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行　政　法　院　判　決　　　　　　　　　　　　　八十七年度判字第一一一五號 　　原　　　告　日商．三菱化學股份有限公司 　　代　表　人　甲○○ 　　訴訟代理人　林志剛　律師 　　　　　　　　陳和貴　律師 　　　　　　　　乙○○　○○ 　　被　　　告　經濟部中央標準局 右當事人間因發明專利申請事件，原告不服行政院中華民國八十六年十二月二十六日 台八六訴字第五一四五八號再訴願決定，提起行政訴訟。本院判決如左︰ 　　主 文 原告之訴駁回。 　　事 實 緣原告於八十三年八月二十六日以「半導體磊晶晶圓之製造方法」申請第00000 000號發明專利案，經被告審查及再審查均不予專利。原告不服，提起訴願及再訴 願，亦均經駁回，遂提起行政訴訟。茲摘敍兩造訴辯意旨於次： 原告起訴意旨略謂︰一、本發明其結構特徵乃在於：基板之材料乃為CaAs或 Gap（閃 鋅型構造）；基板面方位則具有偏離角之（100） 面；原料氣體之供應（供給）方向 係在從偏離角方向或其180 方向在於 30 以內之方向。而其所獲致之效果則為：防止 由於附著於基板之托板（holder）而產生之損傷或龜裂。二、引證一之結構特徵為： 基板之材料為 Si（鑽石型構造）；基板面方位係為（100）面或具有偏離角之（111） 面；以及將基板之板形成凹陷（下）狀（Pocket狀），或使基板之邊緣圓化然而對原 料氣體之供給方向則並未有任何之揭示。其所獲致之效果則為； ⑴（111）面之場合 ，以使之具有 3－5 之偏離角，就可防止faceted growth（在晶圓表面之一面上成不 規則之階梯（step）狀之成長，刪好沿着（111）面方位之（111）面上生長所產生者 ），而（100）面之場合，就不具有 faceted growth之問題；⑵將基板之托板構成為 凸陷（下）狀，或使基板之邊緣圓化就可消除edgecrow（邊緣之凸部）。三、引證二 之結構特徵為：基板之材料為GaAsi；基板之面方位係具有偏離角之（111）面，具有 偏離角之（100）面；然而對原料氣體之供給方面則未揭示。其獲致之效果為：⑴ 具 有偏離角之（111）面其電的、光學的品質有極佳之提升； ⑵ 具有偏離角之（100） 面其表面成為平滑，且光學性品質亦有所增進。由上述之比較，可察明引證一及二， 並未揭示偏離角之方向和原料氣體之供給方向之關係（相關內容），同時亦未揭示其 效果。因此，本發明並無法可容易地各引例所記載之發明思及者。依被告現行之專利 審查基準第1－2－21頁「發明具有突出之技術特徵或顯然之進步時為非能輕易完成 」，「突出之技術特徵乃指申請專利之發明對熟習該項技術者而言，若以先前技術為 基礎，仍不易由邏輯分析，推理或試驗可得」；「顯然之進步乃指申請專利之發明克 服先前技術中存在之問題點或困難性而言，通常表現於功效上」，本案相較前述二引 證案其獨特之技術特徵於先前技藝中既未有所揭示或建議，自非熟習該項技術者經邏 輯分析即為可得，而屬具有突出之技術特徵，且本案之該技術特徵可獲致獨特之效果 而解決習知技術長久存在之困難點，亦得肯認其具有顯然之進步，則本案實為非可輕 易完成之具進步性之發明。四、關於再訴願決定「由引證，從事磊晶成長技術者應熟 習磊晶於 （100）面 或使長晶機構具有偏向（100）面之成長方式能得到較佳品質之 磊晶。且揭示edgecrow乃由晶圓邊緣局部對流所引起，在成銳角之晶圓邊緣容易引起 ，因而，本行業者予以檢討擬抑制局部性之對流時，就可容易推知，因而，本案不具 創作性。」之指稱，查有關局部性之對流，其與本案之特定原料氣體之供給方向，如 何地來使之有相關連，於引證案中並未有任何揭示。並且即使引證案已暗示不使之產 生局部性之對流時為佳，然而此當亦無法使熟習技藝人士能推知從特定之方向來供應 原料氣體之結構的技術思想。反觀在本發明則係以令偏離角（偏向）方向和原料氣體 之供給方向，而達到成為具有特定之方向所能產生之效果，此雖可由本案專利說明書 之實施例、比較例來察明，惟為使大院能更加了解本案技術特徵所在起見，原告爰再 將要點綜合如下: 偏離角方向 原料氣體之供給方向 產生破裂（裂痕）之比率 實施例1〔0-1-1〕 〔0-1-1〕（則在偏離角方向） 0\35 實施例2〔0-1-1〕 〔0-1-1〕（則在偏離角之180 方向） 0\12 比較例 〔0-1-1〕 〔0-1-1〕（則在偏離角方向或成正 5\24 角於其180 方向之方向） 原處分或認為如引證案所記載之基板具有偏離角與本發明之將偏離角之方向和原料氣 體之供給方向為相同情事，然而兩者實為完全不相同之兩回事。例如，由記載於本案 專利說明書之實施例或比較例可知，縱基板均具有同樣之偏離角，然有關原料氣體之 供給方向，則各別仍有所不同。再者，再訴願決定似將本發明之效果為以減少局部 性之對流所產生之效果，惟此看法乃完全未抓住本案技術思想之中心，蓋即使變更原 料氣體之供給方向和基板之偏向角之方向的關係，其本身對於原料氣體之對流，並不 會賦與任何影響。亦即，基板係如本案專利說明書之圖１、圖２所示，通常為圓板狀 ，無論變換原料氣體之供給方向和基板之偏離角之方向的關係成為任何狀況，以具體 性之操作而言，僅予以旋轉圓板狀之基板，外觀上並有所改變，茲將此一情形，以使 用柱體（Barrel）型支撐器（holder）時之所附上之參考圖１－３來加以說明。參考 圖１－３係依順序對應於本案專利說明書之實施例１、２及比較例。在各圖中，箭頭 乃表示偏轉角方向，亦即〔０－１－１〕之方向。基板表面雖在結晶學上具有各向異 性，惟在外觀上乃如圖所示，完全形成各向同性。因此，在實施例及比較例，即使在 支撐器上予以旋轉基板來改變偏向角方向和原料氣體之供給方向之關係，原料氣體之 供給方向和基板氣體之供給方向之關係，原料氣體之供給方向和基板之外觀上之位置 關係完全未產生改變，因而，可由參考圖而察明對於原料氣體之流動並不具有任何之 影響極為顯明。（亦即，原料氣體之對流，並不會賦與任何影響，或者，應在實例１ 、２及比較例，磊晶層之厚度在同一地方產生同一情況。然而，如專利說明書所說明 ，其結果均為不同。）五、綜上所陳，被告暨一再訴願決定機關未詳察本案相較引證 案之差異所在而忽略了本案之技術特徵及由該技術特徵所獲致之進步功效，而違反被 告現行之專利審查基準規定，其認定事實既非正確，則適用法律更難無違誤等語。 被告答辯意旨略謂︰原告固強調「引證案未揭示偏離角之方向和原料氣體之供給方向 之關係及其效果」然查在磊晶生長此領域中，氣體方向、基板溫度、基板表面處理、 基板holder設計等，皆是影響磊晶品質的因素，實勿庸一一敍述，引證案雖僅就矽及 Ш－Ⅴ族化合物為例說明，實已包含偏離角度與磊晶生長品質的關係，氣體供給方向 更是與對流息息相關，豈可謂無關連，因此，凡熟悉此領域者，本即應可輕易完成， 本案不具進步性等語。 　　理 由 按稱發明者，謂利用自然法則之技術思想之高度創作，為專利法第十九條所規定。若 非技術思想之高度創作，自不得申請取得發明專利。又同法第二十條第二項復規定， 發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無同 條第一項所列情事，仍不得申請取得發明專利。本件原告（原名日商．三菱化成股份 有限公司）於八十三年八月二十六日以其「半導體磊晶晶圓之製造方法」係關於閃亞 鋅型構造型之單結晶半導體磊晶層，以氣相法生長，單結晶半導體基板表面具有偏離 角具（一○○）面之面方向，由偏離角方向或其三十度至一百八十度以內之方向供給 原料氣體，俾改善基板邊緣突起物導致晶片破裂問題等情，向被告申請發明專利。案 經被告編為第00000000號審查、再審查，以 K.K.Schuegraf著，西元一九八 八年出版之〞 Handbook of thin film deposition processes and techniques〞一 書第五十六頁（以下稱引證資料），揭示將基板凹陷於座子或使晶圓邊緣圓化以改善 edgecrown問題，及運用偏離主要facet生長面以改善faceted growth現象，本案改變 供氣體角度之手段，係運用前開習知技術，為熟習該項技術者所能輕易完成，依專利 法第二十條第二項規定，應不予專利，發給（八五）台專（伍）○四○三三字第一二 五九六八號專利再審查審定書。原告雖訴稱本案方法在化合物半導體磊晶晶圓之磊晶 成長過程中，可抑制原料氣體上流側之磊晶晶圓端部背面磊膜層之成長，避免磊晶晶 圓裂開或產生傷痕，本案能以簡便方法解決具閃亞鋅礦型之結晶構造之磊晶龜裂問題 ，具進步性，並檢附申請專利範圍修正本云云，然由 M.A Herman and H.Sitter著， 西元一九八九年出版之”Molecular Beam Eqitaxy，Fundamentals and Current Sta tus 一書第二二五頁，可知為獲得更佳Ш－Ⅴ族化合物磊晶膜品質和元件光電性質， 將基板偏離某平面角度進行磊晶成長，係磊晶工作者習知之技術。改變氣體方向、基 板溫度、表面處理等方式，以得到良好磊晶膜品質，亦屬習知方法，難謂本案具進步 性。至訴願時提出之申請專利範圍修正本，既未經原處分機關審酌，自非本件訴訟論 究之範圍。原告復謂原訴願決定所引文獻並未記載本案之氣體流動方向及將偏離角方 向和氣體流動方向保持特定關係，本案非熟習該引證文獻技術者所能輕易思及云云， 但查引證資料揭示為避免產生faceted growth，俾得到較平滑之磊晶面，通常將（一 一一）面之基板偏離三－五度使朝向（一一○）平面，引證資料並指出磊晶成長於（ 一○○）面則無此問題。從事磊晶成長技術者應熟習磊晶於（一○○）面或使長晶機 構具有偏向（一○○）面之成長方式能得到較佳品質之磊晶。使長晶機構偏向（一○ ○）面之技術縱有多種，惟其主要技術原理一致。蓋引證資料明白揭示edge crown來 自磊晶過程晶圓邊緣局部對流所引起，造成此原因為晶圓邊緣銳角所引起之無抑制成 長。不論閃亞鋅型結構之單晶或如 Silicon之鑽石型結構之單晶成長均無法避免此局 部對流效應。習知磊晶成長機構研究者，可利用減低局部對流設計以達到抑制edge c rown之目的，如引證資料所敍凹陷式基座設計或將邊緣圓化等，均不離此避免局部對 流之技術思想。熟習流體力學或氣體動力學者亦易於推知利用改變氣流方式達到抑制 局部對流之目的，本案並不具創作性，此有財團法人工業技術研究院電子工業研究所 八十六年十二月五日八六工研電審字第○七九三號函暨再訴願答辯意見書附訴願卷足 資佐證。茲原告又以前開事實欄所載理由，起訴主張引證案並未揭示偏離角之方向和 原料氣體之供給方向之關係，同時亦未揭示其效果，本案實為非可輕易完成之具進步 性發明，被告及一再訴願機關未詳查本案相較引證案之差異所在，而忽略本案之技術 特徵及由該特徵所獲致之進步功效，違反現行專利審查基準規定，認事用法均有違誤 云云。惟查在磊晶生長領域中，氣體方向、基板溫度、基板表面處理、基板HOLDER設 計等，皆係影響磊晶品質之因素，引證案固僅就矽及Ш－Ⅴ族化合物為例說明，然實 已包含偏離角度與磊晶生長品質之關係，氣體供給方向更與對流息息相關，故凡熟悉 此領域者，本即應可輕易完成，本案自難謂具進步性，殊屬明確。原告空言指稱原處 分違反現行專利審查基準，尚乏據可徵，難予憑取。從而被告所為不予專利之處分， 並無違誤，一再訴願決定，遞予維持原處分，亦俱無不合。原告起訴論旨，聲明將之 撤銷，難認為有理由，應予駁回。 據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第二十六條後段，判決如主文。 中 華 民 國 八十七 年 六 月 十一 日 行 政 法 院 第 四 庭 審 判 長 評 事 曾 隆 興 評 事 林 清 祥 評 事 吳 仁 評 事 吳 錦 龍 評 事 林 家 惠 右 正 本 證 明 與 原 本 無 異 法院書記官 陳 盛 信 中 華 民 國 八十七 年 六 月 十一 日