111年度刑智上重更一字第1號

上  訴  人  臺灣臺中地方檢察署檢察官

上  訴  人

即  被  告  何建廷                         

選任辯護人  賈俊益律師   

上  訴  人

即  被  告  王永銘                         

選任辯護人  王永春律師 

            謝佩軒律師     

上  訴  人

即  被  告  戎樂天                       

選任辯護人  賴淑芬律師   

            蔡菁華律師   

            陳明律師     

上列上訴人等因被告等違反營業秘密法等案件，不服臺灣臺中地方法院106年度智訴字第 11號，中華民國109年6月12日第一審判決（起訴案號：臺灣臺中地方檢察署106年度偵字第4520、5612

、5613、11035號），提起上訴，判決後經最高法院第一次發回更審，本院判決如下：

原判決關於何建廷、王永銘、戎樂天部分撤銷。

何建廷犯如附表一編號1所示之罪，處如附表一編號1所示之刑及沒收。

王永銘犯如附表一編號2所示之罪，處如附表一編號2所示之刑及沒收。

戎樂天被訴違反營業秘密法第十三條之二第一項之罪部分無罪；被訴違反營業秘密法第十三條之一第一項第四款之罪部分公訴不受理。

一、何建廷、王永銘前係位於○○市○○區○○路0段000號之瑞晶電子股份有限公司（Rexchip Electronics Corp.,Rexchip，下稱瑞晶公司）員工。瑞晶公司由日本Elpida Memory,Inc.（下稱日本爾必達公司）與力晶半導體股份有限公司（Powerchip Semiconductor Corp. ,PSC）合資設立之公司，從事動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，下稱DRAM）晶圓之專業代工。力晶半導體股份有限公司嗣於民國99年6月7日更名為力晶科技股份有限公司（Powerchip Technology Corp.，下稱力晶公司）。美國Micron Technology,Inc.（MTI，下稱美國美光公司）總部設在美國愛達荷州波伊西市，主要業務為製造與銷售DRAM、NAND fla sh及 NOR flash記憶體產品，暨封裝解決方案與半導體系統，前於 102年間收購日本爾必達公司、瑞晶公司之多數股權，日本爾必達公司於併購後更名為Micron Memory Japan ,Inc.（下稱日本美光公司），瑞晶公司於102年 8月21日更名為臺灣美光記憶體股份有限公司（Micron Memory Taiwan CO.,LTD.,MMT，下稱臺灣美光公司），故何建廷、王永銘成為臺灣美光公司之員工。美國美光公司曾於109年9月2日，將屬於公司所有之智慧財產權授權予000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000，將簽約前或合約存續期間，因工作所取得之智慧財產權，包含營業秘密，轉讓予美國美光公司，並於同日經由0000000000000之授權，而得使用屬於美國美光公司之智慧財產權。而美國美光公司對於製造DRAM晶圓之方法、技術、製程、設計等資訊（如附件所示，下稱本案資訊），並未將該等資訊對外公開，非一般公眾或同業所得知悉，又該等資訊如遭競爭同業取得，將可能導致美國美光公司競爭優勢之削減，具高度經濟價值，復將該等資訊以電磁紀錄方式保存在具有加密及管制存取功能之電腦伺服器，臺灣美光公司員工登入電腦伺服器存取電磁紀錄時，需輸入帳號及密碼，且自105年4月20日起，即不得使用連接電腦與外部儲存設備之一種端口(USB PORT )進行存取等管制措施，而已採取合理之保密措施，是本案資訊為營業秘密法第2條之營業秘密。

二、何建廷於103年2月24日在臺灣美光公司任職時，曾簽訂聘僱合約及保密暨智慧財產合約，約定何建廷與臺灣美光公司之僱傭關係終止時，何建廷應將斯時擁有或掌握之機密資訊（ 包含營業秘密）文件、紀錄、筆記本或其他可存放機密資訊之物品留予公司，包括其複本與紙本及電子方式保存之資訊 。倘何建廷在非臺灣美光公司之財產上存有機密資訊，應將此等機密資訊返還，並銷毀其擁有或掌握之複本。何建廷因擔任臺灣美光公司之量產整合部課長職務，其於任職期間，使用臺灣美光公司之電腦系統，自臺灣美光公司及美國美光公司之伺服器，讀取屬於美國美光公司DRAM製程之 A電磁紀錄(詳如附件一(一)所示，業經檢察官更正如附件一(一))，並下載重製至己所有之行動硬碟(即附表三編號25)及隨身碟（即附表三編號35)，且持有美國美光公司營業秘密之B紙本資料（詳如附件一(二)所示，業經檢察官更正如附件一(二)所示；即附表三編號34、36)。何建廷雖於104年10月15日自臺灣美光公司離職，惟未依照上開合約內容，刪除或銷毀所持有之A電磁紀錄及B紙本資料，並於104年11月5日至聯華電子股份有限公司（United Microelectronics Corp.,UMC，下稱聯電公司 ）任職，嗣於105年4月間，擔任聯電公司新事業發展中心(New Business Development,NBD)專案技術二處(PM2)部門下之製程整合一部（PI1）經理。何建廷在聯電公司任職期間，竟意圖為自己不法之利益及損害美國美光公司之利益，基於持有營業秘密，經營業秘密所有人告知應刪除、銷毀後，不為刪除、銷毀及持有營業秘密，逾越授權範圍而使用該營業秘密之犯意，其於104年10月15日自臺灣美光公司離職後，迄106年2月7日為法務部調查局新北市調查處（下稱新北市調查處）執行搜索前之期間，不為刪除或銷毀A電磁紀錄及B紙本資料，進而逾越臺灣美光公司原授權使用該等資訊之範圍，而於104年11月 5日至聯電公司任職起，迄新北市調查處於106年 2月7日為執行搜索前之某日，在○○市○○區○○○路0號000室即聯電公司宿舍、○○市○○區○○○路00號之聯電公司0000廠第二廠區PM2辦公室，以聯電公司所配發，並已解除USB PORT管制之筆記型電腦(即附表三編號37)，讀取使用A電磁紀錄(鑑驗後另儲存於附表三編號38所示硬碟)，並將如附件一(一)編號1916所示電磁紀錄，重製在上開筆記型電腦內，且將 B紙本資料攜帶至聯電公司辦公室內供己閱覽使用。

三、王永銘原在臺灣美光公司擔任製程整合部副理，曾於103年2月26日與臺灣美光公司簽訂聘僱合約及保密暨智慧財產合約，嗣於105年1月15日調任品質工程部副理，權限雖可查詢臺灣美光公司所有成品相關資料，以確認DRAM晶圓產品符合客戶要求之規格及品質，然無權限重製或下載 C電磁紀錄（詳如附件二(一)所示）及 D紙本資料(詳如附件二(二)所示)。其任職時曾簽署聘僱合約與保密暨智慧財產合約，明知其業務上所知悉、持有之電磁紀錄等與研發DRAM有關之技術、製程、設計等資訊，均係美國美光公司所有營業秘密，未經授權或非為執行職務需要，不得傳輸、攜出、列印、傳真或用其他方式散布、重製、使用或洩漏美國美光公司之營業秘密。詎王永銘於105年 4月5日向臺灣美光公司提出辭職申請，經臺灣美光公司同意後，嗣於105年4月26日離職，並簽署離職聲明，而為下列犯行:

(一)王永銘竟意圖為自己不法之利益及損害美國美光公司之利益，基於擅自重製營業秘密及無故取得他人電磁紀錄之犯意，利用任職臺灣美光公司之期間，自105年 4月16日起至同年4月23日止之某日，使用臺灣美光公司所配發之筆記型電腦(即附表三編號1），自臺灣美光公司及美國美光公司之伺服 器，讀取屬於美國美光公司DRAM製程等營業秘密之C電磁紀錄(業據檢察官更正如附件二(一)所示)，並非法下載重製至臺灣美光公司所有，而由其所使用之筆記型電腦（即附表三編號1，鑑驗後另儲存於附表三編號38所示硬碟）後，自105年4月16日起至同年 4月23日止，接續擅自將C電磁紀錄非法重製至己所有之隨身碟（即附表三編號3），繼而以隨身碟轉存備份C電磁紀錄至己所有之COMPAQ筆記型電腦(即附表三編號2，重製範圍如附表二編號1所示）及ACER筆記型電腦(即附表三編號6，重製範圍如附表二編號2所示)，並上傳至Google Drive網路雲端硬碟（帳號00000000000000.com，重製範圍如附表二編號 3所示，另儲存於附表三編號24），而非法取得美國美光公司、臺灣美光公司上開營業秘密之電磁紀錄，致生損害於美國美光公司、臺灣美光公司對於電磁紀錄保存之完整性與隱密性。

(二)王永銘於105年4月28日至聯電公司新事業發展中心專案技術二處（PM2)擔任元件部(Device)技術經理後，詎基於意圖為自己不法之利益及損害美國美光公司利益，接續擅自重製營業秘密，並進而使用營業秘密之犯意，在聯電公司任職期間，以己所有之行動電話(即附表三編號16)及聯電公司所配發之筆記型電腦(即附表三編號19)，連接網路直接讀取上開Google Drive網路雲端硬碟所儲存之電磁紀錄，復接續以行動電話(即附表三編號16)、筆記型電腦(即附表三編號19)、隨身硬碟(即附表三編號5)、隨身碟（即附表三編號20）分別下載備份如附表二編號4至7所示電磁紀錄(重製範圍如附表二編號4至7所示)，並下載臺灣美光公司所使用之「DRAM設計規則」電磁紀錄（檔名「【DR25nmS】Temporary design rules Periphery Rev.06」，下稱 DR25nmS設計規則）及其他電磁紀錄，接著列印成 D紙本資料（業經檢察官更正如附件二(二)所示，即附表三編號9、22），而擅自非法重製美國美光公司之營業秘密，繼而在聯電公司辦公室、宿舍等處供己閱覽使用該等營業秘密。

四、臺灣美光公司於王永銘離職後，經清查後發現王永銘擅自重製 C電磁紀錄，美國美光公司、臺灣美光公司為此向新北市調查處提出告訴，並提出如附表三編號 1所示之筆記型電腦供扣押。嗣新北市調查處調查官於106年2月7日，持搜索票  ，前往○○市○○區○○巷00號、○○市○○區○○○○路0段000號00樓之0、○○市○○區○○○路000號與000號0至0樓、○○市○○區○○○路00號及其相通連之處所(王永銘位於聯電公司000000第二廠區之產品經理辦公室）等處執行搜索，並扣得附表三編號 2至19所示之物品。且臺灣臺中地方檢察署檢察官前於106年 2月8日訊問何建廷時，開庭後何建廷主動提出如附表三編號25所示之行動硬碟供扣押；另於106年2月 9日扣得如附表三編號20至23所示物品。新北市調查處調查官另於106年2月14日持搜索票，至○○市○○區○○○路00號聯電公司000000第二廠區之新事業發展中心之專案技術二處PM2之何建廷個人辦公室執行搜索，並扣得如附表三編號26至33所示物品，始查悉上情。

五、案經臺灣美光公司、美國美光公司訴由新北市調查處移送臺灣臺中地方檢察署檢察官偵查起訴。　　

甲、有罪部分：

壹、程序部分:

一、本件審理範圍：

(一)檢察官起訴上訴人即何建廷、王永銘等人違反營業秘密法等案件，經原審判決後，檢察官及何建廷、王永銘、戎樂天等人均不服提起上訴，本院前審審理後，以 109年度刑智上重訴字第 4號刑事判決就被告何建廷部分，撤銷其涉犯營業秘密法第13條之2之罪部分，改量處營業秘密法第13條之1之罪及罪刑，另就所涉營業秘密法第13條之2改判不另為無罪諭知；就被告王永銘部分，撤銷其涉犯營業秘密法第13條之2之罪部分，改量處營業秘密法第13條之1、洩漏工商秘密、背信等罪及罪刑，另就所涉營業秘密法第13條之 2、違反著作權等罪改判不另為無罪諭知；就戎樂天所涉營業秘密法第13條之2、第13條之1之科刑判決，改判無罪及公訴不受理；檢察官不服判決，向最高法院提起上訴。

(二)最高法院經審理後，認本院前審判決關於何建廷、王永銘、戎樂天涉犯營業秘密法等部分具有撤銷發回更審之原因；至於王永銘被訴違反著作權法部分，業經前審即本院 109年度刑智上重訴字第 4號刑事判決不另為無罪之諭知，未經檢察官上訴而告確定，是以上開部分已非本案審理範圍。

(三)從而，本院本次審理範圍僅限於何建廷、戎樂天涉犯違反營業秘密法部分，王永銘僅限於營業秘密法第13條之2、第13條之1第1項之罪、刑法第317條、第318條之 1、第318條之2妨害秘密罪、同法第342條第1項背信罪部分，合先敘明。

二、本件告訴人臺灣美光公司有告訴權：  

    又按「刑事訴訟法第232 條所謂犯罪之被害人，指因犯罪行為直接受損害之人。就財產犯罪言，所有權人固為被害人，即對於該財產事實上有使用監督之人，因他人之犯罪行為致其使用監督權受侵害者，亦不失為直接被害人」，最高法院90年度台非字第97號判決意旨可資參照。查，被告何建廷、王永銘原為臺灣美光公司員工，利用任職於臺灣美光公司期間，使用臺灣美光公司之電腦系統，自臺灣美光公司及美國美光公司之伺服器中，取得或持有大量美國美光公司所有而授權臺灣美光公司使用之營業秘密。臺灣美光公司為美國美光公司授權使用營業秘密之合法被授權人（詳後述），就持有之營業秘密享有使用監督之權利，因被告何建廷、王永銘之不法行為致臺灣美光公司使用監督權遭侵害，臺灣美光公司為受害人，依前開說明，自得對侵害營業秘密之犯罪行為人提起告訴。

三、證據能力部分：

貳、實體部分

一、認定犯罪所憑之證據及理由：

(一)被告何建廷部分：

    上揭犯罪事實，業據被告何建廷於本院準備程序及審理時均坦承不諱(參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷四第15

　　8、364頁、卷十第236頁)，並有證人即臺灣美光公司製造工程處處長陳俋菱於調詢、偵訊及原審審理時(參見105年度他字第6099號卷二第118至124頁、第182至187頁、第383至387頁、106年度智訴字第11號卷十三第279至362頁)、證人即臺美光公司資訊部門處長程偉於原審審理時(參見106年度智訴字第11號卷十四第97至98頁、第103至106頁、第129至135頁

　　）、證人即臺灣美光公司法務經理陳希賢於調詢及原審審理時（參見105年度他字第6099號卷一第132至147頁、106年度智訴字第11號卷十一第71至88頁）、證人即臺灣美光公司整合部經理洪伯昌於原審審理時(參見106年度智訴字第11號卷十三第201至211頁、第233至234頁）、證人即聯電公司資深副總經理陳正坤於調詢及偵訊中(參見105年度他字第6099號卷一第387至393頁、第396至401頁）之證述在卷，復有被告何建廷之人事資料卡影本(參見105年度他字第6099號卷二第203頁）、瑞晶公司與被告何建廷簽署之聘僱合約書影本、臺灣美光公司103年2月24日與被告何建廷簽署之「聘僱合約及保密及智慧財產合約」影本(參見105年度他字第6099號卷二第193至200頁)、無權存取公用資料夾之警語(告證36，參見106年度智訴字第11號卷二十三第171頁）、無權限存取資料夾頁面之警語(告證37，參見原審卷二十三第173頁）、臺灣美光公司105年4月19日(105)美光字第0040號函（參見105年度他字第6099號卷二第191至192頁）、臺灣美光公司104年2月26日電子郵件及104年4月28日電子郵件（參見106年度智訴字第11號卷六第435至436頁、卷二十三第177頁）、連接外部雲端網站時顯示之警語(告證41，參見106年度智訴字第11號卷二十三第181頁）、美國美光公司與臺灣美光公司於103年2月28日簽訂之MIT/MMT Design Engineering Services Agreement（參見105年度他字第6099號卷一第206至216頁)、截圖照片（參見106年度智訴字第11號限制閱覽卷一第53至55頁）、附表三編號38所示硬碟內之檔案擷取照片（參見106年度智訴字第11號限制閱覽卷一第207頁、卷二第75頁)、法務部調查局106030案件鑑定報告(參見新北市調查處卷(下稱調查卷)二第570至574頁）、A電磁紀錄暨 B紙本資料所示之檔案資料及扣案之附表三編號25、34、35、36、37、38所示之物等在卷可稽，俱徵被告何建廷上開自白確與事實相符，堪以採信，從而，本件事證明確，被告何建廷犯行洵堪認定。

(二)被告王永銘部分：

    上揭犯罪事實，業據被告王永銘於本院準備程序及審理時均坦承不諱(參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷四第159、364頁、卷十第236頁），並有證人陳俋菱於調詢、偵訊及原審審理時（參見105年度他字第6099號卷二第118至124頁、第182至187頁、第383至387頁、106年度智訴字第 11號卷十三第279頁至361頁）、證人程偉於原審審理時(參見106年度智訴字第11號卷十四第97至123頁）、證人陳希賢於調詢中（參見105年度他字第6099號卷一第132至147頁)、證人即美國美光公司資訊科技安全部門員工J.R.Tietsort於調詢中（參見105年度他字第6099號卷一第155至163頁)、證人洪伯昌於原審審理時(參見106年度智訴字第11號十三第208頁至234頁）、證人陳正坤於調詢及偵訊（參見105年度他字第6099號卷一第387至393頁、第396至401頁）、證人負責電磁紀錄數位鑑識之承辦人員簡稚軒於原審審理時(參見106年度智訴字第11號卷十四第376至391頁）、證人即曾檢視附表三編號1筆記型電腦內之電磁紀錄映象檔之朱成光於原審審理時（參見106年度智訴字第11號卷二十一第326至349頁）之證述在卷，復有被告王永銘之離職申請單與人資晤談紀錄(參見105年度他字第6099號卷一第73至74頁）、被告王永銘於103年2月26日簽署之「聘僱合約及保密及智慧財產合約」影本(參見105年度他字第6099號卷一第104至121頁）、被告王永銘於105年4月26日簽署之「辭職聲明」（參見105年度他字第6099號卷一第127至131頁)、無權存取公用資料夾之警語（告證36，參見106年度智訴字第11號卷二十三第171頁)、無權限存取資料夾頁面之警語(告證37，參見106年度智訴字第11號卷二十三第173頁）、被告王永銘下載美光公司機密檔案紀錄(告證16，參見105年度他字第6099號卷一第83至97頁)、被告王永銘105年3月20日至同年4月26日出勤及門禁刷卡紀錄(參見105年度他字第6099號卷一第78至81頁)、臺灣美光公司104年2月26日電子郵件及104年4月28日電子郵件(參見106年度智訴字第11號卷六第435至436頁、卷二十三第177頁)、連接外部雲端網站時顯示之警語(告證41，參見106年度智訴字第11號卷二十三第181頁）、美國美光公司與臺灣美光公司於103年2月28日簽訂之MIT/MMT Design Engineering Services Agreement(參見105年度他字第6099號卷一第206至216頁)、法務部調查局105年10月 5日調資伍字第10514003  270號函檢送案件編號105178鑑定報告(參見調查卷二第543至544頁）、法務部調查局新北市調查處106年2 月23日調資伍字第00000000000號函檢送案件編號106030鑑識報告（參見調查卷二第570至574頁)、檔案清單(參見調查卷二第575頁)、被告王永銘所用雲端硬碟之檔案清單（參見調查卷二第576至678頁）、C電磁紀錄暨D紙本資料所示之檔案資料及扣案附表三編號1、2、3、6、9、16、19、20、22、24、38所示之物等在卷可稽，俱徵被告王永銘上開自白確與事實相符，堪以採信，從而，本件事證明確，被告王永銘犯行洵堪認定。

二、論罪：

(一)被告王永銘行為前，刑法第359條雖於108年12月25日經修正公布，同年12月27日施行，惟查修正前刑法第 359條係依刑法施行法第1條之1第2項但書規定將罰金數額提高為3倍，其修正之結果僅是將修正前之罰金數額調整換算後予以明定，不生有利或不利於行為人之情形，自非法律變更，當亦不生新舊法比較之問題，而應依一般法律適用原則，逕行適用裁判時法，合先敘明。

(二)核被告何建廷所為，係犯營業秘密法第13條之1第 1項第3款之經營業秘密所有人告知應刪除、銷毀營業秘密，仍不為刪除、銷毀營業秘密罪及同項第 2款之持有營業秘密，逾越授權範圍而使用該營業秘密罪。被告何建廷所為重製營業秘密之低度行為，為使用營業秘密之高度行為吸收，不另論罪。被告何建廷於離職後前往聯電公司期間，擅自使用該等營業秘密之犯行，係基同一目的之單一犯意，在密接時地，侵害同一法益，各該行為之外在獨立性甚低，可認其主觀上對於前後所實行各該舉動不過為其侵害營業秘密犯行之一部分

　　，而依一般社會通念，在刑法評價上，以視為數個舉動之接續施行，合為包括之一行為予以評價，較為合理，應論以接續犯之一罪。被告何建廷接續為前揭行為而涉犯前開數罪名

　　，乃屬一行為觸犯數罪名之想像競合犯，應依刑法第55條前段，從一重之營業秘密法第13條之1第 1項第2款知悉及持有營業秘密逾越授權範圍而使用該營業秘密罪處斷。檢察官起訴書B紙本資料雖未論及附件一(二)編號10至12所示資料，

　　然此部分與附件一(二)編號1至9所示資料有實質上一罪關係

　　，為起訴效力所及，自應併予審理。檢察官起訴書記載被告何建廷使用附表三編號37所示筆記型電腦讀取使用 A電磁紀錄，然未論及以附表三編號37所示電腦重製如附件一(一)編號1916所示A電磁紀錄，此部分與上開使用A電磁紀錄有實質上一罪關係，為起訴效力所及，自應併予審理。

(三)核被告王永銘所為，係犯營業秘密法第13條之1第1項第1款之擅自重製營業秘密後進而使用罪、刑法第359條之無故取得他人電磁紀錄罪。被告王永銘所為重製營業秘密之低度行為，為使用營業秘密之高度行為吸收，不另論罪。被告王永銘於離職前，接續擅自重製而取得告訴人公司之營業秘密及電磁紀錄，又於離職後前往聯電公司期間，擅自重製、使用該等營業秘密之犯行，係基同一目的之單一犯意，在密接時間內，侵害同一法益，各該行為之外在獨立性甚低，可認其主觀上對於前後所實行各該舉動不過為其侵害營業秘密犯行之一部分，而依一般社會通念，在刑法評價上，以視為數個舉動之接續施行，合為包括之一行為予以評價，較為合理，應論以接續犯之一罪。被告王永銘接續為前揭行為而涉犯前開數罪名，乃屬一行為觸犯數罪名之想像競合犯，應依刑法第55條前段，從一重之營業秘密法第13條之1第1項第 1款擅自重製營業秘密後進而使用罪處斷。檢察官起訴書 C電磁紀錄檔案數量為931個，雖未論及其餘150個檔案之部分，然此部分與上開檔案有實質上一罪關係，為起訴效力所及，自應併予審理。檢察官起訴書 D紙本資料雖未論及附件二(二)編號 1所示資料，然此部分與附件二(二)編號 2至15所示資料有實質上一罪關係，為起訴效力所及，自應併予審理。檢察官起訴書記載被告王永銘使用附表三編號 1、2、6所示之物下載重製C電磁紀錄，然未論及以附表三編號5、16、19、20所示之物下載重製如附表二編號4至7所示C電磁紀錄，然此部分與上開附表三編號 1、2、6所示之物下載重製C電磁紀錄有實質上一罪關係，為起訴效力所及，自應併予審理。

(四)刑之減輕:

　⒈按證人保護法第14條第1項規定：「第2條所列刑事案件之被告或犯罪嫌疑人，於偵查中供述與該案案情有重要關係之待證事項或其他正犯或共犯之犯罪事證，因而使檢察官得以追訴該案之其他正犯或共犯者，以經檢察官事先同意者為限，就其因供述所涉之犯罪，減輕或免除其刑」。揆其立法目的

　　，係藉刑罰減免之誘因，以鼓勵刑事案件之被告或犯罪嫌疑人，使其勇於供出與案情有重要關係之待證事項或其他正犯或共犯犯罪之事證，以協助檢察官有效追訴其他正犯或共犯

　　。既稱因而使檢察官「得以追訴」該案之其他正犯或共犯者

　　，而非繫於必須將其他正犯或共犯予以判決定罪，只要被告或犯罪嫌疑人所供情節並非明顯不合情理，亦非為圖減輕或免除刑責，故意對與案情有重要關係之待證事項為不實之供述，或虛構其他正犯或共犯犯罪之事證，因而使檢察官得以有效偵查起訴該正犯或共犯，即有上開法條規定減輕或免除其刑適用之餘地（最高法院100年度台上字第 5757號判決意旨參照）。查被告王永銘於偵查中證述關於其他正犯或共犯之犯罪事證，因而使檢察官得以追訴被告戎樂天，復經檢察官事先同意適用證人保護法第14條第1項之規定並載明於偵訊筆錄（參見106年度偵字第4520號卷第106頁），自應就被告王永銘因供述所涉之擅自重製營業秘密後進而使用罪，依證人保護法第14條第1項規定，減輕其刑。

　　：一、訴訟程序之延滯，是否係因被告之事由。二、案件在法律及事實上之複雜程度與訴訟程序延滯之衡平關係。三、其他與迅速審判有關之事項」。查本案於106年9月 8日繫屬原審法院，有原審法院收狀戳章在卷可憑（參見106年度智訴字第11號卷一第1頁），本案歷經原審、本院調查審理，迄至本院宣判時（115年2月13日）為止，案件繫屬已逾 8年未能判決確定。本院審酌本案訴訟程序之延滯，主要因本案證人人數眾多，事實及法律關係繁雜，所需調查之人證、事證甚多，且被告何建廷、王永銘迭經原審及本院審理迄今，均顯無不到庭接受審理而故意延滯之情形，尚無可歸責於被告何建廷、王永銘之事由，經本院審酌刑事妥速審判法上開規定，就彼等之速審權及公共利益之均衡維護，依比例原則及法益權衡原則為客觀判斷，認速審權確已受侵害，且情節重大，有予以適當救濟之必要，爰依刑事妥速審判法第 7條規定，對被告何建廷、王永銘分別減輕或遞減輕其刑。

三、撤銷改判之理由及科刑審酌事由：

(一)原審以被告何建廷犯意圖在大陸地區使用、逾越授權範圍而使用營業秘密罪，被告王永銘犯意圖在大陸地區使用而洩漏營業秘密罪、背信罪、無故取得電磁紀錄、洩漏工商秘密等罪，被告戎樂天犯意圖在大陸地區使用而使用他人擅自重製取得之營業秘密罪，事證明確，予以論罪科刑，固屬卓見。然查：

  ⒈刑事審判旨在實現刑罰權之分配正義，故法院對於有罪被告之科刑，應符合刑罰相當之原則，使輕重得宜，罰當其罪。本件被告何建廷、王永銘終於本院坦認犯行，此為原審判決所未及審酌，原審對被告何建廷、王永銘所為量刑稍有未洽。

  ⒉原判決認被告何建廷、王永銘除分別犯持有營業秘密逾越授權範圍而使用該營業秘密罪、擅自重製營業秘密後進而使用罪外，被告何建廷想像競合犯營業秘密法第13條之 2之意圖在大陸地區使用而使用營業秘密罪，從一重論以意圖在大陸地區使用，逾越授權範圍而使用營業秘密罪。被告王永銘想像競合犯營業秘密法第13條之 2之意圖在大陸地區使用而洩漏營業秘密罪、刑法第317條、第318條之2之利用電腦或其他設備洩漏工商秘密罪、同法第318條之1之無故洩漏因利用電腦或其他相關設備知悉或持有他人之秘密罪、同法第342條第1項之背信罪，從一重論以意圖在大陸地區使用，洩漏營業秘密罪，尚有未洽（詳如後述不另為無罪諭知部分)。

　⒊被告戎樂天並未涉犯違反營業秘密法第13條之2、第13條之1第1項第4款之罪(詳如後述無罪部分)，原審未察逕為有罪之諭知，尚有違誤。

　⒋本案自第一審繫屬日起已逾 8年未能判決確定，應依刑事妥速審理法第 7條規定對被告何建廷、王永銘分別（遞）減輕其刑。原審未及審酌，自有未洽。檢察官上訴指摘原審量刑過輕為無理由，被告何建廷、王永銘上訴執此指摘原審量刑過重為有理由，被告戎樂天上訴否認犯行則非無理由，且原判決既有上開可議之處，自應由本院將原判決予以撤銷改判

　　。

(二)爰以行為人之責任為基礎，審酌被告何建廷前任職告訴人臺灣美光公司擔任量產整合部課長職務，被告王永銘則擔任告訴人臺灣美光公司擔任製程整合部副理，均明知其等所知悉或持有之上開營業秘密對告訴人具有高度經濟價值，足以影響告訴人於高科技領域之競爭力，被告何建廷竟利用職務上機會，持有附件一所示營業秘密經告知應刪除、銷毀仍未為刪除、銷毀，進而逾越授權範圍而使用該營業秘密，被告王永銘則非法擅自重製取得附件二所示營業秘密之電磁紀錄、紙本資料，進而使用上開營業秘密，致告訴人受有損害，所為實不足取，惟念其等犯後均坦承犯行，且由聯電公司與告訴人達成和解，賠償損害，獲告訴人諒解，此有告訴人刑事陳報狀暨附件資料、刑事撤回告訴狀(參見本院109年度刑智上重訴字第4號卷三十二第475至476頁、第481至483頁、卷三十四第119至121頁)在卷可參，兼衡被告何建廷、王永銘之素行，其等犯罪之動機、目的、手段，及於本院審理時自承之智識程度、工作所得、家庭生活狀況(參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷十第241至242頁)等一切情狀，分別量處如主文第二項、第三項所示之刑，並就被告王永銘部分諭知易科罰金之折算標準，資為懲儆。

四、附條件緩刑宣告:

(一)行為經法院評價為不法之犯罪行為，且為刑罰科處之宣告後

　　，究應否加以執行，乃刑罰如何實現之問題。依現代刑法之觀念，在刑罰制裁之實現上，宜採取多元而有彈性之因應方式，除經斟酌再三，認確無教化之可能，應予隔離之外，對於有教化、改善可能者，其刑罰執行與否，則應視刑罰對於行為人之作用而定。倘認有以監禁或治療謀求改善之必要，固須依其應受威嚇與矯治之程度，而分別施以不同之改善措施（入監服刑或在矯治機關接受治療）；反之，如認行為人對於社會規範之認知並無重大偏離，行為控制能力亦無異常

　　，僅因偶發、初犯或過失犯罪，刑罰對其效用不大，祇須為刑罰宣示之警示作用，即為已足，此時即非不得緩其刑之執行，並藉違反緩刑規定將入監執行之心理強制作用，謀求行為人自發性之改善更新。而行為人是否有改善之可能性或執行之必要性，固係由法院為綜合之審酌考量，並就審酌考量所得而為預測性之判斷，但當有客觀情狀顯示預測有誤時，亦非全無補救之道，法院仍得在一定之條件下，撤銷緩刑（

　　參刑法第75條、第75條之1），使行為人執行其應執行之刑

　　，以符正義。由是觀之，法院是否宣告緩刑，有其自由裁量之職權，祇須行為人符合刑法第74條第 1項所定之條件，法

　　院即得宣告緩刑，與行為人犯罪情節是否重大，是否坦認犯行並賠償損失，並無絕對必然之關聯性（最高法院102年度台上字第4161號判決意旨參照）。　　

(二)經查，被告何建廷、王永銘前均未曾因故意犯罪受有期徒刑以上刑之宣告，有法院前案紀錄表在卷足稽(參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷十第3至13頁、第25至29頁），因一時失慮，偶罹刑典，且被告何建廷、王永銘於本院審理時坦承錯誤，應已反躬自省，且由聯電公司與告訴人臺灣美光公司成立和解，積極填補損害，獲告訴人諒解，已如前述，被告二人經此偵審教訓，應知所警惕，信無再犯之虞，以刑事法律制裁本即屬最後手段性，刑罰對於被告之效用有限，作為宣示之警示作用即為已足，藉由較諸刑期更為長期之緩刑期間形成心理強制作用，更可達使被告自發性改善更新、

　　戒慎自律之刑罰效果，因認上開刑之宣告以暫不執行為適當

　　，爰依刑法第74條第 1項第1款規定，均併予宣告緩刑2年，以啟自新。

(三)復衡被告何建廷、王永銘犯罪態樣、情節及所生危害，認有課以一定條件之緩刑負擔，促使被告二人更加重視法規範秩序，令被告二人從中記取教訓，隨時警惕，建立正確法律觀念之必要，爰依刑法第74條第2項第5款規定，命被告二人應於緩刑期間內向指定之政府機關、政府機構、行政法人、社區或其他符合公益目的之機構或團體，各提供100小時、80小時之義務勞務，並依刑法第93條第1項第2款規定，均諭知於緩刑期間付保護管束，以維法秩序之平衡，督促被告二人確實改過遷善，以觀後效。倘被告違反上開負擔情節重大，足認原宣告緩刑難收預期效果，而有執行刑罰之必要者，依刑法第75條之1第 1項第4款規定，其緩刑之宣告得由檢察官向法院聲請撤銷，併此說明。

五、沒收:

(一)扣案如附表三編號34、36所示之物，為被告何建廷犯罪所得之物，業據被告何建廷於本院準備程序時供述在卷(參見本院111年度刑智上重訴一字第1號卷九第403頁)，應依刑法第38條之1第1項規定宣告沒收。

(二)又扣案如附表三編號 9、22、24、38所示之物，為犯罪所生

　　之物，業據被告王永銘於本院準備程序時供述在卷（參見本院111年度刑智上重訴一字第1號卷九第404頁)，並有案件鑑識報告(參見調查卷二第570至574頁)在卷可佐，爰依刑法第38條第 2項規定，分別於被告何建廷、王永銘所犯罪刑之主文項下宣告沒收。

(三)扣案如附表三編號25、35所示之物，為被告何建廷所有供本案犯行所用，業據被告何建廷於本院準備時供述無訛（參見本院111年度刑智上重訴一字第1號卷九第403頁)：又扣案如附表三編號2、3、5、6、16、20所示之物，為被告王永銘所有供本案犯行所用，業據被告王永銘於本院準備程序時無訛

　　(參見本院111年度刑智上重訴一字第1號卷九第403頁），皆應依刑法第38條第2項規定宣告沒收。

(四)至扣案如附表三編號1、19、37所示之物，則非被告何建廷

　　、王永銘二人所有；又附表三編號4、7、8、10、11至15、1

　　7至18、21、23、26至33所示之物，卷內並無證據證明與本案有關，爰均不予宣告沒收。

(五)又「犯罪所得」，係指不法行為所得，乃與犯罪有直接關連性之所得、所生之財物及利益（即直接所得），不問物質抑或非物質、動產抑或不動產、有形抑或無形均屬之。具體以言，包括：⑴因為犯罪所獲取之報酬或對價，例如殺人或詐騙集團車手之報酬，專門非法吸金公司員工之薪資（含佣金

　　、業績獎金），販賣毒品、槍枝、偽禁藥或出售攙偽假冒食品之價金，非法匯兌所得之報酬或手續費，皆屬之；⑵產自犯罪之所得，亦即犯罪行為人因實行犯罪過程中所獲取之財物，或財產利益之積極增加或消極不減損，例如竊盜、搶奪

　　、強盜、詐欺、侵占、恐嚇取財或擄人勒贖取得之贓物或贓款，圖利犯罪所圖得之利益、占用他人房屋之使用利益、接受性招待或餐飲之利益、違反銀行法吸收之資金、內線交易之股票增值、逃漏稅捐之稅額、環境犯罪節省之處理費用、法定應建置設備而未建置所減省之費用。查被告何建廷自10

　　4年11月5日起任職聯電公司至106年2月14日為調查官搜索止，自聯電公司所受領之薪資共190萬元及2次自晉華公司領取50萬人民幣；被告王永銘自105年4月28日起任職聯電公司至106年 2月7日起為調查官搜索止，自聯電公司所受領之薪資共195萬元，均為其等以勞力、工作或能力換取之報酬，復依卷內現存證據資料 尚無證據證明被告二人因本案而獲有任何報酬

　　，爰不宣告沒收、追徵犯罪所得，附此敘明。

乙、無罪及不另為無罪部分：

一、公訴意旨略以：聯電公司為臺灣首家提供積體電路（Integrated Circuit,IC）晶圓專業代工服務之公司 ，早期曾從事DRAM之開發及製造，嗣後結束DRAM之製造業務，將相關技術人員移撥至聯電公司其他部門。直至105年1月間，聯電公司派員與大陸地區福建省晉華集成電路有限公司（下稱晉華公司）洽談，雙方協議進行32奈米DRAM及 32s奈米DRAM相關製程技術開發，由晉華公司提供3億美元資金採購研發設備  ，並依開發進度陸續支付聯電公司 4億美元，開發成果由雙方共同擁有，整體技術完成後將轉移至晉華公司進行32奈米DRAM及32s奈米 DRAM之量產。聯電公司為執行前述技術合作案，於105年1月間，在○○市○○○區000000第二廠區成立新事業發展中心(下稱 NBD)，由陳正坤（原臺灣美光公司董事長，於104年7月31日離職，並於104年9月間任職聯電公司資深副總經理，英文姓名Stephen)負責主導，並於 NBD下成立專案技術一處（下稱PM1）、專案技術二處（下稱PM2）及專案技術三處（下稱PM3）等部門，陸續招募原在臺灣美光公司任職之被告何建廷、王永銘等人，且由被告戎樂天擔任PM2部門之協理。 PM2下設製程整合一部（下稱PI1）、製程整合二部（下稱PI2）、缺陷分析管理部（下稱DM）及元件部（下稱Device)。聯電公司於105年 3月11日向經濟部投資審議委員會申請核可前述技術合作案，經該會於105年4月12日以經審二字第 10500055030號函准許。聯電公司、晉華公司及000000000000000000000(下稱○○○○○)等三方，復於105年11月8日簽訂「0000000000000000000（000000000000000000000000000000）」，約定將聯電公司所制定之DRAM設計規則轉換為程式碼後，送交○○○○○○進行設計圖修改、反饋、執行程式及晶片設計製作，總額000萬0000美元之設計服務費用均由晉華公司分 3期支付予○○○○○○，○○○○○測試完成並交付GDS檔案及TV1芯片 DDR4後，再把整體32/32s奈米DRAM開發技術交晉華公司進行DRAM成品量產。惟被告何建廷、被告王永銘、被告戎樂天為執行聯電公司業務 ，竟為後述行為：

(一)被告何建廷於105年1月間，已知悉聯電公司開始推動前開技術合作案，成為美國美光公司之競爭對手，而自己所持有之A電磁紀錄及B紙本資料，有助於聯電公司及晉華公司在大陸地區量產DRAM晶圓，竟意圖在大陸地區使用上開營業秘密之犯意，於上開時、地，不為刪除或銷毀A電磁紀錄及B紙本資料，進而逾越臺灣美光公司原授權被告何建廷使用該等資訊之範圍，而以扣案之電腦讀取A電磁紀錄，且將B紙本資料攜帶至PI1辦公室而使用，亦涉犯違反營業秘密法第13條之2第1項之意圖在大陸地區使用而犯同法第13條之1第1項第2款、第3款之罪嫌。

(二)王永銘於105年1、2月間，經由 LINE通訊軟體，與已在聯電公司「新事業發展中心」任職之被告何建廷聯繫，得知聯電公司因與晉華公司合作研發DRAM計畫，需要懂得元件（Devi ce）之人才，雙方進一步接觸後，被告王永銘決定轉職至聯電公司，並透過被告何建廷交付履歷表予聯電公司。被告王永銘因此於105年2月底前往聯電公司，由聯電公司接受該公司人資部門主管被告戎樂天面試。嗣被告王永銘於105年3月25日接獲聯電公司寄送之錄取通知書，遂透過LINE通訊軟體告知被告何建廷此事，被告何建廷因此將被告王永銘視為聯電公司之團隊成員，開始透過LINE通訊軟體與被告王永銘討論聯電公司研發DRAM所遇到之技術問題。而被告王永銘明知聯電公司就DRAM晶圓研發、製造等業務，與美國美光公司有競爭關係，為使自己日後在聯電公司任職時可解決所遭遇之DRAM技術問題，竟意圖在大陸地區使用營業秘密之犯意，於上開時、地，擅自重製C電磁紀錄及列印D紙本資料後，嗣於105年 7月至8月間某日，被告王永銘參加被告戎樂天所主持之 PM2部門早會，並應被告戎樂天之要求，於早會結束後與PI2經理魏銘德留在會議室內，繼續談論魏銘德所提報之F32 DRAM「設計規則」初稿。因聯電公司過去主要營運項目為邏輯製程晶圓代工，沒有DRAM相關的設計者手冊，故PI2以聯電公司的65奈米邏輯製程設計者手冊為藍本，前述初稿缺乏DRAM設計規則必要之○OOOO○○○OOOOO○○○OOOOOOOO○三大類別參數，被告王永銘提出關於離子植入參數(用來控制半導體中雜質量的關鍵程序)之意見。被告戎樂天明知被告王永銘已從臺灣美光公司離職近半年，其所持有之臺灣美光公司資料應係以不正方法所取得，竟意圖在大陸地區使用營業秘密之犯意，要求被告王永銘參考美國美光公司之資料（即DR25nmS設計規則)，與聯電公司F32 DRAM「設計規則」交互比對，將不同部分挑出，標上美國美光公司之DRAM設計規則之穩定數值，填寫包含無法以逆向工程回推之離子植入等相關必要參數，協助完成設計規則中○OOOO○○○OOOOO ○○○OOOOOOOO○等部分，再交給被告戎樂天審閱，以使聯電公司加速完善F32 DRAM設計規則內容。被告王永銘接受被告戎樂天前開指示後之2至3日內，從聯電公司電腦伺服器下載公版邏輯IC設計規則定稿，自行新增○OOOO○○○OOOOO○○ ○OOOOOOOOOO ○欄位，在聯電公司之十餘張設計規則定稿紙本上，參照 DR25nmS設計規則，填上「width」、  「space」等參數(113年9月19日檢察官補充理由書所載如附件三所示，詳本院111年度刑智上重更一字第1號限閱卷第3至17頁)，迅速完成數據新增及修改，再將有使用到DR25nmS 設計規則部分參數之紙本當面交付予被告戎樂天，被告戎樂天則將該等紙本轉交予魏銘德，囑咐魏銘德與被告王永銘商討，不知情之魏銘德及 PI2工程師吳國豪因此與被告王永銘討論聯電公司F32 DRAM設計規則之參數穩定度及其他參數值，進而完成聯電公司F32 DRAM設計規則。聯電公司原未設置光照下線組及離子植入專業人員，俟被告王永銘提供DR25nmS設計規則製程參數予聯電公司後，PI2開發F32 DRAM設計規則時，即逕行跳過光學近接干擾修正、蝕刻及黃光等過程，僅 2個月時間便將設計規則完成，交由晶片設計廠商進行下一階段製程，降低製作設計規則所需耗費之時間、金錢、設備及人力成本，被告王永銘亦因工作表現得力，於106年1月間晉升Device經理。因認被告王永銘亦涉違反營業秘密法第13條之2第 1項之意圖在大陸地區使用而犯同法第13條之1第1項第 1款之罪及刑法第317條之洩漏工商秘密罪、刑法第318條之 1之洩漏利用電腦知悉之他人秘密罪、刑法第342條之第 1項之背信罪；被告戎樂天涉犯違反營業秘密法第13條之2第1項之意圖在大陸地區使用，而犯同法第13條之1第1項第4款之罪嫌。

二、按犯罪事實應依證據認定之，無證據不得認定犯罪事實；不能證明被告犯罪者應諭知無罪之判決，刑事訴訟法第 154條第2項、第301條第 1項分別定有明文。次按認定犯罪事實所憑之證據，雖不以直接證據為限，間接證據亦包括在內；然無論直接或間接證據，其為訴訟上之證明，須於通常一般之人均不致於有所懷疑，而得確信其為真實之程度者，始得據之為有罪之認定，倘其證明尚未達到此一程度，而有合理性懷疑之存在時，即難遽採為不利被告之認定（最高法院76年度台上字第 4986號判決可供參照）。再按刑事訴訟法第161條第 1項規定：檢察官就被告犯罪事實，應負舉證責任，並指出證明之方法。因此，檢察官對於起訴之犯罪事實，應負提出證據及說服之實質舉證責任。倘其所提出之證據，不足為被告有罪之積極證明，或其指出證明之方法，無從說服法院以形成被告有罪之心證，基於無罪推定之原則，自應為被告無罪判決之諭知（最高法院 92年度台上字第128號判決足資參照）。按被告或共犯之自白，不得作為有罪判決之唯一證據，仍應調查其他必要之證據，以察其是否與事實相符，刑事訴訟法第156條第2項定有明文。立法意旨是考量共同被告、共犯間不免存有事實或法律上利害關係，因此推諉、卸責於他人而為虛偽自白之危險性不低，故對於其自白之證據價值予以限制。而此所謂必要之證據（即學理上所稱之補強證據），係指除共犯之自白外，其他足以證明其關於犯罪事實供述真實性之別一證據而言。刑事訴訟法關於被告之自白

　　，法院應調查必要證據，以察其是否與事實相符之規定，係指被告雖自白犯罪，仍應就其他必要證據從事調查，以察其自白之虛實者而言，亦即被告之自白不得作為認定犯罪之唯一證據，而須以補強證據證明其確與事實相符。而所謂補強證據，係指除該自白本身外，其他足資證明自白之犯罪事實具有相當程度真實性之證據而言（最高法院18年上字第1087號、29年上字第1648號、73年台上字第 5638號判例、100年度台上字第6181號判決參照）。

三、訊據被告何建廷固坦承違反營業秘密法犯行，惟被告何建廷另辯稱：其自臺灣美光公司離職之際，尚不知聯電公司與晉華公司之本件合作開發案，而在聯電公司讀取美國美光公司之資料檔案僅為個人學習、增加知識之用，並未在工作上直接使用美國美光公司之技術等語；被告王永銘固坦承違反營業秘密法等犯行，惟亦辯稱：其自臺灣美光公司離職前，已知聯電公司研發本件F32 DRAM製程結構係採用韓商三星電子股份有限公司（下稱三星公司）結構，且除附件三所示資料外，其所重製取得之資料檔案僅為個人閱覽參考使用等語；被告戎樂天則堅詞否認有何違反營業秘密法犯行，並辯稱：其不知王永銘自臺灣美光公司離職時有取得任何營業秘密資訊，亦未要求王永銘提供美國美光公司之資訊，更遑論有何意圖在大陸使用之意。又聯電公司本件研發F32 DRAM製程結構係採用三星公司結構，與美國美光公司不同，本件聯電公司F32 DRAM設計規則與美國美光公司之DR25nmS設計規則，兩者之規定及適用範圍亦不同等語。

四、經查：

(一)聯電公司與晉華公司間雙方協議進行 32奈米DRAM及32s奈米DRAM相關製程技術開發，由晉華公司提供0000000資金採購研發設備，並依開發進度陸續支付聯電公司0000000，開發成果由雙方共同擁有，整體技術完成後將轉移至晉華公司進行 32奈米DRAM及32s奈米DRAM之量產，並由經濟部投資審議委員會於105年 4月12日以經審二字第10500055030號函准許在案。聯電公司、晉華公司及○○○○○○等三方，復約定將聯電公司所制定之DRAM設計規則轉換為程式碼後，送交○○○○○○進行設計圖修改、反饋、執行程式及晶片設計製作，總額0000000000000之設計服務費用均由晉華公司分3期支付予○○○○○○，○○○○○測試完成並交付GDS檔案及TV1芯片 DDR4後，再把整體32/32s奈米DRAM開發技術交晉華公司進行DRAM成品量產，並於00000000000「0000000000000000000000000000000000000(000000000000000000)」在案

　　，此部分為被告三人所不爭執，復有經濟部投資審議委員會於105年4月12日以經審二字第10500055030號函、「000000000000000000000000000000(0000000000000000000)」在卷可稽。又被告何建廷與晉華公司簽署有勞動合同乙紙，合同期限為00000000000000000000000，0000000000000，由被告何建廷擔任技術研發主管一職，從事內存製程技術研發工作，該合約第11條並約定有「甲方(即晉華公司)知悉並同意，本合同簽訂時以及合同期限內，乙方(即被告何建廷)可同時在聯華公司任職並領取薪資，…。乙方保證，前述單位已知悉並同意乙方在甲方任職且不會以此為由追究甲方任何責任..

　　」等情，為被告何建廷於偵訊及原審審理時供述在卷（參見105年度偵字第5612號卷第13頁、106年度智訴字第11號卷十六第341至345頁），並有勞動合同(參見106年度偵字第5612號第66至70頁)在卷可佐，此部分之事實，首堪認定。

(二)被告何建廷部分(即營業秘密法第13條之2之罪)：

  ⒈公訴意旨固舉經濟部投資審議委員會於105年4月12日以經審二字第10500055030號函、「0000000000000000000【00000000000000000000000000000】」為據，用以佐證被告何建廷有意圖在大陸地區使用營業秘密之狀況。而依經濟部投資審議委員會於105年 4月12日以經審二字第10500055030號函及0000所載，僅能證明聯電公司與晉華公司間協議由晉華公司出資，由聯電公司進行 32奈米DRAM及32s奈米DRAM相關製程技術開發，技術完成後再交晉華公司量產。另聯電公司、晉華公司及○○○○○等三方復約定將聯電公司所制定之DR  AM設計規則轉換為程式碼後，送交○○○○○○進行設計圖修改等，費用由晉華公司支付，○○○○○○測試完成並交付GDS 檔案等資料後，再交由晉華公司進行量產等情，尚無從證明被告何建廷有使用本件營業秘密於上開技術開發並意圖在大陸地區使用之意。

  ⒉又依被告何建廷與晉華公司簽署之勞動合同，且被告何建廷於偵訊及原審審理時自承有簽訂上開合約，內容係由晉華公司提供一筆專案獎金(參見106年度偵字第5612號卷第13頁、106年度智訴字第11號卷十六第341至345頁)，核與證人○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○等情(參見105年度他字第6099號卷一第頁397至401頁）相符，然上開證據，僅能證明被告何建廷確實有領取晉華公司所提供專案獎金之事實，尚無法逕認被告何建廷有起訴書所指意圖在大陸地區使用而使用他人營業秘密之犯行。

  ⒊關於聯電公司研發本件F32 DRAM之製程結構及設計規則之源

    由：

　⑴據證人楊名聲於本院審理時證稱：聯電公司研發F32 DRAM之記憶胞(Cell)結構，經研讀相關資料後研判與三星公司較相近，復從卷附相關會議紀錄中所附之○OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO之簡報資料中（參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷八第265至282頁），有提及Air Gap Technology Reqest  ，表示欲發展三星公司之 Air Gap的技術，簡報中的圖亦係聯電公司逆向工程三星公司20奈米製程產品而來。另在卷附檔名OOOOOOO OOOOO○○○ OO OOOOOOOOOOOOO (參見本院111年度刑智上重更一字第1號限覽卷第237至263頁)，此檔案資料將製造流程的圖逐一列出，上開流程圖亦係逆向工程○○公司產品報告所得，顯見聯電公司105年討論研發F32 DR  AM製程時，均係參考三星公司半導體製程技術。又伊受託以逆向工程分析聯電公司及美國美光公司各自DRAM結構，分析結果發現兩家公司晶片元件及製程存有明顯差異，包含主動區域/淺溝槽絕緣、埋入式字元線、位元線接觸、儲存節點

　　、儲存節點及金屬接線等層別，微結構不同，製程亦不同，晶片元件不同，亦影響後續相關製程、設備及製程參數，包含元件、電路的設計。聯電公司根據三星公司DRAM結構所推演出的這些製程結構，與美國美光公司不同，顯無法直接使用。再聯電公司F32 DRAM設計規則係自聯電65奈米邏輯OOOOOOOOO的製程而來，復經比對聯電公司OOOO OOOO OOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOOO OOOOO○○OOOOOOOOOOOO○OO頁與聯電公司OOOO OOOOO OOO OOOOOOOOO OOOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOO OOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOOO OOOO OOO OO○○○OOOOOOOOOOOO○OO頁所列十項規則中，除○O○○O○之數值不同外，其餘條次之數值均相同，且由圖示顯示結構布局亦同。另根據當時的合作廠商○○○○○，在2016年2月份的月會裡有討論設計規則，設計月報亦提及斯時所謂閘極的最小寬度為OO○○，因聯電公司OOOO OOOOO OOO OOOOOOOOO OOOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOO OOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOOO OOOO OOO O○OO○○○OOOOOOOOOOOOOOOOOOO OOOOOO OOOOO○OOOOOOOO○OOOO，始採為版本等語（參見本院109年度刑智上重訴字第4號卷三十第119至160頁），且有證人楊名聲提出之聯電公司與美光公司動態隨機存取記憶體晶片元件設計與製程分析報告、○OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO○OOOOOOO OOOOO○○○OO OOOO○○○○○○○OOOO OOOO OOOOOOO OOOOOOOOOOOO OOOOOO OOOOO○○OOOOOOOOOOOO○○○○○OOOO OOOOO OOO OOOOOOOOO OOOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOO OOOOOOO OOOOOOOOOO OOOOOO OOOO OOO O（版本是Ver.A.D-P.B）(參見本院109年度刑智上重訴字第4號限閱卷四第227至247頁、第281至291頁、111年度刑智上重更一字第1號限閱卷第237至263頁、第329至605頁）在卷足稽。

  ⑵證人即聯電公司員工劉立偉於本院審理時證稱：聯電公司本件F32 DRAM設計規則係以聯電公司 65奈米邏輯OOO000OO之設計規則為基礎出發，並配合客戶○0000000○之需求，即客戶○0000000○有提供之前在其他公司設計使用週邊電路設計圖之GDS予聯電公司，GDS係圖形化之檔案，聯電公司有以電腦軟體分析GDS而得出各式各樣設計圖之圖形，進而知悉客戶之需求。又本件聯電公司F32DRAM CELL結構係業界常稱的 3乘2、 300T的結構。斯時開發DRAM CELL時，DRAM CELL國際間領先的廠商為三星公司，故聯電公司有購買三星公司產品之逆向工程報告，欲朝三星公司方向開發。當時美光公司25奈米DRAM結構係2乘3，剛好與聯電公司相反。倘CELL的結構不同，會影響週邊電路佈局，因300T即3乘2跟2乘3，為DRAM記憶體晶包內之字元線與位元線，3乘2跟2乘3分別為字元線跟位元線之最小限寬，字元線與位元線大小不同，連帶外面週邊電路規則，即佈局圖亦大相逕庭等語（參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷八第386至391頁、第394至396頁），與證人楊名聲所述情節殊無二致，俱徵證人楊名聲所述為真。

　⑶佐以證人即前聯電公司員工呂文傑於本院審理時證稱：當時伊係負責 DRAM CELL記憶胞製程之研發，聯電公司當時係靠逆向工程以三星公司作為標的指標，至於週邊電路當時有兩間設計公司 即日本OOO○○及○○○○○，來負責週邊電路設計，因設計公司○○OOO○○及○○○○○有提供設計圖之GDS，故設計規則之週邊電路即直接採用設計公司提供之電路佈局圖，再搭配聯電公司自己之製程能力可及於14奈米產品，此為上開週邊電路設計規則之由來。本件聯電公司研發記憶胞的結構與三星公司相似，因三星公司與美光公司在那個世代的記憶胞架構係完全不同，三星公司係3乘2，即字元線與位元線所佔寬度係每個單位面積內有3個字元線跟2個位元線，而美國美光公司當時係2個字元線、3個位元線，整個結構不同。而記憶胞結構不同亦會影響週邊電路佈局之週邊電路設計規則等語（參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷八第411至418頁）。

　⑷由以上各情相互勾稽，益證聯電公司就本件與晉華公司合作開發 F32奈米DRAM係採取三星公司DRAM技術軌跡，而與臺灣美光公司之DRAM技術不同。復酌以美國美光公司本件DR25n  mS 設計規則關於「ARRAY」的製程限制適用於記憶區含有電容(Capacitor)的記憶陣列(ARRAY)區域，但有部分例外，如列驅動器(Row Drivers)及感測放大器(Sense Amplifier)  ；「PERIPHERAL」的製程限制則適用位於記憶列（Array）  週邊的未含有電容(Capacitor)的控制電路區域，此有114年10月23日臺灣美光公司刑事陳報狀在卷可稽(參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷九第391至396頁)，而聯電公司關於本件F32 DRAM設計規則中之「ARRAY」、「PERIPHERAL」  ，僅適用於邏輯電路區即週邊電路區「PERIPHERAL」，不適用於記憶胞區(CELL)，亦有聯電公司114年11月5日(114）聯法務字第0568號函在卷可佐（參見本院 111年度刑智上重更一字第1號卷九第 413至415頁），益證兩者設計規則之適用範圍顯不相同，則本件聯電公司F32 DRAM設計規則及聯電公司與晉華公司合作之32奈米DRAM相關製程技術開發案，是否有參考臺灣美光公司之 DR25nmS設計規則及相關製程技術之必要，已堪值疑。故被告何建廷辯稱其自臺灣美光公司離職之際，尚不知聯電公司與晉華公司之本件合作開發案，而在聯電公司讀取美國美光公司之資料檔案僅為個人學習、增加知識之用，並未直接使用美國美光公司之技術等語，並非無稽。

  ⒋又被告何建廷與被告王永銘之LINE對話紀錄內容，雖顯示：

  ⑴105年6月30日上午1時27分10秒至1時31分10秒:

    王永銘：4G3C，正E300 PFA。

    JT何建廷：收到。

    王永銘：好好反省一下。

    JT何建廷：下次會議，我會請真正的專家發表意見。

  ⑵105年9月13日下午3時11分46秒至3時16分19秒:

    王永銘：110s BC poly濃度真有減，我猜對了。

    JT何建廷：好，那就該。

    王永銘：叫我家小弟模擬一下。

    JT何建廷：明天記得報一下。

  ⑶105年12月27日下午2時5分39秒至2時9分5秒:

    王永銘：110s ST1用HARP Oxide，用OOO OO取代應該有一 

　　        般的效果，是嗎？

    JT何建廷：Harp是SACVD、他的應用與我們的OOO OO並不同

              。

    亦有被告何建廷與被告王永銘之對話擷取照片在卷足稽（參見106年度智訴字第11號卷十六第299頁、第301頁、 第303頁），且被告何建廷於原審審理時自承4G3C係爾必達第一顆25奈米製程產品，正E300係爾必達逆向工程的切片Data（參見106年度智訴字第11號卷十六第325至326頁)，及證人即被告王永銘於原審審理時證稱：正E300係爾必達產品之橫截面圖，復因教育訓練而知110s係用HARP，且F32 DRAM逆向工程後所採為OOO OO，始詢問何建廷是否一樣效果等語（參見106年度智訴字第11號卷第十六第223至234頁），然上開證據，僅能證明被告何建廷與王永銘間有討論、比較美國美光公司、臺灣美光公司、聯電公司之產品編號及數值之事實，尚無從證明被告何建廷有意圖在大陸地區使用而使用本件營業秘密之犯行。

　⒍準此，雖被告何建廷於本院審理時就起訴書所載全部犯行均予以坦認，然起訴書所指其涉犯違反營業秘密法第 13條之2之罪，未據檢察官提出任何證據證明被告何建廷有使用本件美國美光公司之技術在本件 F32奈米DRAM開發技術及意圖在大陸地區使用營業秘密等節，且卷內亦無其他跡證可資補強，故實難僅以被告何建廷之單一自白，即遽認被告何建廷有此部分犯行。

(三)被告王永銘部分（即意圖在大陸使用營業秘密罪、洩漏工商秘密罪）、被告戎樂天部分（即意圖在大陸地區使用營業秘密罪）：

  ⒈如附件三所示美國美光公司之DRAM設計規則所載參數，為美

    國美光公司之營業秘密及工商秘密:

  ⑴本件如附件三所示DRAM設計規則所載參數為美國美光公司20奈米製程技術之設計規則，其內容涉及DRAM擴散層、SD注入、NWELL、PWELL等陣列區(ARRAY)及週邊區(PERIPHERY)設計規則參數等資訊，為記憶體生產之方法、技術或設計，且設計規則參數係相互關連，即使個別參數有逆向工程之可能性，若其整體未能證明遭逆向工程所知悉，其整體仍非一般涉及該類資訊之人所能知悉。又DRAM設計規則係因應不同廠商之製程能力或產品特性而有所差異，每個設計規則之參數組合皆係各設計者經由反覆試驗、調整後，始獲得之研發成果，業據證人洪伯昌於原審審理時證述在卷(參見106年度智訴字第11號卷十三第233至234頁），足認上開DRAM設計規則所載參數，係美國美光公司累積多年DRAM製程專業經驗及反覆試驗、測試所得之參數，並非一般涉及該領域之人所能知悉，具秘密性。被告戎樂天及其辯護人辯稱不具秘密性，洵非可採。

  ⑵又上開DRAM設計規則所載參數實質上為美國美光公司經過時間、勞力、成本之投入所獲得之資訊，並得據以為產品研發、投入市場之參考，若他人擅自取得、使用或洩漏，理當會節省前述時間、成本等之投資，故而可提升與美國美光公司進行產品競爭之競爭力，並造成秘密所有人經濟利益之損失及競爭優勢之削減，該等資訊自具有經濟價值。

  ⑶再美國美光公司、臺灣美光公司復將上開資訊以電磁紀錄方式保存在具有加密及管制存取功能之電腦伺服器，並採取設定授權帳號、密碼等資訊取得權限管理措施，且臺灣美光公司自105年4月20日起，即不得使用連接電腦與外部儲存設備之一種端口(USB PORT)進行存取、配發之電腦有加密保護措施及無權限存取公用資料夾警語、無權限存取SharePoint資料夾警語等管制措施，並與知悉該等資訊之人員間簽署保密條款，明確約定在僱傭期間或之後，不得直接或間接揭露、使用、取得或允許他人取得機密資訊，所謂機密資訊係公眾一般而言不知悉之資訊或標註「機密」(或類似說明)之資訊

　　，或其具秘密性或機密性，包含與發明、技術、產品、產品規格、流程、程序、效能及數據、成本與財務資訊、行銷與業務計畫、客戶清單、員工、施工計畫與時程、製造、工具組、「晶圓產能」、產品組合、設施規格、使用或生產之材料、以及設計理含相關之資訊，並應於僱傭期間終止時或於臺灣美光公司要求時，將所有本人擁有掌握而含有機密資訊之文件、紀錄、筆記本或其他可存放機密資訊之物品留予臺灣美光公司，並將此等機密資訊返還予臺灣美光公司、銷毀任何本人擁有或掌握之複本等情，業據證人陳希賢、證人程偉、洪伯昌於原審審理時證述（參見106年度智訴字第11號卷十一第41頁、卷十三第210至211頁、卷十四第 96至98頁、第103至135頁）在卷，復有被告何建廷、王永銘簽署之保密及智慧財產合約、臺灣美光工作規則、美光商業行為與道德準則、臺灣美光104年2月26日電子郵件、104年4月28日電子郵件內容、無權限存取公用資料夾警語、無權存取Share Point資料夾警語等(參見105年度他字第6099號卷一第18至19頁、第 47頁、第112至121頁、卷二第210至219頁、106年度智訴字第11號卷六第435至436頁、卷二十三第171頁、第173頁、第177頁)存卷可考，堪認美國美光公司、臺灣美光公司已採取合理之保密措施。

  ⑷綜上所述，本件如附件三所示設計規則所載參數具有秘密性

　　、且因其秘密性而具有實際之經濟價值，美國美光公司、臺灣美光公司已採取合理之保密措施，應屬美國美光公司之營業秘密及工商秘密。

  ⒉公訴意旨認被告王永銘受被告戎樂天之指示，將其所持有美國美光公司 DR25nmS設計規則之相關參數提供予被告戎樂天云云。然觀諸證人即共同被告王永銘於調詢、偵訊及原審審理中之證述：

  ⑴關於證人即共同被告王永銘何時以何方式列印本件美國美光公司DR25nmS設計規則：

    證人即共同被告王永銘於調詢中雖稱：扣案物編號C-1-2「  DR25nmS Design Rule」資料係105年7、8月間，伊在被告戎樂天指示下，自伊之前備份在Google Drive的美國美光公司業務機密資料中下載並列印成紙本等語(參見106年度偵字第4520號卷第 4至27頁），然其於偵訊時卻改稱：扣案物編號C-1-2「DR25nmS Design Rule」資料係伊於105年4月間將美國美光公司電子檔帶離後，再於聯電公司任職期間伊在自家將電子檔列印成紙本，並非在105年 7、8月間被告戎樂天召集伊及魏銘德方列印出來等語(參見 106年度偵字第11035號卷一第83至93)，先後證述不一。

  ⑵關於證人即共同被告王永銘以何方式提供美國美光資料予被告戎樂天：

    證人即共同被告王永銘於調詢中稱：伊自備份在Google Drive的美國美光公司業務機密資料中下載爾必達公司的 DRAM設計規則並列印成紙本，再部分參考這份資料，在聯電公司的十餘張設計規則紙本上，每一張都填寫伊認可行的幾組width、space 數字，再交予被告戎樂天這十幾張聯電公司設計規則紙本等語(參見106年度偵字第4520號卷第4至27頁)，於偵訊中則稱：伊有依被告戎樂天之指示，將聯電公司F32的DRAM設計規則作審核，依據伊所看到的美國美光公司文件，將聯電公司設計規則上的一些規格不正確部分標示出來等語（參見106年度偵字第4520號卷第92至108頁），前後證述亦不一致。

  ⑶關於被告戎樂天是否知悉被告王永銘持有本件美國美光公司

　　DR25nmS設計規則:

    證人即共同被告王永銘於調詢中雖稱：105年 7、8月間，被告戎樂天向伊表示，聯電公司正在開發 F32的DRAM，欲制定設計規則，又知悉伊手邊有美國美光公司DRAM設計規則，始要求伊想辦法提供美國美光公司或爾必達公司的DRAM設計規則等語(參見106年度偵字第4520號卷第4至27頁)，然其於偵訊時卻改稱：被告戎樂天請伊以美國美光公司的這部分資料，再參酌自己的想法，填寫相關必要參數，交予被告戎樂天，被告戎樂天始悉伊手頭上有美國美光公司的相關資料；檢調人員至辦公室搜索時，被告戎樂天向伊及何建廷表示，倘若有美國美光公司相關東西即移除，被告戎樂天既然這樣告知，他應該知道伊手邊有美國美光公司的東西等語(參見106年度偵字第4520號卷第243至253頁)，再於原審審理具結證稱：伊不知道被告戎樂天是否知悉伊有將美國美光公司資料帶至聯電公司，但伊未曾告知被告戎樂天過等語(參見106年度智訴字第11號卷十六第206至209頁)，先後證述歧異。

　⑷況且，被告王永銘於調詢中雖稱：伊下載列印聯電公司公版的邏輯IC的設計規則定稿(未包含CELL、ARRAY、PERIPHERY)，自行新增CELL、ARRAY、PERIPHERY欄位，再依據美國美光公司的資料填載數據云云，但其此部分證述難認與事實相符：觀諸卷附聯電公司定稿之F32的DRAM設計規則（參見106年度偵字第4520號卷第49至88頁），其上僅有ARRAY、PERIPHERY欄位及數據，並未包含CELL欄位，又上開設計規則適用範圍為邏輯電路區，並未包含記憶胞區（CELL），亦有聯電公司114年11月5日(114)聯法務字第0568號函在卷可稽(參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷九第413至415頁），且聯電公司之CELL區另有OOO OOOO OOO OOOO OOOOO OOOO規定（參見本院111年度刑智上重更一字第1號限閱卷第235頁)，是證人王永銘於調詢中稱：有提供美國美光公司之參數並填載在CELL、ARRAY、PERIPHERY欄位云云，可信性堪疑。至檢察官雖主張本件被告王永銘所下載美國美光公司 DR25nmS設計規則紙本資料上有被告王永銘私自註記「55」字樣於本件所參考之參數上，然此僅能證明被告王永銘有私自參考上開設計規則參數，尚無法佐證被告王永銘有提供本件美國美光公司之設計規則參數予被告戎樂天或聯電公司，附此敘明。

  ⑸證人即共同被告王永銘於調詢時亦證稱：魏銘德事後拿到設計規則後(應係被告戎樂天轉交)，有詢問伊其他參數欲如何決定，魏銘德之部屬吳國豪及另名同事嗣後亦有詢問伊參數如何設定云云(參見106年度偵字第4520號卷第4至27頁)，實與證人魏銘德於本院審理時證稱： F32設計規則開發涉及許多部門，每個部門均會根據專業提供適當建議，提供方式一為寄送電子郵件，另一為手寫的，而被告王永銘為元件部門主管，亦會參與設計規則工程層面談論，但伊無印象被告王永銘有提供紙本資料予伊等語(參見本院109年度刑智上重訴字第9號卷二十八第31至74頁）；證人吳國豪於調詢時證稱:被告戎樂天、王永銘或魏銘德未曾提供DRAM Design Rules  資料予伊等部門，通常此些資料亦非他們提供，但伊確實會與被告王永銘討論Design Rules，因被告王永銘曾任職DRAM廠而具DRAM設計理念及經驗，伊曾向被告王永銘表示所設計之設計圖，依公司目前製程無法做到，可否修改設計圖，但被告王永銘會提出理論來說服等語(參見本院109年度刑智上重訴字第 9號卷二十五第381至450頁）不同，此外，卷內並無任何有關被告王永銘所述提供美國美光公司DR25nmS設計規則之補強證據，則被告戎樂天有無公訴意旨所指要求被告王永銘提供美國美光公司 DR25nmS設計規則之相關參數之犯行，甚屬有疑。

　⑹至證人魏銘德雖於調詢、偵訊時證稱：105年9月前後，被告戎樂天有交付伊數張手寫的 DESIGN RULE參數數值紙本，並表示可找被告王永銘討論，上開紙本係手寫手繪等語（參見見105年度他字第6099號卷二第 248至264頁、第314至328頁），然於本院審理時改證稱：伊沒印象戎樂天有交付伊des  ign rule紙本資料等語(參見本院109年度刑智上重訴字第卷二十八第7至74頁)，可見證人魏銘德於本院審理已翻異前詞，其於警詢、偵查中證述之可信性，更有疑問。證人魏銘德所述係提供手寫手繪之design rule，亦與被告王永銘於調詢時供稱：伊在聯電公司十餘張設計規則紙本上，填載伊認可行之幾組width、space數字，再交予被告戎樂天等語（參見106年度偵字第4520號卷第4至27頁）不相吻合，尚難以此為不利於被告戎樂天之認定。又證人吳國豪先於調詢證稱：被告戎樂天、王永銘或魏銘德未曾提供DRAM Design Rules資料予伊等部門，通常此些資料並非他們提供等語(參見本院109年度刑智上重訴字第4號卷二十五第381至450頁），復於偵訊證稱：魏銘德有提供設計規則文件，並表示可與被告王永銘談論設計規則版本差異性等語（參見 105年度他字第6099號卷二第230至241頁、第314至328頁），前後所述已有不一致之情。而證人吳國豪所述曾向被告王永銘表示所設計之設計圖，依公司現行製程無法做到，可否修改設計圖，但被告王永銘會提出理論來說服等情(參見本院109年度刑智上重訴字第4號卷二十五第381至450頁），亦與被告王永銘於調詢時供稱：吳國豪及另名同事曾詢問伊設計規則之參數如何設定等語（參見106年度偵字第4520號卷第4至27頁）迴然有異，則證人吳國豪非但先後所述不一，亦與被告王永銘所述不符，尤難憑其於偵查之證述，遽為不利於被告戎樂天之認定。

　⑺從而，共同被告王永銘所為不利於被告戎樂天之證述，既有前揭瑕疵，此外，卷內並無被告王永銘所述填載美國美光公司DR25nmS 設計規則參數之聯電公司設計規則定稿資料，亦無任何有關被告王永銘所述提供美國美光公司 DR25nmS設計規則之補強證據，依前開說明，既乏補強證據以擔保共犯即王永銘此部分證詞之真實性，尚難僅憑其單一證述，即遽認被告戎樂天有公訴意旨所指意圖在大陸地區使用而取得、使用該等營業秘密之犯行。

  ⒊公訴意旨認比對如附件三所示美國美光公司及聯電公司之設計規則所載參數相同，即遽認定聯電公司之本件設計規則有使用臺灣美光公司設計規則之參數云云。然查：

  ⑴觀諸卷附聯電公司本件F32 DRAM Design Rule版本差異表（參見本院109年度刑智上重訴字第4號限閱卷四第249至279頁），迄案發遭查獲後，本件F32 DRAM Design Rule總變更次數有 402次，然互核如附件三所示聯電公司之設計規則參數與聯電公司本件DRAM Design Rule版本差異表所載，顯示僅如附件三編號 3至12、16至19所示聯電公司本件設計規則迄查獲時有修改紀錄，其餘聯電公司本件設計規則參數均無修改紀錄，則公訴意旨認聯電公司之本件設計規則有使用美光公司之設計規則參數云云，尚值存疑。

  ⑵又經本院函詢臺灣美光公司關於本件 DR25nmS設計規則中之

　　○OOOOO○○○OOOOOOOOOO○區域之定義及其適用範圍，經臺灣美光公司表示○ OOOOO○○○○○○○○○○○○○○○○OOOOOOOOOOO○○○○○OOOOOOO○○○○○○○○○○○○○○○OOOO OOOOOOOO○○○○○○OOOOOO OOOOOOOOOO○ ○OOOOOOOOOO○○○○○○○○○○○○○○○OOOOO○○○○○○○○○OOOOOOOOOOO○○○○○○○等情，此有114年10月23日臺灣美光公司刑事陳報狀在卷可稽(參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷九第391至396頁)，另參諸美國美光公司本件DR25nmS設計規則第2頁所載OOOOO○OOOOOOOOOO OOOOOO OOOOO之適用範圍（參見本院111年度刑智上重更一字第1號限閱卷第266頁)，其中1-1 OOOOOOOO OO OOOOO OOOOOO OOOOO○○OOOOO○○○○○○○○○○○○OOOOO OOOOOOO OOOO OOOOOOOOOOOO OOOOOOOOOOOOOO○OOOO OOOO OOOO OOOOOO OOOOOO○OOOOOOOOOO○○OOO OOOOOOOO OO OO OOOOOOOO OOOOOO OOOOO○○OOOOOOOOOO○○○○○○○○○○OOOOO○○○○○○○○○○○。再本院亦函詢聯電公司關於本件F32 DRAM設計規則中之「ARRAY」、「PERIPHERAL」區域之定義及其適用範圍，經聯電公司函覆表示本件設計規則僅適用於邏輯電路區即週邊電路區「PERIPHERAL」，不適用於記憶胞區(CELL)。又在邏輯電路區內，若布局呈現高度規則性排列，部分會以OOO○OOOOO○OOOO標示為陣列區（ARRAY)。陣列區內包含多種類型的電路模組，其中以OO○OOOO標示之區域，對應於感測放大器(Sense Amplifier)、以OOO○OOOO 標示之區域，對應於字線驅動電路（Word Line Driver)，此外，字線/位元線解碼器（Word line/Bitline Decoders）亦屬此區等情，此有聯電公司114年11月5日(114）聯法務字第 0568號函在卷可佐（參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷九第413至415頁)，益證兩者設計規則之適用範圍顯不相同，則本件美國美光公司之 DR25nmS設計規則參數是否有助於聯電公司解決本件研發F32 DRAM設計規則所遭遇之相關問題，已堪存疑。

  ⑶復經本院比對如附件三所示美國美光公司及聯電公司之設計規則(參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷限閱卷第43至48頁)，認定兩者規定之差異如下：

  ①如附件三編號1所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOO OOOOOOOOOO OOOOO OOOOOO OOOOOOOOOOOO，係定義 OOOOOO  OOOOO(○○○○○)並未界定N+或P+，亦即無論N+或P+均適用該設計規則，即一般通用規則，其最小寬度為OOOOOO；美國美光公司之設計規則2-3) Active area in array & peri phery area(拡散層) No.1-1)「N+/ P+ active width for Well/Sub Contact active area(minimum) Well給電」主要係適用於Well/SUB CONTACT主動區。聯電公司則未有前述之限定，故兩者存在差異性。

  ②如附件三編號2所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOO OO OOOOOOOO OOOOO OOOOOO OOOOOOOOOOOO，定義兩主動區間之最小間距或一個主動區之凹口（ notch）寬度二者數值最小距離為OOOOOO OOOOOO，並未限定使用區域，即適用於「Array」、「Periphery」區；美國美光公司之設計規則2-3) Active area in array & periphery area(拡散層)(No.3)  ，一般規則採140nm，依備註欄所載，「80nm」乃例外規則  ，用於感測放大器(SAMP)、子字線驅動器(SWD)區域內始適用。聯電公司之設計規則係用於(ARRAY+Periphery)之周邊區域兩主動區間之最小間距或一個主動區之凹口(notch)寬度二者數值最小距離為OOOOOO OOOOOO，而美國美光公司之設計規則則限制於array區中之SAMP,SWD內之兩主動區之最小間距為80nm。聯電公司此規則之適用範圍較美國美光公司廣，兩者適用範圍未盡相同。

  ③如附件三編號3所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOOOO OOOOOOOOOOOOOO OOOOO OOOOOO OOOOOOOOOOOOO與美國美光公司之設計規則8-3)SD ion implantation(SD注入)(NO.1)   ，二者數值大小均為OOOOOO OOOOOOO，聯電公司之設計規則係用以表示OOOOOOOOO區(依其定義即為OOOOO○)之O○○○○OOOO區之間距最小寬度為OOOOOO OOOOOOO。美國美光公司之之ARRAY區N型摻雜區(SD)區(F32-6F) Array亦採相同參數， 兩者採用之參數相同。然聯電公司的○OOOOOOOOOOOOOO○與美國美光公司的 Array所定義之區域並未完全相同。

  ④如附件三編號4所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOOOOO

　　OOOOOOOOOOOOO OOOOO OOOOOO OOOOOOOOOOOOOOO與美國美光公司之設計規則8-3)SD ion implantation(SD 注入)(No.1  )，二者數值大小均為OOOOOOOOOOOOO，且聯電公司設計規則係定義非OOO○OOOOO○OOOOO○OOOOO○○O○○○OO○○○○OOOO○○○○○○○○OOOOO○最小寬度為OOOOOOOOOOOOO ；依美國美光公司設計規則係為（F32-6F) Periphery採用420nm，依據聯電公司設計規則就其適用範圍與美國美光公司規則相同。然聯電公司的○OOOOOO OOOOOOOOOOOOOO○與美國美光公司的 Per.兩者定義並非相同，其適用範圍並非相同。

  ⑤如附件三編號5所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOOOO

　　OOOOOOO，聯電公司之設計規則為○OOOOOO OOOOO OOOOOOO OOOOOOOOOOOOOO○表示適用array以外之周邊區之N_WELL寬度。美國美光公司之Periphery區之N_WELL寬度亦採相同參數，兩者採用之參數雖相同。然聯電公司的○OOOOOO OOOO OOOOOOOOOO○與美國美光公司的Periphery所定義之區域並非相同，適用範圍不同，故兩者並非完全相同。

  ⑥如附件三編號6所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOO OOO OOOOOOOOOO OOOOO OOOOOO OOOOOOOOOOOOOO與美國美光公司之設計規則13-1) Nwell：反轉（No.1），二者數值大小均為OOOOO OOOOOOO，聯電公司設計規格為○OOOOOO OOOOO OOOO OOOOOOOOOOO○表示適用array區之N_WELL寬度。美國美光公司之 Array區之N_WELL寬度亦採相同參數，兩者採用之參數相同。然聯電公司的○OOOOOOOOOOOOOO○與美國美光公司的Array區所界定區域並非相同，故兩者並非完全相同。

  ⑦如附件三編號7所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOO OOO OOOOOOOOOO OOOOO OOOOOO OOOOOOOOOOOO與美國美光公司之設計規則13-1) Nwell：反轉(No.2)，二者數值大小均為OOOOO OOOOOOOO，聯電公司設計規格與美國美光公司之N_WELL間距寬度採用相同參數。然美國美光公司係限定於 NWell為固定電位，聯電公司之設計規則則無此限定，故兩者存在差異性。

  ⑧如附件三編號8所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOO OO OOOOOOOOO OOOOO OOOOOO OOOOO○OOOOO○與美國美光公司之設計規則13-2)Pwell:正轉（NO.1），二者數值大小均為OOOOO ○OOOOOO○，聯電公司設計規格與美國美光公司之P_

　　WELL間距寬度採相同參數。聯電公司之該設計規則適用於所有區域（除Cell以外之區域即包含Array及Periphery），美國美光公司之設計規則亦適用之Array（含MC區）及Periphery，故適用範圍不同。

  ⑨如附件三編號9所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOO OO OOOOOOOOO OOOOO OOOOOO OOOOO○OOOOO○與美國美光公司之設計規則13-2) Pwell:正轉（NO.2），二者數值大小均為OOOOO OOOOOOO，聯電公司設計規格為○OOOOOO OOOOO OOO OOOOOOOOOOO○表示適用array區之P_WELL寬度。美國美光公司之Array區之 P_WELL寬度亦採相同參數，兩者採用之參數相同 ，惟聯電公司之○OOOOOOOOOOOOOOO○與美國美光公司的 Array兩者定義並非相同，美國美光公司另規定限定在固定電位，聯電公司則無該限制。故兩者存在差異性。 

  ⑩如附件三編號10所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOOOOO O OOOOOOOO OOOOO OOOOOO OOOOOOOOOOOOOO與美國美光公司之設計規則13-2)Pwell:正轉(NO.2)，二者數值大小均為OOO○OOOOOOO，聯電公司設計規格為○OOOOOO OOOOO OOOOOO OOO OOOOOOOOOOOO○表示適用array以外（包含周邊區）之P_WE  LL寬度。美國美光公司之Periphery區之 P_WELL寬度亦採相同參數，惟聯電公司之○OOOOOO OOOOOOOOOOOOOO○與美國美光公司的 Periphery區兩者定義並非完全相同，且美國美光公司另有規定限定在固定電位，聯電公司則無該限制，故兩者存在差異性。

  ⑪如附件三編號 11所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOO OOOOOOOOOOOOOOOO OOOOO OOOOOO OOOOOOOOOOOOO與美國美光公司之設計規則13-4)DNwell：反轉(No.5)，二者數值大小均為OOOOO OOOOOOO，聯電公司設計規格與美國美光公司之DN well寬度採相同參數，且聯電公司設計規則未特定適用範圍，即一般規則，即適用於cell區以外之周邊區域(包含Array+周邊區)；美國美光公司設計規則亦適用於Array(  包含MC區）+Periphery區。由於美國美光公司與聯電公司之Array、Periphery定義不同，故兩者設計規則並非相同。

  ⑫如附件三編號12所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOOOOOO OOOOOOOOOOOOOO OOOOO OOOOOO OOOOO○OOOOOOO與美國美光公司之設計規則13-4) DNwell：反轉(No.4)，二者數值大小均為OOOOO OOOOOOOO，聯電公司設計規格與美國美光公司之DNwell間距採相同參數。且聯電公司設計規則未特定適用範圍，即一般規則，即適用於 cell區以外之周邊區域（包含Array+周邊區）；美國美光公司設計規則適用於Array（含MC區）+Periphery區，故兩者適用範圍不同。

  ⑬如附件三編號13所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOOOOO OOOOOOOOOOOOOO OOOOOO OOOOOOOOOOO與美國美光公司之設計規則2-3)Active area in array & periphery area（擴散層）」(No.7)，二者數值相同，單位不同，聯電公司設計規則係OOOOO，而美國美光設計規則係OOOOOO（um平方）亦表示面積。再聯電公司設計規則係OOOOO，係適用於記憶胞以外之所有主動區域都適用。再者，美國美光公司設計規則之Array（包含MC區）及 Per.區之主動區面積係採設計規則，雖於備註欄另針對SAP、SAN及YSW（Y方向sub word）區域訂有例外規則，其數值分別為0.107um、0.150um及0.167um  ，兩者數值相同，惟因兩者定義之 Array及Periphery區不同，故兩者適用範圍存在差異性。

  ⑭如附件三編號14所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOO OOOOOO○OO○OOOOO OOOOOO OOOOO○OOOO○與美國美光公司之設計規則2-3) Active area in array & Periphery area （擴散層)」(No.10)，二者數值大小均為「○OOO」，數值相同。且適用於MC（記憶胞）區以外之Array+Per.區，兩者適用範圍相同。聯電公司設計規則係用以 150×150um2框框面  積，並以每OOOO為增量單位去做檢查，美國美光公司設計規則係以20×20um2為框框單位，且於X、Y方向上分別以10um、10nm進行位移檢查。兩者檢查取樣之面積步距不同，故兩者存在差異性。

  ⑮如附件三編號15所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOO O OOOOOOOOOOOOOO OOOOOO OOOOOOOOOOOO與美國美光公司之設

　  計規則2-3)Active area in array & periphery area(擴散

　  層)」(No.11)，二者數值大小略有不同，聯電公司設計規則

　  係「○OO」，美國美光公司設計規則係「OOOO」，即美國美

　  光設計規則最大值不能等於OOO。就數值本身相同，且適用

　  於MC(細胞)區以外之Array+Per.區，兩者適用範圍相同。再

　  者，聯電公司設計規則說明係用以OOOOOOOOOO框框面積，並

　  以每OOOO為增量單位去做檢查，美國美光公司設計規則係以

　  20×20um2為框框單位，且於X、Y方向上分別以10um、10nm進

　  行位移檢查。兩者檢查取樣之面積步距不同，故兩者存在差

　  異性。

  ⑯如附件三編號16所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOOOO OOOOO○OO○OOOOO OOOOOO OOOOO○OOOOOOOOOO○參數為OOO OOO，而美國美光公司之設計規則13-1)Nwell：反轉(No.4)一般規則採300nm，但在SA(感測放大器)特例為250nm。聯電公司設計規則適用於Array之感測放大器（OOOOOO OOOO）區域，且規範表示O○○○OO○○○○○○○。美國美光公司設計規則則規範一般distance Nwell to N+ active area(  minimum)為300nm(該規則可對應於附件三編號11所示聯電公司OOOOOOOOOOOOOOOOOOO OOOOOO OOOOO○OOOOOOOOOOOO○OO OOOOO OO OOOOOO OO OO OOOOOO OOOOOO OOOOOOO○(除了OO OOOO外之區域)，但在SA特例（即為感測放大器）時採用OOO OOO。亦即聯電公司○OOOOOOO OO OOOOOO OO OO OOOOOO OO OOO OOOOOOO○與美國美光公司之SA特例規格相同。但美國美光公司設計規則係適用於具PN隔離結構（PN Isolation)者（美國美光公司設計規則第45頁最上方載明「13) PN Is  olation (PN分離)」，前述PN隔離結構即上圖中所示淺溝渠隔離(STI)，而由聯電公司設計規則之描述及圖例可知並未限定是否於PN隔離結構，即二者所適用之區域並不相同。

  ⑰如附件三編號 17所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOOO OOOOOOOOOOOOOOO OOOOOO OOOOOOOOOOOOOOOOO與臺灣美光公司之設計規則13-1) Nwell：反轉(No.5)，二者數值雖均為OOOOO OOOOOOO。聯電公司設計規則定義為○OOOOOOO OO○O OOOOOO OO OOOOOOOOO OOOO OOOOOOOOOOOOOO○參考【聯電公司設計規則第15頁圖例】標示OOOO，美國美光設計規則則定義「overlap margin N well to P+ active area(minimum）（transistor）」表示N型井內與P+主動區間重疊之部分，參酌【美國美光公司設計規則第45頁圖例】該上開定義為圖中之標號(b)係為標號b，兩者定義不相同，故聯電公司及美國美光公司之該條設計規則不同。

  ⑱如附件三編號18所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO OOOOOO OOOOOOOOOOOOOOOO與美國美光公司之設計規則13-4) DNwell：反轉(No.3)，二者數值( OOO OOOOOOOO）相同，均在規範N型井至深N型井之間距。至於聯電公司雖然有規定 「OOOOOOO OO OOOOOOOOOOO OO OOOOOO OO OOOOOOOOOOOOOOOOOOO○界定OOOOOOOOOOO○OOOOOO O兩者為非等電位的條件之間距，美國美光公司並未有該規定，故兩者存在差異性。

  ⑲如附件三編號19所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOOOO OOOOOOOOOOOOOOOOOOO OOOOOO OOOOOOOOOOOOO與美國美光公司之設計規則8-3)SD ion implantation(SD注入)(No.2)，二者數值均為OOOOOO（ OOOO），均為OOOOOOOOOOOOO○○○○○○)中定義陣列區之 N+植入區寬度。聯電公司設計規則中定義○OOOO OOOOOOOOOOOOOO○及適用於 CELL以外的Array區，美國美光公司之設計規定亦適用於MC以外之Array區域

　　，故兩者數值相同，另由聯電公司設計規則NO.NSD.W1.1規定OOOOOO OOOOOOOOOOOO000O（○○○○）數值○OOOO，與聯電公司設計規則亦相同。惟聯電公司之○OOOOOOOOOOOOOO○與美國美光公司的 Array區兩者定義並非完全相同，故兩者存在差異性。

  ⑳如附件三編號20所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOOOO OOOOOOOOOOOOOOOOOOO OOOOOO OOOOO○OOOOOOOOOOOOOO○與美國美光公司之設計規則8-3)SD ion implantation（SD注

　　入）(No.5)，二者數值大小均為OOOOOO OOOOOO，但聯電公司設計規則定義○OO○○○○O○○○○OO○○○○○○○(○○OOOO○○○OOOOO○OOOOOOOOO)，與美國美光公司設計規則定義「N+植入區與主動區之間距(用於array【包含MC區

　　】)」，兩者適用範圍不同。故兩者存在差異性。

  ㉑如附件三編號21所示設計規則，聯電公司之設計規則OOOOOO OOOOOOOOO○OOOOOOOOO OOOOOO OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO與美國美光公司之設計規則8-3)SD ion implantation（ SD注入）(No.9)，二者數值大小均為OOOOOO OOOOOO，但聯電公司設計規則定義○OO○○○○○O○○○○OO○○○○○○

　　○○○○OOOO○○○OOOOO○OOOOOOOOO○，與美國美光設計規則定義「N+植入區圍繞主動區之寬度(適用於Array區【包含MC區】)」兩者適用範圍不同，故兩者存在差異性。

  ㉒如附件三編號22所示設計規則，美國美光公司之設計規則8-3) SD ion implantation(SD注入)（No.13），item欄記載「N+SDminimum dot rule」，數值為「0.43um2」。公訴人雖主張聯電公司之設計規則並無相同之規定，然觀諸聯電公司設計規則OOOOO OOOOOOOOO○OOO○OOOOO OOOOOO OOOOO OOOOOOO，Description欄記載○ OOOOOOOOO OOOO○，數值為「OOOOO」，顯見兩者數值明顯不同，故兩者規定有所不同。

  ㉓如附件三編號 23所示設計規則，美國美光公司之設計規則13-4) DNwell：反轉「No.8」,item欄記載「Overlap b/w DN well and Well Con N+Active」、「Distance b/w DN well andWellCon  N+ Active」， 並記載「free」，並無任何數值。然聯電公司設計規則關於DNwell之相關規定，並未見有相同的規定。 

  ㉔如附件三編號24所示設計規則，臺灣美光公司之設計規則13-4) DNwell：反轉「No.9」,item欄記載「Overlap b/w DNwell and Well Con N+ Active」、「Distance b/w DN well and WellCon N+Active」，並記載「free」，並無任何數值。然聯電公司設計規則關於DNwell之相關規定，並未見有相同的規定。

⑷綜上，如附件三所示美國美光公司及聯電公司之設計規則，兩者存有上開差異，兩者設計規則之適用範圍顯不相同，又本案聯電公司之設計規則僅係規範週邊電路區，並非業界爭相競爭之記憶細胞區，且附件三所示之設計規則僅佔本案聯電公司設計規則300餘條規則中之 24條，尚難逕以本案聯電公司之部分設計規則與臺灣美光公司之設計規則參數相同，即遽認聯電公司之設計規則有參考臺灣美光公司之設計規則。故被告戎樂天辯稱兩者設計規則之規定及適用範圍不同，尚非子虛。

⒋關於聯電公司研發本件F32 DRAM之製程結構及設計規則之源由

　：

⑴證人楊名聲於本院審理時證稱：聯電公司研發F32 DRAM之記憶胞(Cell)結構，經研讀相關資料後研判與三星公司較相近，復從卷附相關會議紀錄中所附之○OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO之簡報資料中(參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷八第265至282頁），有提及Air Gap Technology Request，表示欲發展三星公司之Air Gap的技術，簡報中的圖亦係聯電公司逆向工程三星公司20奈米製程產品而來。另在卷附檔名OOOOOOO OOO OO○○○ OOO OOOOOOOOOOOOO (參見本院111年度刑智上重更一字第1號限覽卷第237至263頁)，此檔案資料將製造流程的圖逐一列出，上開流程圖亦係逆向工程三星公司產品報告所得，顯見示聯電公司105年討論研發 F32 DRAM製程時，均係參考三星公司半導體製程技術。又伊受託以逆向工程分析聯電公司及美國美光公司各自DRAM結構，分析結果發現兩家公司晶片元件及製程存有明顯差異，包含主動區域/淺溝槽絕緣、埋入式字元線、位元線接觸、儲存節點墊、儲存節點及金屬接線等層別

　，微結構不同，製程亦不同，晶片元件不同，亦影響後續相關製程、設備及製程參數，包含元件、電路的設計。聯電公司根據三星公司DRAM結構所推演出的這些製程結構，與美國美光公司不同，顯無法直接使用。再聯電公司F32 DRAM設計規則係自聯電公司 65奈米邏輯OOOOOOOOO的製程而來，復經比對聯電公司 OOOO OOOO OOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOOO OOOO O○○OOOOOOOO OOOO第14頁與聯電公司OOOO OOOOO OOO OOOOOOOOO OOOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOO OOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOOO OOOOOOO OO○○○OOOOOOOOOOOO第 21頁所列十項規則中，除第6及第9項之數值不同外，其餘條次之數值均相同，且由圖示顯示結構布局亦同。另根據當時的合作廠商○○OOO○○，在2016年2月份的月會裡有討論設計規則，設計月報亦提及斯時所謂閘極的最小寬度為OO○○，因聯電公司OOOO OOOOO OOO OOOOOOOOO OOOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOO OOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOOO OOOO OOO O第33頁中之OOOOOOOOOOOOOOOOOOO OOOOOO OOOOO○OOOOOOOO○OOOO，始採為版本。至卷附之附件三編號3至12所示聯電公司設計規則:①如附件三編號3所示○OOOOOO○這條參數是OOOO，這條設計規則在P2版本時係OOOO，P3版本係OOOO。從設計規則內所附之圖示來看，OO係指有虛線之框，又設計規則有提及OOOOOOO和OOOOOOO是等值的，OOOOOOO，再OOOOOOOOO的寬度（width)，及OOOOOO○OOOOOOOOO這邊有一個所謂Enc  losre的寬度，這兩個寬度加起來，始等於這個數值。另設計規則N+章節所載OOOOOOOOO OOOOO○OOO○為兩部分組成(1)Active width (2)兩倍的OOOOOOOOO OOOOOOOOO OO OOOOOOOOO OOOO OOOOOOOO OOO。而Active的width 是據○○OOO○○在2016年5月11日會議記錄內，有提供聯電公司GDS file並解析到 Active的最小寬度(width)是OOOO。復根據2016年7月11日OOOO跟聯電公司的會議記錄內，有提到OO OOOOOOOOO OOOOOO，Array的區域是OOOO，兩邊都是OOOO，Active的width是OOOOO，故OOOO再加上兩倍的OOOO等於OOOO，此為Active space之計算方式。②如附件三編號 4所示(OOOOOOOO)這條設計規則係解析○○OOOOOO之GDS file所得之參數為OOOO。雖據聯電公司OOOO OOOOO OOO OOOOOOOOO OOOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOO OOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOOO OOOO OOO O第18頁中之OOOOOOOOOOO OOOOO OO OOOOOOOOOOOOOOOOO之參數為OOOO，此參考值可顯示聯電公司之現製程能力，而現聯電公司F32 DRAM設計規則訂定OOOO，即表示聯電公司之製程能力可及此，然因尚未經製程驗證並僅為參考值。③如附件三編號11所示(OOOOOO)這條設計規則之參數為OOO；④如附件三編號12所示(OOOOOO)這條設計規則之參數為OOO。這兩條設計規則係2016年 7月11日在OOOO的會議紀錄直接建立width是OOO和OOO。雖據聯電公司OOOO OOOOO OOO OOOOOOOOO OOOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOO OOOOOOOOOOOOOOOOOO OOOOOO OOOO OOO O第19頁中之OOOOOOOOOO OOOOOOOOOOOOO○O○OOOOOOO OOO OOOOO OO OOOOOOOOOOO OO OOOOO0OOOOOO○OOOOOOO是OOO，上開聯電公司F32 DRAM設計規則訂定參數較小，然聯電公司當時製程能力已可及於O及OOO，但廠商要求OOO及OOO，故聯電公司F32 DRAM設計規則即按照廠商要求訂定，然因尚未經製程驗證而僅為參考值及底稿。⑤如附件三編號5所示(OOOOO)這條設計規則係解析OOO之GDS file所得之參數為 O，故聯電F32 DRAM設計規則亦訂定參數為O。⑥如附件三編號6所示(OOOOOOO)這條設計規則參數為OOO，而此部分聯電公司解析OOO之GDS file所得之參數為O，不清楚為何聯電F32 DRAM設計規則訂定參數為OOO，然上開參數係聯電公司之製程能力可及之 ，且因尚未經製程驗證，僅為參考值，故認聯電公司F32 DRAM設計規則訂定參數為OOO屬合理範圍內之參考值。⑦如附件三編號 7所示(OOOOO)這條設計規則參數為OOO，而此部分聯電公司解析OOO之GDS file所得之參數為OOO0。⑧如附件三編號8所示(OOOOO)這條設計規則參數為OOO；⑨如附件三編號9所示（OOOOO)這條設計規則參數為OOO；⑩如附件三編號10所示（OOOOOOO)這條設計規則參數為O。所謂CMOS製程，在邏輯區CMOS的製程中 N_WELL佈局圖及P_WELL佈局圖，這兩個圖形是互補，故OOOOOO OOOOO○○O OOOOO OOOOO○○OOOOOO OOOOO○○OOOOOO OOOOO，兩者是互補的。而OOOO 00OOOOOOOOOO OOOOO OOOOOO OOOOOOOOO這個規定在聯電公司F32 DRAM設計規則P3版本並未列出，因聯電公司從事邏輯製程，知悉N_WELL跟 P_WE LL兩者互補，故聯電公司F32 DRAM設計規則一開始並未將P-WELL部分列入規定，但聯電公司F32 DRAM設計規則係據廠商回饋告知DRAM情況不同始在P3版本出現上開規定。又OOOOOO OOOOOOOOOOOO○○OOOOOO OOOOO OOOOOOO之參數為OOO，OOOOOO OOOOO OOOOOOO○○OOOOOO OOOOOOOOOOOOOO之參數為OOO，OOOOOO OOOOOOOOOOOOO○等於OOOOOOOOOOOOOOOOOO之參數為O，此為上開三條規定之由來等語（參見本院109年度刑智上重訴字第9號卷三十第119至160頁），且有證人楊名聲提出之聯電公司與美光公司動態隨機存取記憶體晶片元件設計與製程分析報告、○OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO、OOOOOOO OOOOO○○○OO OOOO資料、○○○○OOOO OOOO OOOOOOO OOOOOOOOOOOO OOOOOO OOOOO○○OOOOOOOOOOOO、○○○○ OOOOOOOOO OOO OOOOOOOOO OOOOOOOO OOOOOOOOOOO OOOOO OOOOOOOOOOOOOOOOOO OOOOOO OOOO OOO O（○○○OOOOOOOOOOO）、庭呈之設計規則十條簡報(參見本院109年度刑智上重訴字第4號限閱卷四第227至247頁、第281至291頁、111年度刑智上重更一字第1號限閱卷第237至263頁、第329至605頁）在卷可稽。

⑵證人即聯電公司員工劉立偉於本院審理時證稱：聯電公司本件F32 DRAM設計規則係以聯電公司 65奈米邏輯MIXEDMODE之設計規則為基礎出發，並配合客戶○○○○○○之需求，即客戶○OOOOOOO○有提供之前在其他公司設計使用週邊電路設計圖之GDS予聯電公司，GDS係圖形化之檔案，聯電公司有以電腦軟體分析GDS而得出各式各樣設計圖之圖形，進而知悉客戶之需求。又本件聯電公司F32 DRAM CELL結構係業界常稱的 3乘2、300T的結構。斯時開發DRAM CELL時，DRAM CELL國際間領先的廠商為三星公司，故聯電公司有購買三星公司產品之逆向工程報告，欲朝三星公司方向開發。當時美國美光公司25奈米DRAM結構係2乘3，剛好與聯電公司相反。倘CELL的結構不同，會影響週邊電路佈局，因300T即3乘2跟2乘3，為DRAM記憶體晶胞內之字元線與位元線，3乘2跟2乘3分別為字元線跟位元線之最小限寬，字元線與位元線大小不同，連帶外面週邊電路規則，即佈局圖不同，設計規則亦大相逕庭等語（參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷八第386至391頁、第394至396頁），與證人楊名聲所述情節殊無二致，俱徵證人楊名聲所述為真。

⑶佐以證人即前聯電公司員工呂文傑於本院審理時證稱：當時伊係負責DRAM CELL記憶胞製程之研發，而 DRAM研發較困難之處在記憶胞區，為製程微縮，聯電公司當時係靠逆向工程以三星公司作為標的指標，至於週邊電路當時有兩間設計公司○○○○○○及晶豪科公司，負責週邊電路設計，聯電公司主要花費人力、 物力及時間在開發記憶胞區，再整合記憶胞區跟週邊電路區。 聯電公司F32 DRAM記憶胞區最小尺寸係25奈米，然當時週邊電路區最小尺寸為65奈米，且聯電公司在2018年間製程能力已可及於14奈米產品，對聯電公司而言，週邊電路區相對記憶胞區較易開發，又F32 DRAM工藝的製程5、600道，週邊電路僅80至100道，故本案人力、研發之重心均在記憶胞區。至於本案聯電公司週邊電路之設計規則如何研發，因設計公司○○○○○及晶豪科公司有提供設計圖之GDS，故設計規則之週邊電路即直接採用設計公司提供之電路佈局圖，再搭配聯電公司自己之製程能力可及於14奈米產品，此為上開週邊電路設計規則之由來。本件聯電公司研發記憶胞的結構與三星公司相似，因三星公司與美國美光公司在那個世代的記憶胞架構係完全不同，三星公司係3乘2，即字元線與位元線所佔寬度係每個單位面積內有3個字元線跟2個位元線，而美國美光公司當時係2個字元線、 3個位元線，整個結構不同。而記憶胞結構不同亦會影響週邊電路佈局之週邊電路設計規則，2乘3之字元線與位元線之排列，與3乘2之字元線與位元線之排佈，週邊電路接出之電路亦不同，如美國美光公司2乘3架構中，有一個位元線並未實際參與電路操作，即須另作電壓的處理，故記憶胞區3乘2與2乘3結構不同，週邊佈局架構亦迴異等語（參見本院111年度刑智上重更一字第1號卷八第411至418頁）。

⑷由以上各情相互勾稽，益證聯電公司就本件與晉華公司合作開發F32奈米DRAM係採取三星公司 DRAM技術軌跡，而與美國美光公司之DRAM技術不同，又聯電公司本件F32 DRAM設計規則係以自家65奈米設計規則為基礎並參考設計公司提供之資料而為之

　，再聯電公司本件設計規則與美國美光公司設計規則適用範圍明顯不同並存有上述差異存在，本件聯電公司相關設計規則(

　如附件三編號 3至12部分），復可提出證據說明其來源及出處

　，故被告戎樂天辯稱聯電公司開發F32 DRAM係採用三星公司結構，與美國美光公司結構不同，顯無參考使用美國美光公司之技術資料等語，亦非無稽。

⒌公訴意旨固舉經濟部投資審議委員會於105年4月12日以經審二字第00000000000號函、「0000000000000000000（F32nm Desi ign Service Agreement ）」為據，用以佐證被告王永銘、戎樂天有意圖在大陸地區使用營業秘密之狀況。而依經濟部投資審議委員會於105年4月12日以經審二字第00000000000號函、「000000000000000000000000（0000000000000000000000000  0)」所載，僅能證明聯電公司與晉華公司間協議由晉華公司出資，由聯電公司進行 32奈米DRAM及32s奈米DRAM相關製程技術開發，技術完成後再交晉華公司量產。另聯電公司、晉華公司及○○○○○等三方復約定將聯電公司所制定之 DRAM設計規則轉換為程式碼後，送交日本 000○○進行設計圖修改等，費用由晉華公司支付，○○○○○測試完成並交付GDS檔案等資料後，再交由晉華公司進行量產等情，不能逕認被告王永銘、戎樂天有起訴書所指意圖在大陸地區使用而使用他人營業秘密之犯行。至證人即共同被告何建廷、王永銘雖於調詢時證稱：106年 2月7日搜索前，戎樂天曾警告或要求移除電腦內之資料等語(參見106年度偵字第5612號卷第78至87頁、第115至135頁

　)，然此僅能證明戎樂天在搜索前曾警告或要求移除電腦內資料，尚無法作為被告戎樂天有意圖在大陸地區使用而取得、使用本件營業秘密之佐證。

⒍又被告王永銘與友人謝奕偉間、被告王永銘與其妻曾玉蓮間LI

　 NE對話紀錄內容，雖顯示：

 ⑴被告王永銘與其友人謝亦偉(下稱nick)間之對話紀錄：

 ①105年3月5日上午4時45分18秒至4時52分27秒：（擷取照片附

　 於106年度智訴字第11號卷十六第279頁)

　 nick：但你要去大陸他不用。

　 王永銘：對，去大陸是另外簽的。

　 nick：所以你要去嗎?

　 王永銘：他肯定會留在RnD。

　 nick：當然會。

　 王永銘：賺的比較快。

　 nick：幾倍、你老婆小孩怎辦？

　 王永銘：不知，那是一年後的事了。

 ②105年2月27日下午2時3分33秒：（擷取照片附於106年度智訴

　 字第11號卷十六第281至283頁)

   王永銘：跟UMCRnD做出自有技術。

   nick：你意思是他在台灣搞rd技轉大陸就對了。

   王永銘：心裡明白就好。

   nick：這樣比較合理、幹那好多家要玩dram喔…、Dram又要

         崩了。 

   王永銘：110S很慘，沒什麼效益。

   nick：據說有可能掛掉。

   王永銘：90S用以前賣ETT的模式在大陸搞，有前途、再者協

   　　　　助UMC RnD搞出90S，以他以前的能力，100S就不是

　　　　   問題。

   nick：你說戎Sir嗎，他很久沒玩dram了。

 ③105年4月3日上午4時3分17秒:(擷取照片附於106年度智訴字

　 第11號卷十六第285頁)

   nick：所以你已經佔至高點可多看多學。

   王永銘：是啦，我只是著眼run的出來，去大陸撈一票，退役

　　       。

 ④105年4月17日上午9時17分52秒：（擷取照片附於106年度智

　 訴字第11號卷十六第287頁)

　 王永銘：U那邊進度只要符合里程碑，年薪＋獎金估計可達3

            00，到大陸建廠則更高、但就是擔心實力不夠。

 ⑤105年11月28日下午12時43分55秒至12時44分17秒：（擷取照

　 片附於106年度智訴字第11號卷十六第295頁)

   王永銘：打完這一仗，我想休息了。

   nick：先離職嗎。

   王永銘：大陸的啊、4年約。  

 ⑵被告王永銘與其妻曾玉蓮105年12月23日上午11時53分23秒至下午12時50分10秒之對話紀錄：(擷取照片附於 106年度智訴字第11號卷十六第297頁)

   王永銘：升M2了。 

   曾玉蓮：經理嗎？   

   王永銘：對，想不到我可以走到這個境界。 

   曾玉蓮：越上面壓力越大，有帶人嗎？

   王永銘：10幾個、大S還要我們去大陸開戶，每年多給30萬人

           民幣。

   此有被告王永銘與友人謝奕偉間、被告王永銘與其妻曾玉蓮間之對話擷取照片在卷足稽(參見106年度智訴字第11號卷十六第279頁、第281至283頁、第285頁、第287頁、第295頁、第297頁），然上開證據，僅能證明被告王永銘曾提及美國美光公司、臺灣美光公司獨有產品編號110S、100S、90S及大陸等詞之事實，尚無從證明被告王永銘有意圖在大陸地區使用而使用、洩漏營業秘密及洩漏工商秘密犯行。

⒎ 準此，雖被告王永銘於本院審理時就起訴書所載全部犯行均   予以坦認，然起訴書所指其涉犯營業秘密法第13條之2之罪及

　 洩漏工商秘密罪，未據檢察官提出任何證據證明被告王永銘

　 有使用、洩漏本件美國美光公司之DRAM技術在本件F32奈米DR

　 AM開發技術及意圖在大陸地區使用營業秘密等節，且卷內亦

　 無其他跡證可資補強，故實難僅憑被告王永銘之單一自白，

　 即遽認被告王永銘有意圖在大陸地區使用而使用、洩漏營業

　 秘密及洩漏工商秘密之犯行及被告戎樂天有意圖在大陸地區 

　 使用而取得、使用營業秘密之犯行。

(四)背信部分(即被告王永銘部分)

  ⒈按刑法第 342條之背信罪，以行為人為他人處理事務，意圖為自己或第三人不法之利益，或損害本人之利益，而為違背其任務之行為，致生損害於本人之財產或其他利益，為其構成要件。此處所謂「為他人處理事務」，係指行為人受該他人(即本人)委任，為他人處理事務，而形成照料義務。亦即刑法背信罪之主體，限於為他人處理事務之人，僅於行為人本於與他人之內部關係（例如委任、僱傭契約）所生義務，對外以他人之授權為本人處理事務，而立於為他人處理事務之地位時，始該當於背信罪之主體（最高法院 112年度台上字第1944號判決意旨參照）。換言之，背信罪所謂的為他人處理事務，應該限於為他人處理外部關係的財產上的法律事務（變動法律上權利義務關係之事務），而所謂造成財產或其他利益的損害，也是專指外部關係（本人與第三人間）的（違背本人意思的）利益損失，並不及內部關係之機械性事務之違反。準此，若被告並無處理本人對外關係之財產上法律事務，或無損及本人與第三人間之利益輸送，僅係本人與行為人內部法律關係之違反，應為單純民事債務不履行範疇

　　，核與刑法背信罪之不法構成要件無涉。復按刑法上背信罪所指為他人處理事務，在性質上應限於具有相當責任性之事務，而且行為人在處理上有權作成決定，或是行為人在處理上需要作成決定之事務（最高法院 85年度台上字第660號判決意旨參照）。而檢察官之起訴意旨固認被告王永銘涉有背信之犯行，然均未具體論及被告王永銘在本案係受告訴人臺灣美光公司委託處理何事務，而有如何違背任務之行為。

  ⒉又被告王永銘於案發期間係在告訴人臺灣美光公司擔任品質工程部副理，主要之業務內容為新機種之打樣、試做或協助測試機種之改善，不屬受委任為他人對外處理財產事務之人

　　，亦與告訴人對外財產事務之法律關係發生變動無涉。至有關告訴人臺灣美光公司人員如需取得C電磁紀錄及D紙本資料

　　，依告訴人臺灣美光公司之作業方式，區分「同部門」及「

　　跨部門合作」而有所不同。 (1)同部門之人員，有存取檔案資料之需求時，可向資訊部門要求提供協助，由資訊部門在伺服器端開設空間並進行系統設定，設定之範圍與權限僅限「上開提出需求之部門員工或獲授權之員工」在允許「存取該空間(資料夾)內」之檔案資料。 (2)跨部門合作時，如業務有跨部門合作之需求，臺灣美光公司之資訊部門即將跨部門合作之人員所需存取、共享的檔案，置於SharePoint平台上，有獲得授權之跨部門合作之專案人員始可存取SharePo  int上之資料夾，由「專案負責人」或「SCA」（類似系統管理員之角色）處理、篩選、調整該專案資料夾的權限設定，准否取得平台上檔案。被告王永銘曾於臺灣美光公司擔任S

　　CA而被授權之範圍內，與專案負責人有相同權限，可決定檔案之存取權限、分享範圍等。至被告王永銘在何專案曾任專案負責人或 SCA，臺灣美光公司因檔案甚大尚難徹查等情，

　　此有臺灣美光公司函暨附件說明(參見本院111年度刑智上重更一字第 1號卷九第143至163頁)在卷可佐，亦難認上開C電磁紀錄及 D紙本資料為被告王永銘在告訴人臺灣美光公司依其職務在工作上所得決定處理之事務。

  ⒊是以，被告王永銘與告訴人臺灣美光公司所簽之保密暨智慧財產合約固有保密責任條款，被告王永銘重製並使用上開C電磁紀錄及 D紙本資料，雖可能違反與告訴人臺灣美光公司間約定就公司資料之保密且不得重製、使用之不作為義務，但究非刑法第342條第1項所定為他人處理事務之情形，被告王永銘不具有刑法第342條第1項所定為他人處理事務之身分。從而，被告王永銘前開被訴之行為，自不合於刑法所定背信罪之身分要件，而難以該罪相繩。 

　　犯罪，檢察官認被告何建廷、王永銘此部分與前開經起訴論罪之使用營業秘密犯行有裁判上一罪關係，故就被告何建廷

　　、王永銘不另為無罪之諭知，被告戎樂天被訴意圖在大陸地區使用而取得使用營業秘密部分為無罪之判決，以昭審慎。原審未查，逕就此部分為實體判決，適用法則尚有未洽。被告戎樂天據此上訴指摘原判決此部分不當，為有理由，自應由本院將原判決此部分撤銷，改諭知被告戎樂天無罪、被告何建廷及王永銘不另為無罪之諭知。

丙、公訴不受理部分(被告戎樂天被訴營業秘密法第13條之1之罪

　　部分)：

(一)公訴意旨略以：被告戎樂天明知被告王永銘已從臺灣美光公司離職近半年，其所持有之臺灣美光公司資料應係以不正方法所取得，竟意圖在大陸地區使用及損害美國美光公司之利益，要求被告王永銘參考美國美光公司之資料（即DR25nmS設計規則），與聯電公司F32 DRAM「設計規則」交互比對，將不同部分挑出，標上美國美光公司之DRAM設計規則之穩定數值，填寫包含無法以逆向工程回推之離子植入等相關必要參數，協助完成設計規則中「Cell」、「 Array」及「Periphery」等部分，再交給被告戎樂天審閱，以使聯電公司加速完善F32 DRAM設計規則內容。因認被告戎樂天亦涉違反營業秘密法第13條之1第 1項第4款之明知他人擅自重製取得持有之營業秘密，而取得該等營業秘密罪嫌。

(二)按告訴乃論之罪，其告訴應自己為告訴之人知悉犯人之時起

　　，於 6個月內為之；又告訴或請求乃論之罪，未經告訴、請求或其告訴、請求經撤回或已逾告訴期間，應諭知不受理之判決，刑事訴訟法第237條第1項、第303條第3款定有明文。

(三)檢察官起訴書認被告戎樂天係觸犯營業秘密法第13條之1第1項第4款之罪，依營業秘密法第13條之3第1項之規定，須告訴乃論。然本案係告訴人臺灣美光公司、美國美光公司委由告訴代理人對被告王永銘、聯電公司提出刑事告訴，此有105年8月25日刑事告訴狀、105年12月14日刑事告訴補充理由(三)狀在卷可參(參見105年度他字第6099號卷一第5至15頁、第281至287頁)，告訴人復於106年 2月13日委請王仁君律師於偵訊時表明對被告何建廷提出違反營業秘密法等案件之告訴等語明確，亦有王仁君律師106年 2月13日偵訊筆錄1份(參見105年度他字第6099號卷二第187頁)在卷可佐，此外

　　，遍觀全卷，未見有告訴權人即臺灣美光公司、美國美光公司對被告戎樂天提出此部分告訴，自難謂被告戎樂天所涉違反營業秘密法第13條之 1之罪部分已經合法告訴。

(四)復按起訴為裁判上一罪之案件，倘法院審理結果，認為一部不成立犯罪，他部又欠缺追訴要件，則一部既不成立犯罪，

　　即難與他部發生一部及全部之關係，法院應分別為無罪及不受理之諭知(最高法院70年台非字第11號判例參照)。公訴意旨就被告戎樂天被訴違反營業秘密法第13條之 1之罪、同法第13條之 2之罪部分，雖認其間具有裁判上一罪關係，然被告戎樂天被訴違反營業秘密法第13條之 2之罪部分，既經本院為無罪之判決，已如前述，揆之前揭說明，自應就被告戎樂天被訴違反營業秘密法第13條之 1之罪部分，另為公訴不受理之諭知。原審不查，逕就此部分為實體判決，適用法則尚有未洽。被告戎樂天據此上訴指摘原判決此部分不當，為有理由，自應由本院將原判決此部分撤銷，改諭知公訴不受理。

據上論斷，依刑事訴訟法第369條第1項前段、第364條、第299條

第1項前段、第301條第1項前段、第303條第3款，判決如主文。

本案經檢察官陳立偉提起公訴，檢察官張添興提起上訴，檢察官

羅雪梅、劉怡君、鄒茂瑜到庭執行職務。 

中　　華　　民　　國　　115 　年　　2 　　月　　13　　日

                          智慧財產第四庭

                            審判長法  官　蔡慧雯

                                  法  官　彭凱璐

                                  法  官　李郁屏

以上正本證明與原本無異。

如不服本判決應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，其未

敘述上訴理由者，並得於提起上訴後20日內向本院補提理由書（

均須按他造當事人之人數附繕本）「切勿逕送上級法院」。

中　　華　　民　　國　　115 　年　　2 　　月　　26　　日

　　　　　　　　　　　　　　　

附錄論罪科刑法條全文：

營業秘密法第13條之1

意圖為自己或第三人不法之利益，或損害營業秘密所有人之利益，而有下列情形之一，處五年以下有期徒刑或拘役，得併科新臺幣一百萬元以上一千萬元以下罰金：

一、以竊取、侵占、詐術、脅迫、擅自重製或其他不正方法而取得營業秘密，或取得後進而使用、洩漏者。

二、知悉或持有營業秘密，未經授權或逾越授權範圍而重製、使用或洩漏該營業秘密者。

三、持有營業秘密，經營業秘密所有人告知應刪除、銷毀後，不為刪除、銷毀或隱匿該營業秘密者。

四、明知他人知悉或持有之營業秘密有前三款所定情形，而取得、使用或洩漏者。

前項之未遂犯罰之。

科罰金時，如犯罪行為人所得之利益超過罰金最多額，得於所得利益之三倍範圍內酌量加重。

　　　　　　　　

附表一：

 

附表二:王永銘使用之儲存裝置

附表三：扣案物