最高限額，統一訂定標準
，爰規定第二項』。司法院基於上開法律之授權，訂定
『法院選任律師及第三審律師酬金核定支給標準』。按
民事訴訟法第77之25條第1 、2 項規定及其立法理由，
已明定僅在法院或審判長依法律之規定，為當事人選任
律師為特別代理人或訴訟代理人（非當事人自行選任）
，或第三審上訴採律師強制代理之情形下，律師酬金始
得列入訴訟費用之一部，且係授權司法院就上開情形選
任律師之律師酬金，訂定統一之支給標準，此外並無就
第一、二審律師酬金得列入訴訟費用之法律上依據。準
此，在司法院就第一、二審律師酬金並無訂定任何支給
標準之情形下，如將第一、二審律師酬金作為進行訴訟
之必要費用，而將其列入訴訟費用之計算，欠缺法律上
之依據。」，此
業據本院106 年度民專上字第27號判決
理由指摘105 年度民專訴字第71號判決違誤之處明確；
又從比較法之法理基礎，日本民事訴訟法第155 條規定
因當事人、代理人或輔佐人欠缺論述能力時，法院得禁
止其陳述，必要時可命其選任訴訟代理人，除非有此例
外情形，否則依同法第61條規定由敗訴之當事人負擔之
訴訟費用，仍不包含律師費用在內，然而，在涉及高度
專業性之醫療疏失或人身交通事故或專利侵權等損害賠
償請求訴訟時，當原告本人難以為訴訟行為，而無從與
被告維持訴訟上之對等關係時，從對於被害人救濟之意
旨，日本實務在個案上亦有肯認將律師費用包含在損害
賠償金額中，而准許對被告請求，再者，在金錢債務以
外之一般
債務不履行事件，如果是基於某種法律基礎，
在當事人間存有特別的社會接觸之
法律關係，就該法律
關係所生之附隨義務，當事人之一方或雙方對於
相對人
負有依
誠信原則履行之義務，如有違反該義務而生之債
務不履行訴訟，日本最高裁判所判例亦肯定將律師費用
列為損害賠償範圍（最判平24.2.24 判時2144號89頁）
，是以，日本實務固然允許法院個案考量當事人因必須
委任訴訟代理人始得遂行訴訟程序時，將當事人所支出
之律師費用，列為損害請求範圍，
而非在
法無明文下，
逕將律師費用列入訴訟費用之一部，此於我國現行民事
訴訟法仍為相同規定之意旨下，自具有參考價值，是被
告覆晶公司此部分將律師費用列為訴訟費用之請求，於
法無據，不應准許。
2.按當事人支出之旅費，並不在現行民事訴訟費用法所定
費用之內，自無從認為訴訟費用（最高法院32年上字第
3145號判例意旨參照）。是被告覆晶公司請求其代理人
等3 人配合至
公證人事務所拆解系爭產品2 所支出之旅
費，應列入訴訟費用之一部云云，
亦屬無據，不應准許
。
九、本件事證
已臻明確，兩造其餘攻擊、防禦方法及未經援用
之證據，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不一一
論列，附此敘明。
十、據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理
法第1 條，民事訴訟法第78條，判決如主文。
中 華 民 國 107 年 8 月 24 日
智慧財產法院第三庭
法 官 張銘晃
以上正本係照原本作成。
如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。
如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
中 華 民 國 107 年 8 月 27 日
書記官 葉倩如