最高法院民事判決 109年度
台上字第3131號
上 訴 人 Kioxia Corporation（日商鎧俠股份有限公司，
原名Toshiba Memory Corporation東芝記憶體股
份有限公司）
法 定
代理 人 Michihito Hatsumi（初見通仁）
訴 訟代理 人 黃章典
律師
簡秀如律師
被
上訴 人 力晶科技股份有限公司
兼
法定代理人 黃崇仁
訴 訟代理 人 陳群顯律師
被 上訴 人 力積電子股份有限公司
法 定代理 人 林郁昕
訴 訟代理 人 陳錦隆律師
陳維鈞律師
被 上訴 人 智旺科技股份有限公司
法 定代理 人 洪志賢
被 上訴 人 瑄譽科技股份有限公司
法 定代理 人 張馨文
上列
當事人間請求侵害專利權有關財產權爭議等事件，上訴人對
於中華民國108年10月3日智慧財產及商業法院第二審判決（ 107
年度民專上字第10號），提起上訴，本院判決如下：
主 文
上訴駁回。
第三審
訴訟費用由上訴人負擔。
理 由
一、
本件被上訴人力晶科技股份有限公司（下稱力晶公司）、力
積電子股份有限公司（下稱力積公司）法定代理人已變更為
黃崇仁、林郁昕，並經其等具狀聲明
承受訴訟，
核無不合，
應予准許，
合先敘明。
二、其次，上訴人主張：伊為中華民國第154717號「
非揮發性半
導體記憶體」、第I238412 號「半導體積體電路」發明專利
（下稱
系爭專利一、二，合稱系爭專利）之專利權人。
詎力
晶公司、力積公司、被上訴人智旺科技股份有限公司自民國
99年間起製造、設計或協助製造，由被上訴人瑄譽科技股份
有限公司（下稱瑄譽公司，與
上開3公司合稱力晶等4公司）
銷售型號A5U1GA31ATS-BC、A5U2GA31BTS -BC、A5U4GA31ATS
-BC 號記憶體產品（下稱系爭產品），落入系爭專利一請求
項1、3、5、6及系爭專利二請求項7 、13、15、17、18之申
請專利範圍，共同侵害系爭專利，黃崇仁為
侵權行為時力晶
公司董事長，卸任後為該公司董事
等情。
爰依102年1月1 日
修正施行前（下稱修正前）專利法第84條第1 項前段、現行
專利法第96條第1項至第3項、
民法第185條、公司法第8條第
1項、第2項、第23條第2 項規定，求為命⑴力晶公司、被上
訴人黃崇仁
連帶給付新臺幣（下同）2 億元本息，⑵力積公
司就其中9,982萬2,173元本息與力晶公司負連帶給付之責，
⑶前2項如任1人給付，其他人於給付範圍內免給付責任，⑷
力晶等4 公司不得製造、為販賣要約、販賣、使用或進口系
爭產品及其他一切侵害系爭專利之產品，
暨力晶公司、力積
公司、瑄譽公司將系爭產品回收並銷燬之判決（未繫屬本院
者，不予贅述）。
三、被上訴人則以：系爭專利一說明書及申請專利範圍未載明實
施必要事項，且其請求項1、3、5、6不具進步性；另系爭專
利二不具新穎性及進步性，均有法定應撤銷事由，上訴人不
得對伊主張權利；系爭產品亦未落入系爭專利上開請求項文
義或均等範圍等語，資為
抗辯。
四、原審以：
㈠上訴人係系爭專利之專利權人，系爭產品係力積公司委由力
晶公司代工生產晶圓後，再自行或委外切割為晶粒，及委外
進行封裝、測試後對外銷售，或交由瑄譽公司經銷，黃崇仁
於101 年11月11日前係力晶公司董事長，是日後為董事並為
執行長，為
兩造所不爭，有系爭專利發明書、系爭產品規格
書等
可稽。
㈡系爭專利一有無得撤銷之事由，應依91年4月3日核准審定時
即90年10月26日修正公布、91年1月1日施行之專利法（下稱
90年專利法）規定。
按申請前已見於刊物或已公開使用者；
發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者
所能輕易完成時，不得依本法申請取得發明專利；說明書包
含發明說明及申請專利範圍，說明書或圖式不載明實施必要
之事項，使實施為不可能或困難者，專利專責機關應
依職權
撤銷其發明專利；90年專利法第20條第1項第1款、第2 項、
第71條第3款、83年10月3日修正之同法施行細則第15條、第
16條定有明文。查⑴系爭專利一申請專利範圍請求項1 為獨
立項，其係一種非揮發性半導體記憶體，包含至少一個記憶
體單元；及選擇閘電晶體，係連接於前述至少一個記憶體單
元和位元線之間；其中寫入操作係在連續的第一、第二及第
三
期間的前述選擇閘電晶體的閘極電位分別為第一、第二及
第三電位時，第一電位＞第三電位＞第二電位的關係成立者
。依其說明書可知該專利係施予程式電位Vpgm至選擇字元線
之前（包含升壓至Vpgm之期間），將汲極側選擇閘線SGD 電
位由VSG1（第一電位）降至VSG2（第二電位），且第二電位
需低至使汲極側選擇閘電晶體斷開，以達成避免漏電流及寫
入錯誤之目的，
惟請求項1 缺乏「第二電位（或第二期間）
使選擇閘電晶體呈斷開狀態」及「第二電位（或第二期間）
係發生在供應程式電位至選擇字元線之前」之必要技術特徵
（下稱A、B技術特徵），致無法確認各電位（或期間）對於
選擇閘電晶體之功能或作用，及其與選擇字元線程式電位Vp
gm之關連性。請求項3、5、6（附屬項），請求項3、5 未記
載A、B技術特徵，請求項6未記載B技術特徵，足見其未載明
實施之必要技術內容，致實施為不可能或困難，違反90年專
利法第71條第3 款規定。⑵按智慧財產案件審理細則（下稱
智財審理細則）第28條第2 項規定，關於智慧財產權有無應
撤銷之同一事實及證據，業經行政爭訟程序認定舉發不成立
確定，於智慧財產民事訴訟程序中，不得再行主張。經濟部
智慧財產局（下稱智財局）106年3月14日就該專利舉發案（
N01 ）審定舉發不成立確定（下稱系爭舉發案），其舉發人
係主張請求項1、3、5、6未載明第一、二、三期間及寫入操
作等，與本件被上訴人抗辯上開請求項未載明A、B必要技術
特徵，非屬同一事實，無上開規定之
適用。⑶上證4「Vpre+
Vthssl」、「Vcc/ Vst」對應揭露系爭專利一請求項1第一
、二電位技術特徵，且該請求項未具體界定第三電位之數值
；上證4圖12持續施予第二電位Vcc使選擇閘電晶體ST1 在字
元線WL2 寫入過程結束前均為斷開，與系爭專利一以第二、
三電位（較第二電位高）使選擇閘電晶體在寫入過程結束前
持續斷開，屬實質相同之技術手段；而電容耦合、漏電流或
寫抑制電位降低，實質上為相同技術問題，並以充分斷開選
擇閘電晶體為解決問題之技術手段，係習知電位之簡單選擇
與變化，請求項1、3、5
乃該技術領域中具有通常知識者依
上證4教示所能輕易完成，並揭露請求項6選擇閘電晶體斷開
之技術特徵，足見上開請求項不具進步性。
㈢系爭專利二有無得撤銷之事由，應依94年5 月11日核准審定
時之92年2月6日修正公布、93年7月1日施行之專利法（下稱
92年專利法）規定。按申請前已見於刊物或已公開使用者；
或為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前先前技術所
能輕易完成者，不得申請取得發明專利，92年專利法第22條
第1項第1款、第4 項、第67條亦有明文。⑴系爭專利二申請
專利範圍請求項7 為獨立項，其係一種半導體積體電路，具
備：成功/ 失敗判定電路，其係配置成判定前一動作結果，
並輸出成功/失敗信號（下稱判定電路）；成功/失敗保留電
路，其係連結為接收上述成功/ 失敗信號，用以分別保留上
述連續進行之第一動作及第二動作之各個成功/ 失敗結果（
下稱保留電路）；及輸出電路，其係配置成於前述第一動作
及第二動作連續執行時，輸出保留於上述成功/ 失敗保留電
路內之上述第一動作及第二動作之各個成功/ 失敗結果（下
稱輸出電路）。請求項13、15、17、18為其附屬項，揭露「
連續執行第一動作與第二動作」、「上述第一、第二動作均
係資料寫入動作」、「上述第一、第二動作係於具有包含非
揮發性記憶體單元之記憶體單元陣列的非揮發性半導體儲存
電路執行」、「上述記憶體單元陣列包含配置成行列狀之數
個NAND型單元」之附屬技術特徵（下稱系爭附屬技術特徵）
。⑵被證3 係一寫入狀態偵測電路，具有第一、二暫存器，
用以接收、保留及輸出來自資料狀態偵測電路寫處之成功 /
失敗結果，且其寫入資料大於1 頁時，需多次連續寫入動作
，並記載非揮發性半導體記憶裝置，及具有NAND型之記憶體
單元陣列；被證8、8-5為一快閃記憶體架構及其操作方法規
格書0.0版，製作日期90年7月5 日，早於系爭專利二之最早
優先權日同年12月19日，其狀態暫存器可供儲存頁寫入、區
塊抹除及快取寫入等動作之成功/ 失敗結果，在寫入動作後
具驗證寫入成功/失敗之步驟，並呈輸出狀態，圖9有連續多
個快取寫入動作，圖1-1具NAND快閃記憶體陣列；上證5係一
快閃記憶體架構及其操作方法，具NAND快閃記憶體陣列、頁
暫存器等電路、可供儲存寫入或抹除動作是否結束及成功
與
否之結果、用以驗證寫入、抹除動作成功/ 失敗之電路、依
序獲得多次寫入動作成功/ 失敗結果、輸出驅動器連接至輸
處/ 輸出端子，並指出連續之虛頁寫入動作；均對應揭露系
爭專利二請求項7 判定、保留、輸出電路之全部技術特徵及
請求項13、15、17、18之系爭附屬技術特徵。⑶被證15之快
閃記憶體，包含模式控制電路、狀態暫存器、輸出緩衝器等
，可儲存或保留記憶體內部寫入動作成功或失敗結果狀態，
判斷來自外部輸入輸出端子之各指令，當執行抹除、寫入操
作時，可通知外部電路該結果，亦包含記憶體單元陣列，可
應用在NAND型記憶體陣列，對應揭露請求項7 之判定、保留
、輸出電路及請求項13、17、18之附屬技術特徵，該等請求
項不具新穎性及進步性，請求項15不具進步性。⑷被證2 係
一快閃記憶體，具記憶體陣列、驗證電路、驗證狀態輸出電
路、第一、二鎖存電路、輸出電路等，可輸出驗證狀態資訊
，指示對於記憶體陣列進行寫入或抹除動作之驗證結果，並
可暫時將之儲存，其圖1揭露M個頁緩衝器及分為N 個子區塊
，可輸出多次寫入或抹除驗證結果，已對應揭露系爭專利二
請求項7、13、15、17、18全部技術特徵，不具進步性。
㈣綜上，系爭專利一請求項1、3、5、6違反核准時專利法第71
條第3款規定，且不具進步性；系爭專利二請求項7、13、15
、17、18不具新穎性、進步性。上訴人依修正前專利法第84
條第1項前段、現行專利法第96條第1項至第3項、民法第185
條、公司法第8條第1項、第2項、第23條第2項規定，請求⑴
力晶公司、黃崇仁連帶給付2 億元本息，⑵力積公司就其中
9,982萬2,173元本息與力晶公司負連帶給付之責，⑶前2 項
如任1人給付，其他人於給付範圍內免給付責任，⑷力晶等4
公司不得製造、為販賣要約、販賣、使用或進口系爭產品及
其他一切侵害系爭專利之產品，暨力晶公司、力積公司、瑄
譽公司將系爭產品回收並銷燬，為無理由，應予駁回。爰維
持第一審所為上訴人敗訴之判決，駁回其上訴。
五、按90年專利法第72條第2 項規定，舉發案經審查不成立者，
任何人不得以同一事實及同一證據，再為舉發。上開規定，
於92年專利法、100年12月21日修正為同法第67條第4項及現
行專利法第81條第1 款。又當事人主張或抗辯智慧財產權有
應撤銷、廢止之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自
為判斷，智慧財產案件審理法第16條第1 項定有明文。另關
於該智慧財產權有效性爭點之同一事實及證據，倘經行政爭
訟程序認定舉發不成立確定，當事人於實體法上既不得再行
舉發，基於
誠信原則，於智慧財產民事訴訟中即不得再行爭
執，此觀智財審理細則第28條第2 項規定亦明。原審認系爭
舉發案舉發人以系爭專利一請求項1、3、5、6未載明第一、
第二及第三期間及寫入操作等，欠缺說明書或圖式之支持，
與本件被上訴人抗辯系爭專利請求項1缺乏A、B 技術特徵等
必要技術內容，非屬同一事實，無智財審理細則第28條第 2
項之適用，經核於法並無違背。次按智慧財產案件審理法第
17條第1項規定，法院為判斷當事人依前條第1項所為之主張
或抗辯，於必要時，得以
裁定命智慧財產專責機關參加訴訟
。其立法理由乃因智慧財產專責機關為智慧財產註冊審核之
主管機關，智慧財產訴訟之結果，與智慧財產專責機關之職
權有關，自宜使其得適時就智慧財產之訴訟表示專業上意見
，爰明定法院認有必要時得命其參加訴訟。惟是否有上開必
要，應由事實審法院視個案具體情事衡情裁量。原審已說明
系爭專利有無應予撤銷、廢止之原因，法院應自為判斷，則
原審未通知智財局參加訴訟，並自行判斷系爭專利有應撤銷
事由，於法亦無不合。上訴論旨，指摘原
判決違背法令，求
予廢棄，非有理由。
六、據上論結，本件上訴為無理由。依民事訴訟法第481 條、第
449條第1項、第78條，判決如主文。
中 華 民 國 111 年 4 月 13 日
最高法院民事第八庭
審判長法官 陳 玉 完
法官 陳 麗 玲
法官 黃 書 苑
法官 謝 說 容
法官 周 舒 雁
本件
正本證明與原本無異
書 記 官
中 華 民 國 111 年 4 月 20 日